硅集成电路芯片工厂设计规范征求意见稿

UDC中华人民共和国国家标准PGBXXXXX-XXXX硅集成电路芯片工厂设计规范CodeforDesignofSiliconIntegratedCircuitsWaferFab(征求意见稿)XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施联合发布布中华人民共和国住房和联合发布布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中华人民共和国国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范CodeforDesignofSiliconIntegratedCircuitsWaferFabGBXXXXX-XXXX主编部门：中华人民共和国工业和信息化部批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部施行日期：XXXX年XX月XX日中国计划出版社XXXX北京PAGEPAGE3前言本规范是根据住房和城乡建设部《关于印发〈2008年工程建设标准规范制定、修订计划〉的通知（第二批）》建标[2008]105号文的要求，由电子工程标准定额站组织信息产业电子第十一研究院科技工程股份有限公司会同有关单位共同编制完成。在规范编制过程中，编写组根据我国硅集成电路芯片工厂的设计、建造和运行的实际情况，进行了大量调查研究，同时考虑我国目前生产的现状，对国外的规范进行广泛的研读，广泛征求了全国有关单位与个人意见，并反复修改，经审查定稿。本规范共分11章和？个附录。其主要内容有：总则、术语、工艺技术选择、总体设计、建筑、结构及微振、公用动力、给排水、电气、工艺相关系统、环境安全卫生等。本规范中以黑体字标志的条文为强制性条文，必须严格执行。本规范由住房和城乡建设部负责管理和对强制性条文的解释，工业和信息化部负责日常管理，信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司负责具体技术内容的解释。在执行过程中有意见和建议请寄至信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司《硅集成电路芯片工厂设计》管理组（地址：四川成都市双林路251号，邮编：610021，传真，以便今后修订时参考。本规范主编单位、参编单位、参加单位、主要起草人和主要审查人：主编单位：信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司参编单位：参加单位：主要起草人：主要审查人：目次TOC\o"1-1"\u1 总则 12 术语 23 工艺技术选择 63.1一般规定 63.2技术选择 63.3工艺布局 74 总体设计 84.1厂址选择 84.2总体规划及平面布局 85 建筑 95.1一般规定 95.1防火疏散 96 结构及微振 115.1一般要求 115.1防微振 117 公用动力 128 给排水 148.1一般要求 148.2一般给排水 148.3水消防措施 158.4消火栓系统 158.5自动喷水灭火系统 168.6灭火器系统 179 电气 189.1供配电 189.2照明 189.3接地 199.4静电防护 199.5通信与安全保护 209.6电磁兼容 2110 工艺相关系统 2410.1净化间 2410.2工艺排风 2810.3纯水 2910.4废水 3110.5工艺循环冷却水 3210.6大宗气体 3310.7干燥压缩空气 3410.8特殊气体 3510.9化学品 3511 环境安全卫生（ESH） 38

CONTENTTOC\o"1-1"\u1 General 12 Terminology 13 ProcessTechnologySelection 63.1GeneralRegulation 63.2TechnologySelection 63.3ProcessLayout 74 SiteMasterDesign 84.1SiteSelection 84.2OverallPlanningandPlanLayout 85 Architecture 95.1GeneralRegulation 95.1FireEvacuation 96 StructureandMicrovibration 115.1GeneralRegulation 115.1MicrovibrationProof 117 Utilities 128 WaterSupply&Drainage 148.1GeneralRegulation 148.2WaterSupply&Drainage 148.3FireWaterProvisions 158.4FireHydrantSystem 158.5AutomaticSprinlingSystem 168.6FireExtinguisherSystem 179 Electrical 189.1PowerSupply&Distribution 189.2Lighting 189.3Grounding 199.4Anti-StaticProtection 199.5TelecommunicationandSafety 209.6ElectroMagneticCompatibility 2110 Process-RelatedSystems 2410.1CleaningRoom 2410.2ProcessExhaust 2810.3PureWater 2910.4WasteWater 3110.5ProcessRecirculatedCoolingWater 3210.6BulkGases 3310.7DryCompressedAir 3410.8SpecialGases 3510.9Chemicals 3511 Environment,Safety&Health（ESH） 38PAGEPAGE1总则1.01为在硅集成电路芯片工厂设计中正确贯彻国家现行法律、法规，满足电子产品生产要求，确保人身和财产安全，做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好，制定本规范。