先进封装中的多层互连技术

19/25先进封装中的多层互连技术第一部分多层互连技术概述 2第二部分通孔技术 4第三部分埋入通孔技术 6第四部分异质集成技术 9第五部分3D集成技术 12第六部分铜柱互连技术 14第七部分硅通孔技术 16第八部分无铅共晶焊料应用 19

第一部分多层互连技术概述多层互连技术概述

多层互连（MLI）技术是一种先进的电子封装技术，它通过在多个导电层上制作互连来实现高密度和高性能封装。MLI技术可用于各种应用，包括高性能计算、移动设备和汽车电子。

MLI技术的类型

MLI技术有多种类型，包括：

*层压板（Lamination）：将多层导电层叠合在一起，并通过粘合剂或热压进行连接。

*光刻（Lithography）：使用光刻工艺定义多层导电层的图案。

*电镀（Electroplating）：使用电镀工艺沉积金属层来形成互连。

*填充导电孔（FilledConductiveVias）：使用导电材料填充通孔以形成垂直互连。

MLI技术的优势

MLI技术提供了许多优势，包括：

*高密度互连：MLI技术可用于创建具有高密度互连的封装，从而允许在较小的封装体积内实现更多功能。

*低电感和电阻：多层互连的短路径和宽导线宽度有助于减少电感和电阻，从而提高信号完整性。

*可扩展性：MLI技术可用于创建具有不同层数和互连密度的封装，以满足各种应用需求。

*工艺兼容性：MLI技术与其他先进封装工艺，如扇出型封装（FO）和硅通孔（TSV）兼容，这允许开发复杂的高性能封装。

MLI技术的应用

MLI技术已用于各种应用中，包括：

*高性能计算（HPC）：MLI技术用于创建具有高互连密度和低电感的高性能计算芯片封装。

*移动设备：MLI技术用于创建紧凑且高性能的移动设备封装，例如智能手机和平板电脑。

*汽车电子：MLI技术用于创建能够承受恶劣环境条件的高可靠性汽车电子封装。

MLI技术的趋势

MLI技术正在不断发展，以满足不断变化的电子行业需求。一些当前趋势包括：

*更高互连密度：开发具有更高互连密度的MLI技术，以实现更高的封装性能。

*更低功耗：研究关注开发具有更低功耗的MLI技术，以延长电池寿命和降低系统功耗。

*新材料：探索新的导电材料和介电材料，以提高MLI技术的性能和可靠性。

*先进工艺：采用先进工艺，如激光微加工和3D打印，以创建更复杂和高性能的MLI封装。

结论

多层互连技术是先进封装中一项关键技术，它提供了高密度互连、低电感和电阻以及可扩展性。MLI技术已成功用于各种应用中，并且随着新材料和工艺的开发，它有望在未来几年继续增长和创新。第二部分通孔技术通孔技术

