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文档简介
学以出备_____丝迎下投
第一章半导体基础知识
自测题
(2)X(5)
(1)V(4)X
(3)J(6)X
(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC
三、l7oi^l.3VUo2=0U034一1.3VUO4七2VUO5G2.3VUo6比一2V
四、Uoi=6VUO2=5V
五、根据PcM=200mW可得:UCE=40V时/c=5mA,UCE=30V时/c26.67mA,UCE
=20V时/c=10mA,{/CE=10V时/c=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图
略。
六、1、
VBB匚UBE
/B==26gA
吊
Ic=®IB=2.6mA
t/cE=VccIcRc=2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
Vcc匚UCES
/c==2.86mA
Rc
/B==28知A
Rb=H45.4k&
ZB
七、T.:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
〃i/V
习题10
1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A
0
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成
指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而
烧坏。10
O
和Mo的波形如图所示。M和Wo的波形如图所示。
Mo/V
〃i/V
5
3
OO
-33
wo/v7
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蒙1必备总迎下载
1.5的波形如图所示。
1.6ln=(V-T/D)//?=2.6mA,小七行〃。=10Q,
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8/zM=PzM/t7z=25mA,R=UZ//DZ=0.24〜1.2k。。
1.9(1)当t/>=10V时,若Uo=Uz=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定
电流,所以稳压管未击穿。故
R\.㊉U1H3.33V
Uo=R+取
当t/i=15V时,由于上述同样的原因,(/o=5Vo
wii/v
3
t
0.3
O
U12/V
3
t
0.3
O
wo/V
3.7
t
1
O
当t/i=35V时,Uo=Uz=5V。
(2)ID=(JJI.Uz)R=29mA>/ZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10(1)S闭合。
(2)Rmin=(V□Ul))/DmaxH233&,Rmax=(V□UD),Dmin=700&o
1.11波形如图所示。
uiN
6
3
0
woi/V
3
0
MO2/V
3
0
1.1260℃时/CBO^32UA。
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A
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选用8=100、7CBO=10HA的管子,其温度稳定性好。
1.13
1.14
1.01mA
5mA
(a)(b)
1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
1.16当VBB=0时,T截止,MO=12VO
当VBB=1V时,T处于放大状态。因为
VBB口UBEO
/BQ==60pA,ICQ=®IBQ=3mA,uo=Vcc□ZCQRC=9V
当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为
—BB口UBEO
/BQ==160)1A,/CQ=®/BQ=8mA,wo=VccICQRC<UBE
Rb
1.17取UCES=UBE,若管子饱和,则
Rbnu,以®£子饱和。
隔BERb=®=
VRcRc,所R100
%C匚UBERc管
1.18当MI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,wo=-(/z=-5Vo
当wi=-5V时,晶体管饱和,wo=0.1Vo因为
ui匚UBE
/B==480gA
Rb
Ic=®IB=24mA
UEC=VCC□IcRcVVcc
会损坏。(e)可能
1.19(a)可能(b)可能(c)不能
1.20根据方程,人才.下
(d)小肥,T
UQS
ZD=/DSS(1□UGS(th))2
逐点求出确定的MGS下的ZD,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线
上〃GD=UGSoff的点连接起来,便为予夹断线。
1.21
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3
—rx
管号TiTzT3T4T5T6
上ecebcb
中bbbeee
下ceccbc
管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN
材料SiSiSiGeGeGe
=ee
①①
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L22过WDS为某一确定值(如I15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的ZD值;
建立iD=f(“GS)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。
1.23%=4V时T夹断,wi=8V时T工作在恒流区,wi=12V时T工作在可变电阻区。
1.24(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能
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第二章基本放大电路
自测题
一、(1)X(3)X(5)J(7)X
(2)V(4)X(6)X
二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能
