(高清版)GB∕T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片

ICS29.045GB/T5238—2019代替GB/T5238—2009锗单晶和锗单晶片国家市场监督管理总局I本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。——规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T5254,增加了GB/T1555、GB/T14264、GB/T14844、GB/T26074(见第2章，2009年版的第2章);——增加了术语和定义(见第3章);——增加了非掺杂锗单晶的要求(见第4章);——修订了锗单晶晶体完整性的要求(见4.2.6.1,2009年版的3.3——增加了直径大于100mm锗单晶的要求(见4.2.7);——删除了长度的要求(见2009年版的3.3.2.1);——增加了锗单晶表面质量的要求(见4.2.8);——修订了锗单晶片表面质量的要求(见4.3.3,2009年版的3.3.3);本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：1锗单晶和锗单晶片2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T26074锗单晶电阻率直流四探针测量方法3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4要求锗单晶和锗单晶片的牌号表示应符合GB/T14844的规定。锗单晶的电阻率应符合表1的规定。2导电类型掺杂剂P型0.001～45.00.001～45.0Au+Ga(In)0.5～5.0N型0.001～45.0非掺杂35.0～50.0锗单晶的径向电阻率变化应符合表2的规定。径向电阻率变化(绝对值)注：直径指未滚圆锗单晶的尺寸。锗单晶的少数载流子寿命应符合表3的规定。电阻率p少数载流子寿命sN型P型0.001≤p<1.02.5≤p<4.04.0≤p<8.08.0≤p<16.034.2.6.1不同用途锗单晶的位错密度应符合表4的规定。用途位错密度个/cm²半导体器件激光器组件红外光学部件4.2.6.2锗单晶不应有位错堆、星形结构。锗单晶中单根小角晶界和位错排的长度均应不大于3mm,小角晶界和位错排的总长度均应不大于锗单晶直径的1/6。锗单晶的直径和直径相对允许偏差符合表5的规定。mm直径相对允许偏差不大于注1:直径及直径相对允许偏差指未滚圆锗单晶的尺寸。注2:直径相对允许偏差指同一根锗单晶最大直径和最小直径之差与平均直径的比值。锗单晶片的几何参数应符合表6的规定。4GB/T5238—2019几何参数要求允许偏差直径d厚度0.4～50.0平行度mm圆度—倒角尺寸0.2～0.8士0.10倒角角度45°或30°表面粗糙度Ra*/μm—“仅适用于红外光学部件用的锗单晶片。4.3.3.1锗单晶片的崩边长度应不大于0.5mm,每个崩边的圆周弦长应不大于2mm,且每片锗单晶片上崩边个数应不大于2个。4.3.3.2锗单晶片表面不应有裂纹、孔洞、需方如对锗单晶和锗单晶片有特殊要求，由供需双方协商并在合同中注明。5试验方法5.1锗单晶导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。5.2锗单晶电阻率和径向电阻率变化的测试按GB/T26074的规定进行。5.3锗单晶少数载流子寿命的测试按GB/T1553的规定进行。5.4锗单晶晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行。5.5锗单晶晶体完整性测试按GB/T5252的规定进行。5.6锗单晶和锗单晶片几何参数的测试按表7的规定进行。参数检测仪器直径分度值为0.001mm千分尺或3D影像仪厚度分度值为0.001mm千分尺平行度分度值为0.01mm百分表5表7(续)参数检测仪器倒角尺寸、倒角角度3D影像仪圆度圆度仪表面粗糙度表面粗糙度仪6.1.1产品应由供方质量检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准或订货单(或合同)的规定，并6.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定产品应成批提交检验。每批锗单晶的检验项目应符合表8的规定。每批锗单晶片应对几何参数、表面质量进行检验。检验项目半导体器件、激光器组件用锗单晶红外光学部件用锗单晶导电类型√√电阻率√√径向电阻率变化√√少数载流子寿命0X晶向及晶向偏离度√√晶体完整性√0几何参数√√表面质量√√6.4.1锗单晶的检验取样按表9的规定进行。6检验项目取样位置取样数量要求的章条号试验方法的章条号导电类型锗单晶的头、尾各切1片逐根电阻率径向电阻率变化少数载流子寿命晶向及晶向偏离度晶体完整性几何参数表面质量6.4.2锗单晶片几何参数的检验取样按GB/T2828.1—2012中一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方6.5.3锗单晶片几何参数的接收质量限(AQL)为0.40。a)供方名称及商标；b)产品名称；c)产品批号；d)规格尺寸；