通孔技术是一种关键性的多层互连技术，用于建立垂直互连，在多层封装中连接不同层之间的导电路径。

类型

通孔技术主要分为以下类型：

*穿透孔（PTH）：贯穿整个基板厚度的通孔，提供高密度互连和低电阻路径。

*盲孔（BVH）：仅延伸到基板表面以下一定深度的通孔，用于连接相邻层。

*埋孔（BGH）：完全位于基板内部的通孔，用于连接内部层。

工艺流程

通孔工艺流程通常包括以下步骤：

1.钻孔：使用激光或机械钻头在基板上钻出通孔。

2.电镀：在通孔内电镀一层铜或其他导电金属，形成导电路径。

3.填孔：使用聚合物或陶瓷材料填充通孔，以提供绝缘和支撑。

4.电镀过孔：在填孔材料上电镀一层金属，以创建通孔的电连接。

5.开孔：去除填孔材料，露出通孔。

材料

用于通孔的材料包括：

*通孔壁材料：通常为铜、镍或金。

*填充材料：常见的有环氧树脂、聚酰亚胺和陶瓷。

*过孔材料：通常为铜或锡铅合金。

特性

通孔技术的优势包括：

*高互连密度：允许在较小的面积上实现大量互连。

*低电阻：提供低阻抗路径，减少信号损耗。

*高可靠性：通过使用可靠的材料和工艺确保长期可靠性。

*设计灵活性：允许在不同层之间创建复杂的互连模式。

通孔技术的缺点包括：

*工艺复杂：需要多个制造步骤，可能导致高成本和较长的生产时间。

*尺寸限制：通孔尺寸受钻孔技术和填充材料的限制。

*应力集中：通孔周围可能产生应力集中，影响可靠性。

应用

通孔技术广泛应用于各种多层封装，包括：

*印刷电路板（PCB）

*积体电路（IC）

*封装基板（SiP）

*球栅阵列（BGA）

*薄膜模块（MCM）

趋势

先进封装中的通孔技术正在朝着以下趋势发展：

*微型化：减小通孔尺寸以实现更高的互连密度。

*高纵横比（HASR）通孔：具有高深宽比的通孔，以支持更深层的互连。

*异形通孔：使用非圆形的通孔形状，以优化电气性能。

*先进材料：采用低介电常数材料和导电聚合物，以提高性能和减少损耗。第三部分埋入通孔技术关键词关键要点埋入通孔技术概述

1.埋入通孔技术（EVT）是一种将导电通孔埋入集成电路（IC）衬底内部的技术，以形成芯片和封装基板之间的垂直互连。

2.EVT通过使用高深宽比的ILD介质层和高温稳定金属层来实现，允许在小面积内实现大量互连。

3.EVT可用于创建三维互连结构，减小封装尺寸，提高互连密度，并改善信号完整性。

EVT工艺流程

1.EVT工艺流程涉及以下步骤：形成掩模，刻蚀衬底，沉积ILD介质，刻蚀和成型通孔，沉积金属层。

2.关键的工艺参数包括刻蚀深度、ILD厚度和金属层组成，这些参数可影响互连的电气特性和可靠性。

3.EVT工艺的微米级和纳米级尺寸需要先进的工艺控制和计量技术。

EVT在先进封装中的应用

1.EVT在先进封装中用于实现高密度互连和三维堆叠，包括硅通孔（TSV）和扇出型封装。

2.TSV-EVT结合了EVT和TSV技术，提供从芯片到封装基板的低电阻和高带宽路径。

3.扇出型EVT允许将多颗芯片集成到单个封装中，并通过EVT实现芯片与封装基板之间的互连。

EVT面临的挑战

1.EVT面临的挑战包括高深宽比刻蚀、大尺寸晶圆处理和低缺陷率。

2.ILD介质的电气特性和可靠性至关重要，需要优化材料和工艺。

3.热预算和金属层选择对于确保EVT互连的可靠性非常重要。

EVT的发展趋势

1.EVT的发展趋势包括纳米尺度互连、宽带和高速互连。

2.新型材料和工艺正在探索，以提高EVT互连的性能和可靠性。

3.EVT与其他先进封装技术的集成，如异构集成和晶圆级封装，正在推动封装创新的发展。

EVT在半导体产业的影响

1.EVT是先进封装的关键技术，促进了半导体行业的微型化、集成化和性能提升。

2.EVT使高密度和高性能的电子设备成为可能，推动了物联网、人工智能和移动计算的发展。

3.EVT技术的发展为半导体产业带来了新的机遇和挑战，并将继续在先进封装领域发挥重要作用。埋入通孔技术

埋入通孔技术（ETV）是一种先进封装技术，通过在芯片基板上钻孔并填充导电材料，在多层互连中创建垂直互连。ETV可显著提高器件密度和电气性能，并减少封装尺寸和成本。

