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文档简介

1碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）动态栅偏试验方法GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分：场效应3.1DRB3.2漏源电压上升速率risingrat3.3开态栅极电压on-stategatesour3.4关态栅极电压off-sategate3.5最大栅极电压maximumgateso3.6推荐最小栅极电压recommenedminimumgate快速开通和关断，栅极电压保持不变。主动模式漏源电压和栅源电压均重复开通和关断，图2中DUT1为VGSDGSVDSDGDDGDDUT2GVDSSGVDSSDUT1VGS该试验方法通过对样品施加动态反偏电压应力来评估器件的退化，试验流终点测量终点测量3中间测量开始中间测量开始选择样品测量初始值施加动态反偏应力（实时监测漏电流）撤除动态反偏应力5.2样品选择5.3初始值测量压VBR、漏源极导通电阻RDS(on)、体二极管正向压降VF。推荐按照表1的试验条件进行动态反偏试验，根据产品的要求，其他试验条件是可以接受的，可根据实际应用条件或最佳实践进行调整，需在产品的详细规范中指明试验漏源电压(VDS)VDS≥0.8VDS.maxdVDS⁄dt栅源电压(VGS)方法1：被动模式：保持恒定，VGS=VGS.min.recom方法2：主动模式：开关切换，VGS.off=VGS.min.recom，VGS.on=VGS.max注1：最大过冲不大于15%VDS.max。5.5应力波形在样品上施加电压和温度应力。图4和图5分别显示了被动模式和主动模式条件下的VGS和VDS电压荐最小负栅压与最大栅压之间切换。漏源极电压变化速率应不小于50V/ns（105VBR、漏源极导通电阻RDS(on)、体二极管正向压降Vr。测试应按照产品的详细规范进行。中间测量或终点测量应在器件从规定试验条件下移出后的96h内完成，阈值电压VGS(th)应在移出后的10h内完成，测RDS(on)）；VrVGS(th)）；IDSSIGSS选□主动模式VGS.off=VGS.on=漏源电压VDS(V)dVDS⁄dt上升沿：v⁄ns下降沿：v⁄nsdVGS⁄dt（主动模式）上升沿：v⁄ns下降沿：v⁄ns上冲：%VDS.max下冲：%VDS.max预处理脉冲电压：V预处理脉冲时间：RDS(on)(mΩ)VGS(th)(V)123…[1]AEC-Q101Fail[3]IEC60747-8-2010半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（Semicon

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