1.02本规范适用于新建、扩建和改建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。1.03硅集成电路工厂的生产过程主要针对于硅片的扩散、薄膜、光刻、刻蚀、等加工步骤，使硅片上永久形成一整套集成电路。1.04硅集成电路芯片工厂设计应满足需洁净环境的电子产品生产工艺要求，并应根据具体情况为今后产品生产发展或生产工艺改进的需要预留条件。1.05硅集成电路芯片工厂设计应为施工安装、调试检测和安全运行、维护管理创造适宜的条件。1.06硅集成电路芯片工厂设计除应执行本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。

术语2.0.1洁净室cleanroom空气悬浮粒子浓度受控的房间。它的建造和使用应减少室内诱入、产生及滞留粒子。室内其它有关参数如温度、湿度、压力等按要求进行控制。2.0.2特种气体系统specialitygassystem特种气体系统是指在电子工厂的特种气体的储存、输送与分配过程的设备、管道和部件的总称。2.0.3特种气体间specialitygasroom是指在电子生产厂房放置特种气瓶柜、气瓶架、尾气处理装置、气瓶集装格等气体设备，并通过管道向用气设备输送特种气体的房间。2.0.4硅烷站silanestation是指放置硅烷或硅烷混合气体钢瓶、钢瓶集装格、Y型钢瓶、长管拖车或ISO标准集装瓶组、硅烷气化装置、尾气处理装置、电气装置等，并通过管道向生产厂房供应硅烷气体的独立建构筑物或区域。2.0.5数据采集与监视控制系统supervisorycontrolanddataacquisition（SCADA）是以计算机为基础的生产过程控制与调度自动化系统。它可以对现场的运行设备进行监视和控制，以实现数据采集、设备控制、测量、参数调节以及各类信号报警等各项功能。2.0.6工厂设备管理控制系统facilitymanagementcontrolsystem（FMCS）用于管理工厂动力设备的管理控制系统，一般只具有监视功能，不具有控制功能。2.0.7大宗特种气体系统是指应用：1）集束钢瓶（容积小于50L钢瓶数量超过12个以上）；2）Y型钢瓶；3）T型钢瓶；4）长管拖车；5）ISO标准集装瓶组等进行特种气体储存和送气作业的系统。2.0.8气瓶柜gascabinet(GC)特种气体使用的封闭式气瓶放置与管理设备，一般应配置减压装置、真空发生器、、紧急切断阀、过流开关、风压事故报警、压力监测及报警等安全使用所必须的设施。排风管配置泄漏探头。气瓶柜有手动、半自动、全自动三类。2.0.9尾气处理装置localscrubber易燃、易爆、毒性、腐蚀性等气体的排气与吹扫气体的现场处理装置，处理后的尾气达到规定排放浓度，并排入用气车间的排气管道。2.0.10气体探测系统gasdetectorsystem(GDS)设置在特种气瓶柜、气瓶架、阀门箱、阀门盘、及其它特种气体输送设备与管道所覆盖区域，通过检测本质气体或关联气体在空气中的浓度来判断本质气体的泄漏，从而发出声光报警信号、提供应急处理数据的系统。2.0.11气体管理系统gasmanagementsystem(GMS)包含特种气体探测系统、应急处理系统、工作管理系统、监视系统、数据输送与处理系统的气体管理与控制系统的统称。2.0.12自燃气体pyrophoricgas在空气中会发生自动燃烧的气体。2.0.13可燃气体flammablegas指与空气（或氧气）能够形成一定浓度的混合气态，并遇到火源会发生燃烧或爆炸的气体。2.0.14腐蚀性气体corrosivegas是指在一定条件下，对材料或人体组织接触产生化学反应引起可见破坏或不可逆反应的气体。2.0.15氧化性气体oxygenizegas是指在一定条件下，与材料接触会产生较为剧烈的失去电子的化学反应的气体。2.0.16惰性气体在一般情况下与其它物质不会产生化学反应的气体。2.0.17人员净化用室roomforcleaninghumanbody人员在进入洁净区之前按一定程序进行净化的房间。2.0.18物料净化用室roomforcleaningmaterial物料在进入洁净区之前按一定程序进行净化的房间。2.0.19空气吹淋室airshower利用高速洁净气流吹落并清除进入洁净区人员或物料表面附着粒子的小室。2.0.20气闸室airlock设置在洁净区出入口，阻隔室外或相邻房间的污染气流和压差控制而设置的缓冲间。2.0.21洁净工作服cleanworkinggarment为把工作人员产生的粒子限制在最小程度所使用的发尘量少的洁净服装。2.0.22微环境minienvironment将产品生产过程与操作人员、污染物进行严格分隔的隔离空间。2.0.23技术夹层technicalmezzanine洁净厂房中以水平构件分隔构成的空间，用于安装辅助设备和公用动力设施以及管线等。2.0.24技术夹道technicaltunnel洁净厂房中以垂直构件分隔构成的廊道，用于安装辅助设备和公用动力设施以及管线等。2.0.25纯水purewater杂质含量很少的水，其电解质杂质含量(常以电阻率表征)和非电解质杂质(如微粒、有机物、细菌和溶解气体等)含量均要求很少的水。2.0.26大宗气体bulkgas电子产品生产过程中，广泛使用的氢气、氧气、氮气、氩气、氦气气体。2.0.27特种气体specialgas电子产品生产过程中，使用的硅烷、磷烷、乙硼烷、砷烷、四氯化硅、氯气等气体。这些气体具有可燃、有毒、腐蚀或窒息等特性。2.0.28化学品chemical指电子产品生产过程中使用的酸、碱、有机溶剂和氧化物等。

