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DB52DB52/T844—2013半导体电流调整管Currentregulatordiode贵州省质量技术监督局发布I 1 1 1 5 6 本标准与GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》、GB/T4589.1-2006《半导体器1GB/T2424.19电工电子产品环境试验模拟贮GB/T2423.22电工电子产品环境试验第2部分GB/T2423.28电工电子产品环境试验GB/T2423.30电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验XAGB/T2423.60电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验UGB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第GB/T4937.1半导体器件机械和气候试验GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关半导体电流调整管current-reg2恒流电流变化量(ΔI）regulatorcurrentvariation3表征恒定电流值受电压变化影响的参数。定义为恒定电流变化量与工作电压区之比，单位为微安/......................................4阳极端（anode)+-阴极端（cathode)VV5I0.9I0.1I trtft6a)常规测试大气条件：温度20℃±5℃,相对湿度为45%～75%，气压86kPa～106kPa；b)基准测试大气条件：温度25℃±1℃,相对湿度为48%～52%，气压86kPa～106kPa。7环境照度为250lx,距离300mm，正常或放大3～10倍，目视检查。出现以下任一情况，则电流调整管（CRD）VV+EA+EA -IS=..............................8S1................................Kc=(Is2–Is1)/(VE–VK)...................................(3)电流调整管（CRD）VVPP=3.0Vf=1KHz+EVVA--），9电流调整管（CRD）电流取样+交流、脉冲信号源E-电流取样+交流、脉冲信号源E-示波器2)受测器件接通恒定加热电流IH，对器件加热，使其达到热稳态，此时结温保持恒定，记录加热电压VH及加热电流IH；快速切断加热电.................................从瞬态热阻抗（ZθJC）曲线图中可以读出某一时刻的热阻抗当选择方法3时，各引出端均在离器件管体5mm士1mm的点上进行试验。引按GB/T2423.28Tb的规定，采用浸入时间为10s士露10min。在任何情况下样品达到热平衡器件贮存（高温下）试验应在详细规范中规定。试验前和试验后器件均应按5.5.1进行恒定电流测VR+E-+E-a)在规定的环境条件下，打开并调节直流电源E，S>LSL()内表示抽样的L

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