原理

ETV工艺包括以下步骤：

*钻孔：在基板上钻出盲孔或通孔，形成导电材料通路的路径。

*镀铜：在孔壁上电镀铜层，形成互连导体。

*填充：使用环氧树脂或其他绝缘材料填充孔隙，提供结构和电气绝缘。

*研磨：将基板表面研磨平整，露出埋入通孔。

优点

ETV技术具有以下优点：

*高密度：允许在多层互连中实现高密度垂直互连，增加器件密度。

*低电阻：导电通孔的低电阻降低了寄生电阻，提高了电气性能。

*低电感：埋入通孔的结构减少了电感，从而提高了高速信号传输的性能。

*减小尺寸：消除了传统的通孔引线键合，从而减小了封装尺寸和成本。

应用

ETV技术广泛应用于各种先进封装中，包括：

*多芯片模块（MCM）：堆叠多个芯片以创建高性能系统。

*晶圆级封装（WLP）：直接在晶圆上封装芯片，实现超小尺寸。

*倒装芯片（FC）：将芯片正面朝下安装在基板上，缩短互连路径。

*扇出封装（FO）：使用类似于印刷电路板（PCB）的基板将芯片连接起来。

关键技术挑战

ETV技术的关键技术挑战包括：

*钻孔精度：钻孔的精度至关重要，以避免损坏基板或互连。

*镀铜质量：均匀的镀铜层是可靠互连的关键。

*绝缘填充：填充材料必须提供足够的绝缘和结构支撑。

*工艺复杂性：ETV工艺是复杂而耗时的，需要先进的设备和工艺控制。

发展趋势

ETV技术正在不断发展，以满足不断增长的对更高密度、更高性能和更小尺寸封装的需求。一些新兴趋势包括：

*微通孔ETV：使用较小的孔径以实现更高的密度。

*异质集成ETV：将不同材料的芯片垂直互连。

*多层ETV：创建具有多个互连层的堆叠结构。第四部分异质集成技术关键词关键要点【异质集成技术】

1.异质集成技术是将不同材料、不同制造工艺的器件集成在同一个封装或芯片中的技术，突破了传统单一材料和工艺的限制。

2.通过异质集成，可以实现多种功能的集成，如逻辑、存储、传感器、射频等，提高系统性能，降低成本。

3.异质集成面临的主要挑战之一是不同材料和工艺之间的兼容性问题，需要开发新的连接和封装技术。

【超薄晶圆级封装】

异质集成技术

异质集成技术是指将不同功能、尺寸和材料的组件集成到单个封装中，以实现更高水平的系统性能和功能。在先进封装中，异质集成技术发挥着至关重要的作用，通过创建多层互连结构，实现不同器件之间的无缝连接。

异质集成技术的优势

*提升系统性能：异质集成消除了传统封装中的器件间连接瓶颈，缩短了互连长度并降低了电阻和电容。这提高了信号完整性、功耗和系统性能。

*扩展功能：异质集成使不同的器件和技术集成到一个封装中成为可能，开发出具有前所未有功能的新设备。例如，通过将传感器与处理芯片集成，可以实现先进的传感和物联网应用。