PAGE7PAGE29工艺技术选择一般规定硅集成电路芯片工厂的工艺设计应遵循以下原则：1应满足产品生产的成品率的需要；2应满足工厂产能的需要；3应满足工厂今后扩展的灵活性；4应满足节能、环保和劳动安全方面的要求。硅集成电路芯片厂房设计时应合理设置各种生产条件，在满足硅集成电路生产要求的前提下，尽量做到建设投资少、运行费用低、生产效率高。硅集成电路芯片厂房生产类别分类应为丙类。技术选择依工厂产品类型，月最大产能，生产制造周期，投资金额，长期发展进程等因素确定工厂设计大纲和设备布局。对于线宽在0.5微米到5微米工艺的硅集成电路的研究和生产，适用于4-6英寸芯片生产设备进行加工，每条生产线的产能宜在每月4万片以内。对于线宽在0.5～0.15微米工艺的硅集成电路的研发和生产，适用于8英寸芯片生产设备进行加工，每条8英寸硅集成电路生产线的产能宜在8万片以内。对于线宽在0.15微米到32纳米工艺及以下的硅集成电路的研发和生产，适用于12英寸芯片生产设备进行加工，每条12英寸集成电路生产线的产能宜在6万片以内。硅集成电路工厂的工艺布置应顺应产品生产工艺流程，常规布置可按照下图的工艺流程进行。工艺布局根据产品类型，计划和目标的要求，全面的工厂设计和设施规划以达成和发挥最大生产效能为原则。设备布局应对设备安放及操作、设备及产品搬运、生产人员行走等方面，就物流、人流和信息流做通畅、合理的安排配置。选择合理的产品组合和预期的芯片产量，最大化地利用洁净区面积。各功能区安排应尽量减少芯片传送距离。应有效防止前后段工艺交叉污染和金属污染。操作人员走道的宽度要求，应符合劳动安全规范。设备间隔的要求应满足相邻设备的维修和操作需求。对振动敏感的设备应尽量远离振动源布置。对电磁感应较敏感的设备，如扫描电镜等，应按要求对其进行电磁屏蔽。根据生产规模及硅片尺寸，8英寸及12英寸工厂宜优先考虑设置自动物料处理系统(AMHS)，以便有效利用洁净区空间，减少人员污染以提高成品率，提高生产效率、降低操作人员的负担，规避传送硅片时的失误。

总体设计厂址选择厂址选择应综合考虑技术经济指标、建设配套条件、环境保护和客户需求等因素，合理选择建设场址。厂址选择应符合企业自身长期发展的需要，并应避免厂房的危险或有害因素对周边人群居住或活动环境造成污染与危害。厂址应选择在大气含尘量低，自然环境好的区域。厂址应选择在基础建设（交通运输，水源及电力质量）条件优良，动力供应充足的区域。厂址应选择在无洪水，潮水，内涝，地震，飓风，雷暴，沙尘暴威胁的区域。厂址应选择在场地相对平整、距外界强振源较远的区域。厂址宜选择在高校和专业技术人才教育发达的区域。4.1.8厂址应选择在地区工业配套能力较强的区域。总体规划及平面布局工厂厂区布置应按照办公、生产、动力、仓储等功能区域合理布局。厂区的出入口人流、物流宜分开设置。厂房的新风进风口应位于厂区的上风向。工厂的动力设施宜集中布置并靠近工厂的负荷中心。厂区应按照当地规划要求设置相应规模的停车场。甲乙类物品库和甲乙类气体站应独立设置。厂区宜设置环形消防通道。厂区道路面层应选用整体性能好、发尘少的材料。厂区应结合工厂发展情况，酌情预留发展用地。

建筑一般规定硅集成电路芯片工厂的建筑平面和空间布局，应根据硅集成电路芯片产业发展并考虑生产工艺改造和扩大生产规模的要求确定。硅集成电路芯片工厂一般由芯片生产厂房、动力厂房、化学品库、办公楼等建筑组成。生产厂房、办公楼、动力厂房之间的人流宜采用连廊进行联系。芯片生产厂房的主体结构宜采用钢筋混凝土框架及大跨度钢屋架结构体系，并应具有抗震、防火、密闭、控制温度变形和不均匀沉降性能。厂房变形缝不得穿越洁净生产区。芯片生产厂房的立面设计、维护结构材料的选择应满足大规模集成电路生产对环境的气密、保温、隔热、防火、防潮、防尘、耐久、易清洗等要求。芯片生产厂房设有技术夹层、技术夹道的厂房，技术夹层、技术夹道的建筑设计应满足各种风管和各种动力管线安装、维修要求。生产辅助部门等与生产密切联系的部门应尽量靠近生产区以减少人员步行的距离。硅集成电路芯片厂房内应考虑工艺设备、动力设备的运输安装通道；在洁净区内的高架地板应考虑通过通道的设备荷载并确保设备运输的安全。芯片厂房建筑围护结构和室内装修材料的选择应符合应符合现行国家标准《建筑内部装修设计防火规范》GB50222和《电子工厂洁净厂房设计规范》GB50472的规定。）防火疏散硅集成电路芯片厂房的耐火等级不应低于二级。厂房内防火分区的划分，应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016和《电子工厂洁净厂房设计规范》GB50472的规定。每一生产层、每个防火分区或每一洁净室的安全出口数目，应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073中相关规定；安全出口应分散布置，并应设有明显的疏散标志；安全疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的规定。

结构及防微振一般要求在IC芯片厂房的建厂前期，应对场地周围的振源要进行充分的调查与评估。了解周围的交通（如码头、火车、高铁、城铁、邻近的飞机场）和邻近的工业设施布置的情况，判定各种振源对拟建芯片厂房的影响程度。在场地调查中，除了已存在的环境外，应考虑在未来可能产生的振源，例如建造新厂房、道路的变化、新增城铁的建设等临近场地区域的未来变化对将建厂房的影响。厂房结构布置应满足生产需要，宜采用大柱网大空间。厂房的结构可以采用钢筋砼结构、钢结构或者两种结构的组合，根据需要可在下夹层等合适位置设置剪力墙或柱间支撑或在下夹层采用小柱距、小开间、小跨度等有利于微振动控制的措施。结构分析时，应考虑由于防微振需要所设的支撑或剪力墙等抗侧力构件的影响。防微振防微振设计时，处考虑环境振动的影响外，尚应考虑动力设备和洁净区系统以及物料传输系统运行中产生的振动影响。产生较大振动的动力设备不宜放在洁净区楼层的的上下楼层，动力厂房与洁净厂房的布置在平面方向也应有一定的距离。洁净区周边的辅助动力用房，有条件时宜设缝将其与洁净区脱离。产生较大振动的生产工艺设备、运输系统等较大振源应尽可能远离对振动最为敏感的工艺生产设备区。对易产生振动的设备及管道采取隔振措施，以减少将振动传导至工艺生产设备的可能性。精密设备基座平台的基本频率应避开其下支承结构的共振频率和其它振源的共振频率。集成电路芯片厂房设计中，尤其是对有特殊要求的设备防微振平台的设计中，防微振需求应根据所选用设备厂商的要求确定，通常以通用振动标准VC曲线定义，确保产品在生产过程中，防微振设备所在的结构层表面的振动处于相应微振等级标准曲线以下。确定结构构件截面尺寸时，尚应考虑振动敏感设备的动刚度要求。集成电路芯片厂房防微振设计应按照（电子工程防微振工程技术规范）GB50×××的有关规定进行。（此规范正在编制中！！）

