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EUV光刻机DUV光刻机也能造出7nm芯片，但同EUV光刻机相比，二者还是有着不小的差距。在光源、光路系统与镜头三大方面，二者有着很大的不同首先，二者发光原理不同DUV光刻机光源为准分子激光，而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式，二者发出的光源也不同。其中，DUV光刻机的波长能达到193纳米，而EUV光源的波长则为13.5纳米。二者之间的差距十分明显，波长越短，所能实现的分辨率越高。这让EUV光刻机能够承担高精度芯片的生产任务。其次，二者的光路系统有着明显的差异。DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻机则不会如此，其介质为空气。而EUV光刻机则是利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。这是因为，EUV光刻机的光源极易被介质吸收，只要真空才能最大程度保证光源能量不被损失。最后，EUV光刻机镜头难度更大。目前，ASML的EUV光刻机的光学模组，需要依赖于德国蔡司，其他供应商难以担起此重任。为尽可能保证EUV光源能量不被损失，反射透镜对光学精度的要求极高，并且反射透镜表面还要镀有采用Mo/Si的多层膜结构。综合来看，EUV光刻机的制造难度颇高，这使得EUV光刻机产能较低，价格也十分昂贵。但因为EUV光刻机分辨率较DUV光刻机高出14倍，因此受到台积电、三星等厂商的争抢。而且，DUV光刻机虽然也能制造7nm芯片，但要经过多次曝光，这会使得成本飙升，良品率也难以控制，而EUV光刻机则没有这样的烦恼。/s?id=16

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