(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮我在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。因为输入信春被C2短路。\
(f)不能。因为输出信号被区c短路,恒为零。
(g)可能。(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。因为T截止。
三、(1)(VCC□UBEQ)/BQ3
565;(Vcc□UCEQ)®/BQ
4
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0.3
-120;
©t/o,
(2)□UoUi
RL
RC+RL
四、⑴A(2)C(3)B(4)B
五、(1)C,DE(2)B(3)ACD(4)ABDE(5)C(6)BCE,AD
八、
习题
b小大
2.1e大小
ec大大
cc大小
bC小大
b大中
2.2(a)将一Mcc改为+Vbc。(b)在+Vfec与基极之间加R>。
(c)将VBB反接,且加输入耦合电容。
(d)在VBB支路加凡,在一代c与集电极之间加艮。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路;将电容开路即为直流通路,图略。
Uo
对l/o
R3
U、Ui
/?4
R2
(b)
(a)
Uo
t/oUiRL
UiR2R3R4
(c)(⑴
2.4空载时:/BQ=20UA,/cQ=2mA,UCEQ=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V«
带载时:/BQ=20UA,/CQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V,
2.5(1)X(2)X(3)X(4)V(5)X(6)X(7)X(8)-1
(9)V(10)X(11)X(12)V
2.6(1)6.4V(2)12V(3)0.5V(4)12V(5)12V
2.7
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」卜一卜
5
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Q
□R
VCCUBEO
Rb
Q:IBQ=
U
BEH22g
A
ICQ=@IBQH1.76mA
空载时:UCEQ=Vcc□ICQReH6.2V,rbe=rbh'+4-@)
26mVH
1.3k&
®RcH03
Ri=Rh//rbeHrbeH1.3k&
A,DHRi”"H一93
rbe㊉A
Ro=Rc=5k&
RC+RL(RC//RL)H2.3V
R.=3k&时:UCEQ=
RL□ICQ
At
A«=1HO115
R、+
A».H“H047
Abe0A
2.8(a)饱和失真,增大R”减小足。(b)截止失真,减小R>。
(c)同时出现饱和失真和截止失真,增大Vcc。
2.9(a)截止失真1°⑴
(b)里和失真
(c)做寸出现饱和失真和截止失真
VCCUCEQ
=2mA
/CQ=&
ICQ
/BQ=—=20(1A
Rb=(
MccUUBEQH56*&
IBQ
UAi/=~H)e
Ui@R。
----/?L'=lk&
I]RL=1.5k&
=1
RRi
2
UCEQUCES
2.11空载时,Uom=
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3.28V
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H2.12V
/CQR\:
2
RL=3k&时,Uom=
2.12②①②①③
③②①③①
③③①③③
2.13(1)静态及动态分析:
Rb\+Rb22VUBQ]Rf+Re
UBQH
㊉Vfcc=/eq=UBEQ
Rb\H1mA
/EQ
"Q=1+®H1°口AUCEQHVcc□7EQ(Rc+Rl+Re)=5.7V
2.73k&
/EQ
n>e=n)b'+(l+®)
26mV
@(Rc〃RL)
A.=0HU7.7
Abe+(1+®)/?f
7?i=7?bi//Rb2//[rbe+(1+@)Rf]H3.7k&
R°=Rc=5k&
(2)R增大,RQ4.1k。;Au减小,AMQ-1.92。
2.14
VCC□UBEQ
Q:/BQ=Ri+H2+(1+@)Rc/CQ=®/BQUCEQ=VccD(1+®)IBQRc
Ri=//R\
R〃R
eR,=Ri//心
2.15(2点:
/?2
/BQ=(VccUBEQ)[Rl//7?s+(l@)R\]
R2+R3
/CQ=®IBQUCEQ=Vcc□/CQRC+UBEQ
动态:
丝&Ri=RiH
ZR°=R4
rbe
1+@
2.16
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Vcc二UBEQ1
R\+Ri
U
旦;CQ2HI
-CQ1—@I
/BQIH__________;BQI
□R
3
UCQ2=VccICO27?4
Rl+R2UBEQ1)+UBEQI
UBQ2H
Ri(VccO
UCEQ1=UBQ2-UBEQ2
UCEQ2=UCQ2—UBQ2+UBEQ2
______fbclAu—AMI
l/?4
A—A〃2
Aul=Dfbe2
A«2=
fbe2
@\㊉
1+@2
Ri=R?//i?3//rbelRo=7?4
2.17AmHOIA〃2H+1图略。
2.18(1)求解Q点:
Rb+(1+8)Re
/BQ=_____________________________
VCC□[/BEQH32.3jiA
IEQ=(1+®)1BQH2.61mA
UCEQ=Vcc□/EQReH7.17V
(2)求解电压放大倍数和输入电阻:
RL=5R=Rb#[rbe+(l+®)7?e]H110k&
A»=(l+®)ReH0.996
fbe+(1+®)Re
RL=3k&:R=Rb〃[一+(1+®)(Re///?L)]H76k&
MH0.992
H>e+(1+8)(Re〃RL)
(3)求解输出电阻:Ro=Rc//
8
(1)
2,19H37&
Rs〃Rb+Abe
1+@
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ICQ=®IBQH1.86mA
H31HA
VCC□UBEQ
Rb+(1+®)Rc
。:/BQ=
UCEQHVcc□IEQ(Rc+R)=4.56V
26mV
n>e=rbb'+(l+H952&
lEQ
R=Rb〃巾H952&
._fbe
/iir=J
®(Rc〃RL)HD95
Ro=Rc=3k&
(2)
R
Ui=R+Ri㊉U.、H3.2mV
Uo=AuUiH304mV
若Ce开路,则
Ri=Rb〃[为e+(l+®)凡]H51.3k&
RnRi.