公用动力空气调节人工冷热源宜采用集中设置的冷热水机组和供热、换热设备。设备选型应根据工厂所在地区的气候、能源结构、政策、价格及环保规定，通过综合比较按下列要求确定：1热源应优先采用城市、区域供热和工厂余热；2具有城市工业燃气供应的地区，可采用燃气锅炉、燃气热水机组供热或燃气溴化锂吸收式冷热水机组供冷、供热；3无上述能源供应的地区，可采用燃煤锅炉、燃油锅炉供热，电动压缩式冷水机组供冷和由吸收式冷热水机组供冷、供热；在同时需要供冷和供热的工况下，冷水机组宜根据负荷要求选用热回收机组，并采用自动控制的方式调节机组的供热量。冷热源设备台数和单台容量应根据全年冷热负荷工况合理选择，并保证设备在高、低热负荷工况下均能安全、高效运行，一般情况下，冷热源设备不宜少于2～4台。过渡季节或冬季需用一定量的供冷负荷时，可利用冷却塔作为冷源设备。冷水机组的冷冻水供、回水温差不应小于5℃，在满足工艺及空调用冷冻水温度的前提下，应加大冷冻水供、回水温差和提高冷水机组的出水温度。非热回收水冷式冷水机组的常温冷却水的热量宜回收利用。在电力供应紧张，且供电部门提供峰谷电价的地区，可设计冰蓄冷空调供冷系统。当冷负荷变化较大时，经过经济技术比较，冷源系统的部分或全部设备宜采用变频调速控制。冷水机组的能效比不应低于国家现行有关产品标准的规定值，并应优先选用能效比高的设备。电动压缩式冷水机组的总装机容量应符合现行国际标准《采暖通风与空气调节设计规范》GB50019的相关规定。电动压缩式制冷机组的制冷剂必须符合有关环保的要求，采用过度制冷剂时，其使用年限应符合中国禁用时间表的规定。燃油燃气锅炉应选用带比例调节燃烧器的全自动锅炉，且每台锅炉宜独立设置烟囱，烟囱的高度应满足相关国家标准与项目环境评价报告的要求。锅炉房排放的大气污染物，应符合现行国家标准《锅炉大气污染物排放标准》GB13271，《大气污染物综合排放标准》GB16297和所在地区有关大气污染物排放标准的规定。

给排水一般规定给排水系统的设计应满足生产、生活、消防以及环保等需求，做到安全卫生，经济适用。给排水设计方案应在水量平衡的基础上提高节约用水和循环用水的水平，做到技术先进、经济合理、节水节能，减少排污。给排水系统的设计应在满足使用要求的同时为施工安装、操作管理、维修检测和安全保护提供必要条件。给排水管道的设计应该整齐有序、横平竖直、成组成排，便于支撑。管道穿过房间墙壁、楼板和顶棚时应设套管，管道和套管之间应采取可靠的密封措施。无法设置套管的部位也应采取有效的密封措施。给排水管道在可能冻结的区域应有防冻措施，外表面可能产生结露时应采取防结露措施。洁净区内给排水管道绝热结构的最外层应采用不发尘材料。一般给排水给水系统应按生产、生活、消防等各项用水对水质、水压、水温的不同要求分别设置。生产生活给水系统宜优先利用市政给水管网的水压直接供水。当市政给水管网的水压、水量不足时，生产、生活给水系统应设置贮水调节和加压装置。贮水装置的材质、衬砌材料和内壁涂料不得影响水质。加压装置宜采用变频调速设备，并应设置备用泵，备用泵供水能力不应小于最大一台运行水泵的供水能力。不同水源、水质的用水应分系统供水。城市自来水管道严禁与自备水源或回用水源的给水管道直接连接。生产废水的排水管路系统应根据废水的性质、浓度、水量以及废水处理的工艺确定，宜优先采用重力流的方式自流至废水处理站。生产废水干管宜设置在地沟或下夹层内，严寒地区的室外管沟内的排水管应采取保温防冻措施。管沟中宜设置便于排水的必要措施。输送腐蚀性介质的架空管道不宜采用法兰连接。如果管件、阀门或仪表连接必须采用法兰连接时，法兰处必须采取必要的防渗漏措施。洁净区内工艺设备的生产排水宜采用接管排水，设备附近宜设置事故地漏。排水干管宜设置透气系统。洁净区内应采用不易积存污物、易于清洗的卫生设备、管道、管架及其附件。有害化学品贮存间和配送间应必设置必要的排水措施将泄漏的化学药剂和消防排水输送至安全场所。否则应在室内通过地沟等技术措施贮存泄漏的化学药剂及消防排水。贮存容积不小于最大罐化学药剂容积加上20分钟消防水量。水消防措施8.3.1集成电路芯片厂在洁净区的设计中，除了采取有效的防火措施以外，还必须结合我国当前的技术、经济条件，配置必要的灭火设施。8.3.2集成电路芯片厂洁净区内应设置室内消火栓系统，自动喷水灭火系统和灭火器系统。除此之外，还应根据具体的条件和要求，有针对性的设置其它有效的消防设备。8.3.3集成电路芯片工厂的消防水泵应设备用泵，其工作能力不应小于一台主泵。消火栓系统集成电路工厂洁净区室外消防给水可采用高压、临时高压或低压给水系统，如采用高压或临时高压给水系统，管道的压力应保证用水量达到最大且水枪在任何建筑物的最高处时，水枪的充实水柱仍不小于10m；如采取低压给水系统，管道的压力应保证灭火时最不利点消火栓的水压不小于10m水柱（从地面算起）。集成电路芯片厂洁净厂房的生产层及上下技术夹层（不含不通行的技术夹层），应设置室内消火栓。设置于洁净厂房内的室内消火栓宜设单独隔断阀门。自动喷水灭火系统集成电路芯片厂洁净厂房内的洁净区域区域应设置自动喷水灭火系统，设计宜按如下表所列参数进行：表8.5.1自动喷水灭火系统设计参数表设计区域设计喷水强度设计作用面积单个喷头保护面积喷头动作温度灭火作用时间洁净区域8.0L/min.m2280m213m257~7760min在洁净区的吊顶或技术夹层内均应设置自动喷水灭火系统，设计参数见表8.5.1。