*缩小尺寸：异质集成允许将多个器件集成到紧凑的封装中，这缩小了设备的整体尺寸和重量。对于空间受限的应用，如可穿戴设备和植入物，这是至关重要的。

*提高可靠性：异质集成通过消除传统封装中的引线键合和焊料连接，降低了故障点。这提高了封装的整体可靠性和使用寿命。

异质集成技术的挑战

*材料不兼容性：不同器件的材料可能有不同的热膨胀系数、电导率和化学性质。在异质集成中，必须解决这些不兼容性，以确保可靠和持久的连接。

*工艺复杂性：异质集成需要先进的工艺技术和材料，例如三维堆叠、硅通孔和铜柱互连。这些工艺的复杂性增加了制造成本和良率挑战。

*热管理：异质集成封装中的高功率密度会产生大量热量。需要有效的热管理策略来防止器件过热并确保可靠的操作。

*测试和验证：异质集成封装的测试和验证是一项复杂的任务，涉及不同器件和接口的全面表征。为了确保封装的可靠性和性能，需要开发新的测试和验证方法。

异质集成技术的应用

异质集成技术在多个领域有着广泛的应用，包括：

*高性能计算：通过将不同类型的处理器、存储器和互连芯片集成，异质集成实现了超高性能计算系统的开发。

*物联网：异质集成使传感器、处理器和通信模块集成到一个紧凑的封装中成为可能，从而为物联网设备提供了低功耗、高性能和小型化。

*汽车电子：异质集成支持高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶汽车的开发，将传感器、执行器和处理芯片无缝集成。

*医疗保健：通过集成生物传感器、微流体设备和处理芯片，异质集成为可植入医疗设备和诊断设备提供了新的可能性。

异质集成技术的未来发展

异质集成技术正在不断发展，研究焦点主要集中在以下领域：

*新的材料和工艺：探索新的材料和工艺，以提高材料兼容性、降低工艺复杂性并提高封装的可靠性。

*先进的互连技术：开发新型互连技术，例如高密度互连和垂直互连，以实现更高带宽和更低延迟。

*设计和优化方法：开发新的设计和优化方法，以解决异质集成中固有的热、可靠性和测试挑战。

*应用扩展：探索异质集成技术的更多应用，例如可再生的能源、航空航天和军事。

异质集成技术是先进封装领域的一项变革性技术，它为实现高性能、低功耗和紧凑的电子系统创造了新的可能性。持续的研究和发展将推动异质集成技术的发展，使其在未来设备和应用中发挥更加重要的作用。第五部分3D集成技术3D集成技术

