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/27162716指的是Intel2716芯片,Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片封装:双列直插式封装,24个引脚基本结构:带有浮动栅的MOS管封装:直插24脚,引脚功能:Al0~A0:地址信号O7~O0:双向数据信号输入输出引脚;CE:片选OE:数据输出允许;Vcc:+5v电源,VPP:+25v电源;GND:地2716读时序:2732相较于2716:Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成,共可保存4K×8位二进制信息封装:直插24脚引脚功能:A0~A11地址E片选G/VPP输出允许/+25v电源DQ0~7数据双向VSS地VCC+5v电源2732读时序2764、27128、27256、27512等与之类似27020存储空间:256kx8读写时间:55/70ns封装:直插/贴片32脚引脚功能:A0~A17地址线I/O0~7数据输入输出CE片选OE输出允许PGM编程选通VCC+5v电源VPP+25v电源GND地27020读时序:27040与之类似RAM--61166116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,封装:24线双列直插式封装.引脚功能:
A0-A10为地址线;CE是片选线;OE是读允许线;WE是写允许线.操作方式:CEOEWE方式D0-D7H未选中高阻LLH读DoutLHL写DinLLL写DinRAM—62646264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,封装:直插式28脚引脚功能:A0~A12:地址线WE写允许OE读允许CS片选NC—NoconnectionI/O1~I/O8数据输入输出操作模式模式CS1CS2OEWEI/O1~8备用HXXX高阻
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