MOSFET动态参数原理与测试(寄生电容)

MOSFET動態參數介紹及其測試MOSFET動態參數介紹及其測試動態參數介紹動態參數測試寄生電容MOSFET兩種常見的結構N溝道增強型MOSFETN溝道增強型MOSFET對共源級電路來說，Ciss：輸入電容。Ciss=CGD+CGS

Coss：輸出電容。Coss=CDS+CGDCrss：反向傳輸電容。Crss=CGD

輸入電容：Cgs（g、s兩端的寄生電容）和Cgd共同稱為MOS的輸入電容。密勒電容：在共源組態中，柵極與漏極之間的覆蓋電容Cdg兩個相鄰的金屬導體和他們之間的絕緣層材料之間就構成一個簡單的電容—寄生電容。寄生電容MOSFET的開關速度受到輸入電容、密勒電容的影響。密勒平臺：在導通之前，驅動電流對Cgs和Cgd充電。達到開啟電壓開始導通後，Vds電壓下降，所以Cgd開始放電，故此時需較大的驅動電流要對Cgd充電，這會導致驅動電壓波形出現一個短暫的平臺。MOS的驅動其實就是驅動電流為輸入電容充電，充電直到Vgs到達Vth（啟動電壓）之後，Mos就導通。寄生電容MOS三個電極間的寄生電容Cgd,Cgs,Cds，在開關電源的應用中影響著開關損耗，驅動損耗，開關速度。1.開關損耗

MOSFET在完全導通與開路狀態時幾乎不消耗能量P=V*I，

MOSFETturnon時，Vds~0->Vds*Id~0MOSFETturnoff時，Id~0->Vds*Id~0只有在ON與OFF間才有很大的能量損耗，因此減少能量消耗的方式為縮短上升與下降時間。6寄生電容2.驅動損耗

MOSFET需要在Gate加電壓才能導通。從Gate端看進去有一等效的輸入電容Ciss。Gate加電壓等效對此電容充電，在MOSFET要OFF時等效對此電容放電。交換式電源不斷的ON-OFF使Gate端不斷的充放電造成的損耗稱為驅動損耗。

3.開關延遲

為了“灌滿”寄生電容需要時間，就會產生上升沿變緩。對於MOSFET的柵極驅動波形中如果出現比較明顯的密勒平臺，將會嚴重影響開關速度。寄生電容Qg：柵極總充電電量。MOSFET是電壓型驅動器件，驅動的過程就是柵極電壓的建立過程，這是通過對柵源及柵漏之間的電容充電來實現的。Qgs：柵源充電電量。Qgd：柵漏充電電量。Qg=QGS(t1,t2)+

QGD+

QGS(t4)柵極電荷開關時間Td(on)：導通延遲時間。從有輸入電壓上升到10%開始到VDS（Vout）下降到其幅值90%的時間(如下圖示)。Tr：上升時間。輸出電壓VDS（Vout）從90%下降到其幅值10%的時間。Td(off)：關斷延遲時間。輸入電壓下降到90%開始到VDS（Vout）上升到其關斷電壓時10%的時間。Tf：下降時間。輸出電壓VDS（Vout）從10%上升到其幅值90%的時間，參照下圖所示。gm：跨導(單位：S)

gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。在轉移特性曲線上，gm為的曲線的斜率；在輸出特性曲線上也可求出gm

。跨導MOSFET動態參數介紹及其測試動態參數介紹動態參數測試跨導測試UGS=-200mV*8-44mV=-1644mVID=-10.60AUDS=-4.58VUGS=-200mV*8-56mV=-1656mVID=-11.12AUDS=-4.49VMOSFETFDS6576gm典型值為：50S測試條件：UDS=-4.5V，ID=-11A跨導測試寄生電容測試安捷倫LCR測試儀4284ALCR測試儀能準確並穩定地測定各種各樣的元件參數，主要是用來測試電感、電容、電阻的測試