技术概述

3D集成技术是一种先进封装技术，它在垂直方向上堆叠多个芯片层，实现更高密度和性能。它通过使用通孔（TSV）将芯片层垂直互连，允许跨层的信号和电源传输。

3D集成方法

有两种主要的3D集成方法：

*晶圆级堆叠(WLP)：在此方法中，各个芯片层在晶圆级上加工和堆叠。

*芯片级堆叠(CLP)：在此方法中，预制的芯片使用通孔和其他互连技术堆叠在一起。

3D集成的优势

*更高密度：3D集成允许在更小的空间内堆叠多个芯片层，从而实现更高的集成密度。

*改进性能：通过减少芯片层之间的互连距离，3D集成可以提高信号传输速度和减少功耗。

*功能增强：3D集成允许组合不同类型的芯片，例如逻辑、存储和传感器，以创建更复杂的功能系统。

*异构集成：3D集成可以实现不同技术的异构集成，例如CMOS、MEMS和光子学。

TSV技术

TSV是用于在3D集成中垂直互连芯片层的关键技术。TSV是穿透芯片硅层的导电通孔，允许跨层传输信号和电源。

TSV的关键参数包括：

*直径：TSV通常有5-20微米的直径。

*纵横比：TSV的纵横比（高度/直径）通常为1:1至10:1。

*间距：TSV的间距根据工艺和设计规则而异。

应用

3D集成技术已广泛应用于各种领域，包括：

*高性能计算：用于超级计算机和其他高性能计算系统。

*移动设备：用于智能手机和平板电脑，以实现更高的集成度和性能。

*物联网(IoT)：用于小型化且功耗低的IoT设备。

*医疗设备：用于植入式设备和医疗成像系统。

未来趋势

3D集成技术预计将持续发展，以满足对更高密度、性能和功能的需求。未来趋势包括：

*改进的TSV技术：TSV尺寸的减小、纵横比的增加和电阻的降低。

*新的互连材料：使用铜替代硅通孔，以获得更高的导电率。

*异构集成：不同技术和材料的进一步集成。

*先进封装技术：与3D集成相结合的先进封装技术，例如硅通孔(TSV)和异构集成。第六部分铜柱互连技术关键词关键要点【铜柱互连技术】：

1.铜柱作为垂直互连通孔，可实现多层PCB或3DIC之间的电连接，减小了封装尺寸和布线延迟。

2.铜柱通过化学沉积或电镀工艺形成，具有高的导电性和低电阻，能满足高带宽和低功耗的要求。

3.铜柱互连技术在5G、人工智能和高性能计算等领域具有广泛应用，支持高速数据传输和提高系统性能。

【铜柱的优点】：

铜柱互连技术

在先进封装中，铜柱互连技术是一种重要的多层互连技术，用于在集成电路（IC）的不同层之间建立电气连接。它克服了传统互连方法（如线键合）的局限性，提供了更高的互连密度、更低的电阻和电感，以及更好的可靠性。

原理

铜柱互连技术涉及在IC的不同层之间沉积一层铜。首先，在衬底或先前图案化的层上形成致密通孔（Vias）。然后，通过电沉积过程在孔中沉积铜。沉积过程受控，以在孔内形成连续的铜柱，将不同的层连接起来。

优点

铜柱互连技术提供了多种优点，包括：

*高互连密度：铜柱的直径可以缩小到几微米，这允许在有限的空间内实现更高的互连密度。

*低电阻和电感：铜具有较低的电阻率和电感率，这有助于减少信号延迟和功耗。

*改进的可靠性：铜柱形成坚固且可靠的连接，可以承受热循环和振动应力。

*高可制造性：电沉积过程高度可控，确保了铜柱的均匀性和一致性。

工艺步骤

铜柱互连技术的工艺步骤包括：

*通孔制作：在衬底或先前图案化的层上形成通孔。

*表面活化：通孔表面进行活化，以促进铜沉积。

*电沉积：通过电沉积过程在通孔中沉积铜。

*电镀：在沉积的铜层上电镀一层电阻较低且耐腐蚀的金属（如镍）。

*CMP：化学机械抛光（CMP）用于平整铜柱表面并去除任何多余的材料。

*通孔填充：通孔使用绝缘材料填充，以提供电气隔离。

应用

铜柱互连技术广泛应用于各种先进封装技术中，包括：

*倒装芯片封装（FCBGA）：铜柱用于将倒装芯片连接到基板。

*硅通孔（TSV）：铜柱用于在硅晶圆的不同层之间建立垂直互连。

*3D集成电路(3DIC)：铜柱用于堆叠多个硅晶圆，创建3DIC结构。

趋势

铜柱互连技术正在不断发展，以满足不断增长的IC互连需求。未来的趋势包括：

*更小直径的铜柱：铜柱直径不断缩小，实现更高的互连密度。

*新材料：正在探索使用铜合金和其他导电材料来提高铜柱的性能。

*多步电沉积：多步电沉积技术用于沉积不同特性的铜层，以优化互连性能。

*异构集成：铜柱互连技术与其他互连技术相结合，实现异构IC集成。

结论

铜柱互连技术是先进封装中的关键技术，提供了高互连密度、低电阻和电感，以及改进的可靠性。随着IC互连需求的不断增加，铜柱互连技术将在未来继续发挥重要作用。第七部分硅通孔技术关键词关键要点硅通孔（TSV）技术

1.TSV是一种在硅晶圆中创建垂直导电通孔的技术，它允许在晶圆的每一层之间进行电气连接。

2.TSV通过减少信号路径长度和电阻，改善了芯片性能和功率效率。

TSV的结构和材料

1.TSV通常由铜制成，并使用诸如钨或氮化钛等阻挡层衬里。

2.TSV的直径通常为几微米，纵横比（高度与直径之比）可从1:1到20:1不等。

TSV的制造工艺

1.TSV制造过程涉及蚀刻、沉积、电镀和互连等步骤。

2.最常见的TSV制造工艺包括深反应离子刻蚀(DRIE)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积(ECD)。