如果洁净区域的建筑构造材料为非可燃物且该区域内也无其它无可燃物的存在，该区域可以不设自动喷水灭火系统。在垂直层流的洁净区和洁净区域应使用快速响应喷头。洁净区吊顶下喷头宜采用不锈钢挠性接管与自动喷水灭火系统供水管道相连接。在易燃易爆的特气气瓶柜内应设置喷头。在SiH4配送区域应当设置直接作用于各个气瓶的水喷雾系统，该系统的动作信号应当来自感光探测器，且该感光探测器应与气瓶上的自动关断阀联动。在远离建筑物的区域设计的开放式配送系统且采取了有效措施减轻爆轰影响后，可以不设置水喷雾系统。排风管道的消防保护设置于厂房内，用于输送可燃气体且最大等效内径大于250mm的金属或其它非可燃材质的排风管道应在风管内设置喷头保护。所有可燃材质排风管当其最大等效内径大于250mm时，排风管内必须设置喷头保护；风管内自动喷水灭火系统的设计喷水强度不得小于1.9L/min.m2（单个喷头出水量/风管宽度x水平风管内喷头间距），风管内自动喷水灭火系统设计流量应满足最远端5个喷头的出水量（单个喷头实际出水量不小于76L/min），水平风管内喷头距离不得大于6.1m，垂直风管内喷头最大间距不得大于3.7m；为风管内喷头供水的干管上应设置独立的信号控制阀；设置喷头保护的排风管应设置有效的排水措施避免消防喷水蓄积；安装在腐蚀性气体风管内的喷头及管件应采取防腐蚀材质或衬涂合适的防腐材料；风管内喷头的安装应便于定期维护检修；如果排风支管的材质为可燃材料，应在排风设备的过渡管段或排风支管内设置喷头保护。易沉积可燃物质的排风支管，不管管道材质是否可燃，都应在风管内设置喷头保护。灭火器系统在洁净区内应设置灭火器系统。灭火剂选择时，应考虑配置场所的火灾类型，灭火剂的灭火能力，对保护对象污损程度，使用的环境温度以及灭火剂之间，灭火剂与可燃物的相容性。洁净区内宜选用二氧化碳灭火剂等不会对工艺设备和洁净区环境产生污染和腐蚀作用的灭火剂。在洁净区内的通道上宜设置推车式二氧化碳灭火器。

电气供配电芯片生产供电系统应确保全年24小时供电不间断。芯片厂房的用电负荷等级应为一级，其供电要求应根据芯片生产工艺及设备要求和现行国家标准《供配电系统设计规范》GB50052确定。芯片厂房低压配电电压等级应符合生产工艺设备用电要求。带电导体系统的型式宜采用单相二线制、三相三线制、三相四线制。系统接地型式宜采用TN-S或TN-C-S系统。芯片生产用主要工艺设备，应由专用变压器或专用低压馈电线路供电。对有特殊要求的生产设备，宜设置不间断电源（UPS）或备用发电装置等。在洁净区内宜设独立的检修电源。洁净区内的配电设备，应选择不易积尘、便于擦拭的小型、暗装设备，不宜设落地安装的配电设备。配电设备宜设在下技术夹层或灰区内，并在顶部设挡水措施。芯片厂房的电气管线宜敷设在技术夹层或技术夹道内。洁净生产区的电气管线宜暗敷，电气管线管口及安装于墙上的各种电器设备与墙体接缝处应有可靠的密封措施。芯片厂房内，可燃气体或液体的储存、分配用房间应按按现行国家标准《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》(GB50058)考虑防爆要求。照明芯片厂房洁净区的主要生产用房间一般照明的照度值宜为300～500lx；辅助工作室、人员净化和物料净化用室、气闸室、走廊等宜为200～300lx。对照度有特殊要求的芯片生产部位应设置局部照明，其照度值应根据生产操作的要求确定。芯片厂房备用照明的设置应符合下列规定：洁净区（区）内应设备用照明；备用照明宜作为正常照明的一部份，且不低于该场所一般照明照度值的20%；备用照明的电源宜由变电所专线供电。芯片厂房的光刻区必须采用黄色光源。接地芯片厂房生产设备的功能性接地一般应小于1，有特殊接地要求的设备，需按设备厂家要求的电阻值接地。功能性接地、保护性接地、电磁兼容性接地、建筑防雷接地宜采用共用接地系统。接地电阻值应按其中最小值确定，且不宜大于1。工艺生产设备的功能性接地与其它接地分开设置时，应设有防止雷电反击措施。分开设置的接地系统接地极应与共用接地系统接地极保持20m以上的间距。静电防护（电子工程防静电设计规范GB50611已从2月1日实施！！）芯片厂工艺设计时要考虑防静电环境参数要求，以抑制或减少静电的产生，并将已产生的静电迅速、安全、有效地耗散或泄放。芯片厂房应为一级防静电工作区，在一级防静电环境内静电电位绝对值应不大于100V。防静电工作区的地面和墙面、柱面应采用导静电型材料。导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对地电阻应为2.5×104~1×106Ω、摩擦起电电压应不大于100V、静电半衰期应不大于0.1s；防静电工作区室内不得选用短效型静电材料。芯片厂房防静电环境的门窗选择，应符合下列要求：应选用静电耗散材料制作门窗或用耗散型材料贴面；金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地；室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时，其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层。芯片厂房防静电环境的净化空调系统送风口和风管应选用导电材料制作，并应接地。芯片厂房防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材质时，应在其表面安装金属网，并将其接地。当使用导电性橡胶软管时，应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并用接地引线与其可靠接地。芯片厂房一级防静电工作区中，应根据生产工艺的需要设置静电消除器、防静电安全工作台。芯片厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗、吊顶的金属骨架应与接地系统作可靠连接；导静电地面、防静电活动地板、工作台面、座椅等应作防静电接地。