------=01.5
Re
R
Ui=㊉U.、H9.6mV
Rs+R
UO=AUUiH14.4mV
2.20(a)源极加电阻Rs。(b)输入端加耦合电容,漏极加电阻RD。
(c)输入端加耦合电容(d)在Rg支路加一VGG,+VDD改为一VDD
2.21(1)在转移特性中作直线UGs=_inRs,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标
值,得出/DQ—1niA,UGSQ——2V。
在输出特性中作直流负载线UDS=VDD-zb(RD+KS),与UGSQ=_2V的那条输出特性
曲线的交点为Q点,UDSQ=3V。
OWGSt/s(ofoImA/V
(2)gm==
□/DU2IDSSIDQ=
G
Au=LgmRD=5R1=1M&Ro=Ro=5k&
2.22(1)求Q点:UGSQ=%G=3V
从转移特性查得,当UGSQ=3V时,/DQ=lmA,UDSQ=VDD—/DQRD=5V
(2)求电压放大倍数:
2
gm=IDQIDO=3mAV
UGS(th)
Au=UgmRD=D20
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2.23
9
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Au=Lgm(RD//RL)
Ri=7?3+R\//Ri
Ro=RD
2.24(a)X(b)X(c)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
(d)X(e)X(f)PNP型管,上■发射极,中.基极,下一集电极。
(g)NPN型管,上.集电极,中.基极,下•发射极。
自测题
第三章
多级放大电路
一、(1)X(2)VV(3)VX(4)X(5)J
二、(1)AA(2)DA(3)BA(4)DB(5)CB
三、(1)BD(2)C(3)A(4)AC(5)B(6)C
四、(1),C3=(UZ-UBEQ3)/&3=O.3mAIR=IC2/B4=
(2)减小辰2。
0.14mA
当wi=O时wo=0,/CQ4=VEE/?C4=0.6mAo
,Ei=/E2=0.15mA
TR
Rd=
/E4RE4+UBEQ4H7.14k&
,10.7k&
/EQ2
n)e2=rbb-+(1+
26mV
,H2.74k&
/EQ4
n)e4=rbb'+(l+
26mVH
®\RC2〃[n)c4+(1+®)/?c4
A'uiR------!==——/HD16.5
2fbe2
A«2=:饱IOR,”Hni8
+(1+®)Re4
=〃㊉4〃2H297
习题
3.1(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基
(e)共源,共集(f)共基,共集
3.2
10
图(a)
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囱7b)1
+
@
2
(1+@2)/?3
@{1?2〃尿2+(1+®2)/?3]}
Abe2+(1+(5^2)7?3
Rl+Abel
Ri=Rl+rbel
M>e2+R2
R°=R3//㊉
(1+®\)/?2//R3//rbe2®R
A«=I
fbel+(1+(B\)(/?2////M)e2)Fbe2
R=Ri//[iy)c\+(1+®\)(J?2//R3//n)c2)]
Ro=R4
图(c)
-{/?2〃:.e2+(1+®2}®R3
Rl+Fbelfbe2+(1+®2)TD
]2
Ri=Rl+rbel
Ro=R
图(d)
@R
n)e2
R=R3+Ri//Ri
Ro—Rs
3.3(1)(d)(e)(2)(c)(e)(3)(e)
3.4图(a)
rbe2
□⑼㊉
1+@2
A«i=zi
心豌=
n>e2
A"=A,“㊉A,,2H625
R=R//R2//打eiH0.93k&
Ri=Ri=3k&
图(b)
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11
㊉([田
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口劭■(/?]〃加2)口5
A<rl=fbel
他=色^HD42
rbe2
4"=A,“㊉A“2H2100
R=(岛+/?2//R3)//n(eiH1.2k&
R=R4=1k&
3.5图(c)
®l♦(R〃fbe2)
--------------HQT6T2
A«l=H)el
启=HD107
Fbe2
Ai=All㊉A“2H6634
R、=Ri//为elH1.5k&
Rt=RA=2k&
图(e)
Au}=rgm{7?2〃[
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