SiC MOSFET 高温反偏试验方法-征求意见稿

1碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温反偏试验方法GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分场效应GB/T4937.23-2023半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命T/CASAS002-2021宽禁带半导体T/CASAS006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范GB/T4586-1994、T/CASAS002-2021、T3.1栅-源电压gate-sourcevo3.2漏-源电压drain-source3.3IGSS漏极-源极短路时，栅极-源极电压VGS达到最大的条件下对应的最大值。3.4IDSS在漏极-源极电压达到规定的高值，栅极-源极达到规定条3.5栅-源阈值电压gate-sourcethresholdvo3.6漏-源通态电阻drain-sourceon-statere在规定的栅极电压、温度且忽略内部耗散条件下的最3.7漏-源击穿电压breakdownvoltage,drain最大断态漏极电流ID0和栅极-源极短路时的最小值。3.8Ta3.9Tc3.10Ts3.11Tj3.12虚拟结温virtualjunctiontemperature,通常来说，功率半导体的结温是没有办法直接测量到的，但是可以通过电学性能间接测量（例如MOSFET通过体二极管的正向电压测量）。因此，TvSiCMOSFET器件高温反偏试验装置应能够提供合适的SiCMOSFET偏置电压及所需的高温环a)功率偏置单元（电源）。功率偏置单元（电3SiCMOSFET功率半导体器件封装过程和材料的热膨胀系数也会对钝化层完整性产生重大影响，从5.2测试a)样品准备：将SiCMOSFET样品焊接或安装在适当的测b)最初测试：在测试开始之前，进行器件的电特性参数测试及记录，包括但不限于IDSSf)冷却：在去掉偏置前，处于高温应力下的器件应冷却至55℃或更低温度。对于规g)最终测试：在测试完成之后，进行器件的电特性参数测试及记录，中间测试后，应力应该在中断点继续施加。h)数据记录：记录试验期间的应力及监测数据，并注意任何异常现象。注：HTRB是针对SiCMOSFET芯片及其近距离环境的失效模式测试，而不是针对远距离外壳的测试。芯片必须达到最大温度Tvj，但外壳周围的环境温度Ta可以更低。必须确保芯片下方的外壳温度Tc或散热器温度T温度应在允许的最高存储温度范围内(±10K否则必须测量外壳温度并在测试报告中注明。由于使用VGS=VGS.min作为推荐的静态关断电压时，SiC栅极氧化物中值单批次，分立器件建议154个（其中正负），Tvj,max漏极-源极电压VDS栅极-源极电压VGS=Tvj.max-ΔTp.loss，其中ΔTp.loss表示半导体器件因泄漏电流引起的功率损耗而产生的温升。b如果SiC器件不能保证漏源极沟道在VGS=0V时完全关断，则必须采用数据手册推荐的最小静态VGS.min。——IDSS等器件的电特性参数在初始值的基础上，加上包括DUT在内的测量装置的噪声——可根据需求增加其余的失效判定。a)样品名称及数量；b)加热期间的试验偏置条件；h)其他必要的项目。5求偏置电压VDS：偏置电压VGS：…IDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSSIDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSS1□2□3□…□[3]T/CASAS006-2020碳化硅金属氧化物