9.4.10芯片厂房防静电接地设计其它要求应按照现行国家标准《电子工业防静电设计规范》GB50611的有关规定执行。通信与安全保护芯片厂房内应设通信设施，应符合下列要求：1．芯片厂内电话/数据布线应采用综合布线系统，综合布线系统的配线间或配线柜不应设置在布置有工艺设备的洁净区内。2．芯片厂应设置生产、办公及动力区之间联系的语音通信系统。3．根据管理及工艺的需要设置数据通信局域网，设置与因特网连接的接入网，芯片厂宜设置数据中心。芯片厂房应设置火灾自动报警系统，其防护对象的等级不应低于一级，火灾自动报警系统形式应采用控制中心报警系统。芯片厂应设有消防控制中心，消防控制中心位置不应设在洁净区（区）内且应满足国家标准《建筑设计防火规范》(GB50016)有关要求芯片厂内火灾探测器应采用智能型探测器；如房间内使用或存储易燃、易爆气体及有机溶剂，在以上场所封闭的房间内应设置火焰探测器。当芯片厂洁净区防火分区面积超过现行国家标准《建筑设计防火规范》(GB50016)规定或当在洁净区顶部安装探测器不能满足《火灾自动报警系统设计规范》（GB50116）要求时，在洁净区内净化空调系统混入新风前的回风气流中应设置高灵敏度早期报警火灾探测器。在洁净区空气处理设备的新风或循环风的回风口处宜设风管型火灾探测器。芯片厂应设置火灾自动报警及消防联动控制。控制设备的控制及显示功能，应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》(GB50016)及《电子工业洁净厂房设计规范》(GB50472)的规定。芯片厂房应设置气体泄漏报警装置，探测及控制设备的设置应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》(GB50016)及《特种气体系统工程技术规范》(GB50XXX)的规定。芯片厂房应设化学品液体泄漏报警装置，探测及控制设备的设置应符合现行国家标准《化学品XX系统工程技术规范》(GB50XXX)的规定。芯片厂房应设置广播系统，当广播系统兼事故应急广播系统时，应满足《火灾自动报警系统设计规范》(GB50116)有关规定。芯片厂工艺生产洁净区内应采用洁净室型扬声器。芯片厂内应设置闭路电视监控系统，监控摄像机宜采用彩色摄像机，闭路电视监控系统监控图像存储时间应不少于15天。芯片厂内宜设置门禁系统，所有进入洁净区的通道均设置通道控制，洁净区内门禁读卡器宜采用非接触型。电磁兼容凡有下列情况之一，应对集成电路生产相关工序的房间和测量、仪表计量房间，采取电磁屏蔽措施：在生产工序房间之外的四周环境，有比较高的电磁信号和电磁噪声电平场强，超过了生产设备和仪器所允许的环境电磁场强度值；生产试验设备产生的电磁泄漏，足以干扰相邻房间生产设备所允许的环境电磁场强度值；仪表计量房间的环境电磁场强度，超过了仪表计量精度所允许的环境电磁场强度值；有其它特殊要求的。环境电磁场场强，宜以实测值为设计依据。如缺少实测数据，可采用理论计算值，再加上6dB～8dB的环境电平值作为干扰场强。生产设备和仪器所允许的环境电磁场强度值，应以产品技术说明要求为依据。凡需要采取电磁屏蔽措施的生产工序房间，屏蔽结构的屏蔽效能，应该在工作频段内，有不小于10dB的余量。凡需要采取电磁屏蔽措施的生产工序，在满足生产操作的前提下和屏蔽结构体易于实现的情况下，宜直接对生产工序中的设备工作地环境进行屏蔽。凡需要采取电磁屏蔽措施的仪表计量房间，屏蔽结构的电磁屏蔽效能，应满足仪表计量精度的要求。并有不小于10dB的余量。屏蔽室的电磁屏蔽效能，可选择以下指标：简易屏蔽一般屏蔽高性能屏蔽特殊屏蔽10kHz~1GHz＜30dB30~60dB60~80dB≥80dB＞1GHz＜40dB40~80dB≥80dB≥100dB采取屏蔽措施，根据工程情况，有两种类方式可供选择：直接对生产设备工作地环境进行屏蔽，宜选择装配结构的商品屏蔽室；对生产工序间整体环境进行屏蔽，宜选择非标设计和施工安装的屏蔽体；仪表计量房间的电磁屏蔽，两种方式均可采用。非标设计和施工安装的屏蔽体，应包括采取以下综合屏蔽技术措施：壳体屏蔽层设计；室内、外之间所有连接的电源电缆、测试信号电缆、控制信号电缆、通信信号电缆、安全与监控信号电缆，均应在穿过屏蔽层的外表面一侧，加装滤波器和信号转接板；室内照明应采用低电磁噪声、低辐射的灯具；所有空调通风送、回风口，应采用截止波导型通风口；屏蔽层应有独立接地引下线，接入接地体；门、观察窗应采用屏蔽结构。屏蔽效果验收测量应按国标GB/T12190《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》进行。

工艺相关系统净化区一般规定影响芯片生产质量的环境因素及动力条件在工艺设计时需根据硅园片尺寸、光刻技术水平、工艺设备类型、硅片传输方式等综合因素制定参数指标。建成的工厂净化区应具备一定的生命周期，生产环境与动力条件的指标的确定要体现一定的先瞻性。人员净化、芯片厂房的人员净化程序的设置包括雨具存放、换鞋、更外衣、洗手、更全套洁净服、空气吹淋。、人员净化用室包括雨具存放、净鞋室、盥洗室、更外衣室、更洁净工作服室、空气吹淋室或气闸室等，人员净化用室的设置原则1)外衣存放柜应按洁净区内总的工作人数配置；2)更外衣和更洁净工作服室不应设置在同一房间内；3)应设置感应式洗手和烘干设施；、人员净化用室的空气净化要求1)人员净化用室的空气洁净度应由外至内逐步提高；2)洁净工作服更衣室的空气洁净度等级宜低于相邻洁净区的空气洁净度等级；3)当设有洁净工作服洗涤室时，其空气洁净度等级宜为7级。、空气吹淋室的设置原则1)空气吹淋室要设在洁净区的人员入口处。2)吹淋室应与更洁净工作服室相邻。3)单人空气吹淋室，应按最大班人数每30人设一台。洁净区工作人员超过5人时，空气吹淋室一侧应设单向旁通门。4)吹淋室的进、出门不得同时开启，应设连锁控制措施；生产环境的净化洁净度的要求1)芯片生产厂房内各洁净区的空气洁净度等级应根据芯片生产工艺要求和洁净区型式确定。2)芯片生产厂房不同生产区域的洁净度指标是由其具体的生产工艺技术及所使用的生产设备的性质决定的。3)洁净度等级应按现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的规定划分等级。4)洁净区设计时，空气洁净度等级所处状态（空态、静态、动态）应与业主协商确定、温度、相对湿度要求应根据不同的芯片生产工序不同，分别制定相应的温度、相对湿度指标。一般要求洁净区温度控制在220.5C222C，相对湿度控制在433%45物料净化、芯片厂房内的设备和物料出入口，应独立设置，并应根据设备和物料的特征、性质、形状等设置物料净化用室及相应物净设施。、物料净化用室与洁净区之间应设置气闸室或传递窗。净化空调系统的设置、有下列情况之一者，其净化空调系统宜分开设置：1)运行班次或使用时间不同；2)生产过程中散发的物质或气体或化学品对其他工序、设备交叉污染，对产品质量或操作人员健康、安全有影响；3)对温度、相对湿度控制要求差别大；4)洁净区内工艺设备发热相差悬殊；5)净化空调系统与一般空调系统；10.1.6洁净区内的新鲜空气量应取下列两项中的最大值：补偿室内排风量和保持室内正压值所需新鲜空气量之和。保证供给洁净区内每人每小时的新鲜空气量不小于40m310.1.7维持洁净区正压值所需的新鲜空气量，宜根据洁净区特点采用缝隙法或换气次数法确定。10.1.8洁净区与周围的空间应按照工艺要求，保持一定的正压值，并满足下列规定：不同等级的洁净区之间压差应大于或等于5Pa；不同等级的洁净区与非洁净区之间压差应大于或等于5Pa；洁净区与室外的压差应大于或等于5Pa.10.1.9气流流型的设计，应符合下列要求：气流流型应满足空气洁净度等级的要求；空气洁净度等级要求为1~5级时，应采用垂直单向流；空气洁净度等级要求5~9级时，宜采用非单向流。10.1.10洁净区的送风量，应取下列三项中的最大值：为保证空气洁净度等级的送风量。消除洁净区捏热、湿负荷所需的送风量；向洁净区内供给的新鲜空气量。10.1.11为保证空气洁净度等级的送风量应根据室内发尘量进行计算。10.1.12净化系统的型式应根据洁净厂房的规模、空气洁净度等级和产品生产工艺特点确定。10.1.13洁净区的送风方式可分为集中送风、风机过滤器机组(FFU)送风等。生产规模小且洁净区面积较小、洁净度等级较低的情形，可采用集中送风方式；生产规模较大、洁净区面积大、洁净度等级高的情形，宜采用风机过滤器机组(FFU)送风。10.1.13对于生产规模较大的洁净厂房，宜设置集中新风处理系统。集中新风处理系统送风机应采取变频措施。10.1.14净化空调系统设计应合理利用回风。10.1.15空气过滤器的选用和布置应符合下列要求：空气过滤器应根据空气洁净度等级合理选用；空气过滤器的处理风量应小于或等于额定风量；空调箱的末级过滤器(中效或高效过滤器)应集中安装在空调箱的正压段；末级高效过滤器宜设置在净化空调系统的末端；超高效空气过滤器应设置在净化空调系统的末端；同一净化空调系统内末端安装的高效过滤器的阻力、效率宜相近；同一净化空调系统内末端安装的高效过滤器的设计使用风量与额定风量的比值宜相近；对化学污染物(AMC)有控制要求的洁净区，在净化空调系统中应根据环境条件设置化学过滤器；安装在洁净厂房洁净区内的高效、超高效空气过滤器应采用不燃材料制作。高效、超高效过滤器安装后应现场检漏。10.1.16风机过滤器机组的设置应符合下列要求：应根据空气洁净度等级和送风量合理选用；应根据洁净区内生产工艺对气流组织组织要求合理布置；洁净区内机组的噪声叠加值和振动应满足生产工艺和规范要求；机组送风量应便于调节；机组结构和布置应便于安装、维护和过滤器更换。机组箱体应具有足够的强度，以满足检修要求。10.1.17干盘管的设置应符合下列要求：应根据生产工艺和洁净区布局确定合理的安装位置；应根据处理风量、室内冷负荷、风机过滤器特性确定干盘管迎风面速度和结构参数；应采取有效措施保证进入干盘管的冷冻水温度高于洁净区内空气露点温度；应设置检修排水设施。工艺排风洁净区的工艺排风系统设计，应符合下列要求：应防止室外气流倒灌；含有易燃、易爆物质的局部排风系统应按其物理化学性质采取相应防火防爆措施；工艺排风系统排出的有害气体，当其有害物质浓度超过排放标准时，应采取有效处理措施。排气管高度和排放速率应满足国家现行有关排放标准的规定；对含有水蒸汽或凝结物质的排风系统，应设置坡度及排放口；排风介质中含有剧毒物质时，应设置备用排风机和处理设备，并应设置应急电源；排风介质中含易燃、易爆等危险物质或工艺可靠性要求较高时，应设置备用排风机，并应设置应急电源；排除有爆炸危险的气体和粉尘的局部排风系统，其风量应按在正常运行和事故情况下，风管内爆炸危险的气体和粉尘的浓度不大于爆炸下限的10%计；排除有爆炸危险的气体和粉尘的局部排风系统，应设置消除静电的接地装置。洁净区事故排风系统的设计，应符合下列规定：事故排风区域的换气次数不应小于12次/小时；应设置自动和手动控制开关，手动控制开关应分别设置在洁净区和洁净区外便于操作的地点；应设置应急电源。使用有毒有害物质的房间排风量应满足最小通风量6次/小时。凡属下列情况之一时，应分别设置排风系统：两种或两种以上的气体有害物混合后能引起燃烧或爆炸时；混合后发生反应，形成危害性更大或腐蚀性的混合物、化合物时；混合后形成粉尘。集成电路厂房局部排风系统，应根据排风性质不同，分别设置独立的排风系统。集成电路厂房工艺排风系统应设备备用排风机，并设置不间断电源。当正常电力供应中断情况下，至少应保证工艺排风系统的排风量不小于正常排风量的50%。集成电路厂房工艺排风系统宜设置变频调节系统，以维持工艺设备对排风压力的要求。工艺排风系统不得使用建筑构件作为通风管路的组成部分。正压排风管道不得在布置在洁净区内。工艺排风管道上不应安装防火阀。工艺排风管道不应穿越防火分区的防火墙。工艺排风管道穿越有耐火时限要求的建筑构件处，紧邻建筑构件的风管管道应采用与建筑构件耐火时限相同的防火构造进行封闭或保护，每侧长度应不小于2米或风管直径的两倍，并以其中较大者为准。工艺排风管道应为不燃材料。如采用可燃材料制作工艺排风管道，应在该工艺排风管道内安装自动喷水喷头。工艺排风系统管道及设备应设置防静电接地装置。火灾报警系统不应与工艺排风系统连锁自动关闭排风机。集成电路工厂的洁净区的工艺排风系统不宜兼做排烟系统使用。纯水系统集成电路芯片工厂纯水系统设计应符合下列规定：集成电路芯片工厂纯水系统设计应根据主体工程建设规划、生产特点等综合考虑，并经技术经济比较，择优确定设计方案。当主体工程为分期建设时，纯水系统应按最终容量（规模）统一规划、分期实施。集成电路芯片工厂纯水系统应根据生产工艺要求，合理确定纯水制备系统的规模、供水水质。集成电路芯片工厂纯水系统制水流程的确定应根据纯水供水水质的要求，综合考虑系统规模、原水的来源及水质、节水节能及环保要求、工厂运行管理水平等因素，经技术经济比较确定。纯水回收和节水设施宜与纯水系统统筹规划，同时设计、同时施工、同时投运。纯水的制备、储存和输送（输送是管材？）设备应满足所需水量和水质外，并应符合下列规定：纯水的制备、储存和输送设备的配置应确保系统运行安全可靠、技术先进、经济适用、便于操作维护等要求。纯水的制备、储存和输送设备的材料的选择应与其接触的水质相适应，设备表面应光洁、平整、化学性质稳定、耐腐蚀、易清洗。纯水系统应采用循环供水方式。纯水输配系统应根据水质、水量、用水点数量、管道材质以及使用点对水压稳定性的要求，选择采用单管式循环供水系统、直接回水的循环供水系统或逆向回水的循环供水系统，并应符合下列规定：纯水输配系统的附加循环水量应大于系统设计耗用水量的25%；纯水管道流速的选择应有效防止水质降低和微生物的滋生，对应管径和流速下的雷诺数不宜小于5000；纯水输配管路系统中应根据系统运行维护的需要设置必要的采样口；用于纯水系统的水质检测设备及仪表，其安装不应使纯水水质降低，其检测范围和精度应符合纯水生产和检验的要求。纯水精处理或终端处理装置宜靠近主要用水生产设备设置。纯水系统管道材质的选用，应符合下列要求：应满足纯水水质指标的要求；材料的化学稳定性应好；管道内壁光洁度应好；不得有渗气现象。纯水管道的阀门和附件的选用应符合下列规定：应选择与管道相同的材质；应选用密封好、结构合理、无渗气现象的阀门；废水一般规定集成电路芯片工厂生产废水处理系统及药剂的选择应根据废水水量、水质、项目所在地废水排放要求、工厂运行管理水平以及当地药剂的来源，经技术经济比较确定。集成电路芯片工厂生产废水处理系统设计应根据主体工程建设规划、生产特点等综合考虑。当主体工程为分期建设时，纯水系统应按最终容量（规模）统一规划、分期实施。集成电路芯片工厂生产废水处理系统设计参数的选用应该通过试验确定，当缺乏试验资料时也可类比参照同类工厂的相应处理系统进行设计。集成电路芯片工厂生产废水应根据水质、水量和废水处理系统的设置分类收集。生产废水处理设备或构筑物的设计或选用，其设计参数应满足工艺流程对该设备或构筑物处理效果的要求。连续处理的生产废水系统应设置调节池，调节池的大小应该根据废水水量及水质变化规律确定。生产废水处理系统应设置应急废水收集池，以收集、暂存无法及时处理或处理后无法满足排放标准的废水。废水处理系统的设备及构筑物应设置必要的放空设施。生产废水系统污泥脱水设备的选择，应根据污泥脱水性能和脱水要求，经技术经济比较确定。沉淀池所排出的污泥在进行机械脱水前宜先进行浓缩，污泥进入脱水设备前的含水率不宜大于98%。污泥脱水间的的布置应考虑脱水后泥饼的贮存或堆放的容积或面积，并应根据外运条件考虑必要的运输设施和通道。废水处理系统的设备及构筑物应根据所接触的水质采取经济合理的防腐措施。废水处理应遵循节水优先、分质处理、优先回用的原则。用后纯水回收设计应与电子产品生产工艺设计密切配合，并应根据工程实际情况、回收水质、水量，结合当前的技术、经济条件等综合考虑，合理确定回收率。工艺废水的回用率不宜低于50%。回收水处理系统流程的拟定和设备的选择，应根据工程的具体情况、回收水水质、水量以及处理后的用途等因素综合考虑确定。当不能取得回收水水质资料时，可参照已建同类工程经验或科学实验确定。工艺循环冷却水工艺循环冷却水系统的水温、水压及水质要求应根据生产工艺条件确定。对于水温、水压、运行等要求差别较大的设备，工艺循环冷却水系统宜分开设置。工艺循环冷却水系统的循环水泵宜采用变频调速控制，应设置备用泵，备用泵供水能力不应小于最大一台运行水泵的供水能力。工艺循环冷却水系统应设置过滤器，过滤器宜设考虑备用。过滤器的过滤精度根据工艺设备对水质的要求确定。工艺冷却水系统的换热设备宜设置备用机组。工艺循环冷却水系统的管路应符合下列规定：配水管路应满足水力平衡的要求；应设置必要的泄水阀（泄水口）、排气阀（或排气口）和排污口；工艺冷却水管道的材质，应根据生产工艺的水质要求，宜采用不锈钢管、给水UPVC管或PP管，管道附件与阀门宜采用与管道相同的材质；非保温的不锈钢管与碳钢支吊架之间的隔垫应采用绝缘材料，保温不锈钢管应采用带绝热块的保温专用管卡。工艺循环冷却水系统应结合工艺用水设备、工艺循环冷却水系统的设备及管路、冷却水水质情况，合理设置水质稳定处理装置。大宗气体系统大宗气体供应系统宜在工厂内或邻近处设置制气装置或采用外购液态气储罐或瓶装气体。氢气、氧气管道的终端或最高点应设置放散管。氢气放散管口应设置阻火器。气体纯化装置的设置，应符合下列要求：气体纯化装置应根据气源和产品生产工艺对气体纯度、容许杂质含量要求选择；各类气体纯化装置宜设置在同一气体纯化间（站）内（与第4）矛盾）。若有特殊要求时，也可根据具体要求分别设置在各自的气体纯化间内；氢气纯化器应设置在独立的房间内。气体终端纯化装置宜设置在邻近用气点处。进入洁净厂房的气体管道入口控制总阀、气体过滤器、调压装置、压力表、流量计、在线分析仪等，宜集中设置在气体入口室。洁净厂房内的氧气管道等，应采取下列安全技术措施：管道及阀门附件应经严格的脱脂处理；应设置导除静电的接地设施；氧气引入管道上应设置自动切断阀。气体管道和阀门应根据产品生产工艺要求选择，宜符合下列规定：气体纯度大于或等于99.999999%时，应采用内壁电抛光的低碳不锈钢管，阀门应采用隔膜阀；气