TSV的电学特性

1.TSV的电阻和电容会影响芯片的性能。

2.TSV的电阻取决于材料、尺寸和制造工艺。

3.TSV的电容取决于绝缘层的厚度和材料。

TSV的应用

1.TSV广泛应用于高性能计算、移动设备和汽车电子等领域。

2.TSV使3D集成和异构集成成为可能，从而提高了芯片的功能和性能。

TSV的未来趋势

1.TSV技术的不断发展将推动芯片的进一步小型化和集成。

2.TSV与其他先进封装技术相结合，如异构集成和晶圆级封装，将创造新的可能性。硅通孔技术(TSV)

硅通孔技术（TSV）是一种先进的封装技术，允许在硅基板上创建垂直互连。TSV提供了以下优点：

*更高的互连密度：TSV可以以高密度穿透硅片，从而允许创建具有更多互连的更紧凑的封装。

*更低电阻：与导线键合相比，TSV具有更低的电阻，从而减少了电阻损耗。

*更低寄生效应：TSV具有较低的寄生电感和电容，从而提高了信号完整性和性能。

*三维集成：TSV允许器件在垂直方向上进行集成，从而创建三维封装。

TSV工艺

TSV制造涉及以下步骤：

*刻蚀：在硅片中刻蚀穿孔。

*金属化：通过电镀或CVD在穿孔中沉积金属层。

*填充：使用电介质材料（如二氧化硅或氮化硅）填充孔。

*抛光：将填充的孔研磨至与硅表面齐平。

TSV材料

用于TSV的常见材料包括：

*铜：低电阻和高可靠性。

*钨：高硬度和耐热性。

*二氧化硅：用于电介质填充。

TSV尺寸

TSV的尺寸通常为：

*直径：5-20微米

*纵横比：1:1至10:1

*间距：50-200微米

TSV应用

TSV在以下应用中得到广泛应用：

*3D集成电路(IC)：在IC中创建垂直互连，实现更高的性能和更紧凑的封装。

*存储器：在DRAM和NAND闪存中实现高带宽和低延迟。

*光电子：在光电芯片中创建电气和光学互连。

*射频：在射频模块中实现高频互连。

*传感器：在传感器中创建从硅片到封装外部的电气互连。

TSV优点

*提高互连密度

*降低电阻

*降低寄生效应

*实现三维集成

TSV挑战

*制造工艺复杂

*TSV填充和可靠性问题

*成本较高

TSV前景

随着对先进封装的需求不断增长，TSV技术预计将在未来几年继续发展。正在研究的TSV创新领域包括：

*新的TSV材料：探索具有更高导电性、耐热性和可靠性的材料。

*更高密度的TSV：开发用于实现更高互连密度的技术。

*3DTSV集成：开发用于创建复杂3D堆叠结构的技术。第八部分无铅共晶焊料应用无铅共晶焊料应用

无铅共晶焊料是电子封装领域的一项关键技术，它在先进封装中的多层互连技术中扮演着至关重要的角色。

无铅焊料的组成

传统的共晶焊料主要由63%的Sn和37%的Pb组成，具有良好的润湿性、强度和导电性。然而，由于铅的毒性，电子行业正在转向无铅共晶焊料。

无铅共晶焊料通常由Sn-Ag-Cu合金制成，其中添加了少量其他元素（例如Bi、In、Ge）以改善其性能。最常见的无铅共晶焊料合金是SAC305（96.5%Sn、3%Ag、0.5%Cu）、SAC405（95.5%Sn、4%Ag、0.5%Cu）和SAC105（99%Sn、0.7%Cu、0.3%Ag）。

无铅焊料的优点

无铅共晶焊料具有以下优点：

*环境友好：不含铅，符合RoHS指令和WEEE法规。

*较高的熔点：比传统共晶焊料具有更高的熔点（217-219°Cvs.183°C），提高了耐热性。

*良好的润湿性：提供良好的润湿性和毛细管流动性，确保良好的互连。

无铅焊料的缺点

与传统共晶焊料相比，无铅共晶焊料也有一些缺点：

*较高的成本：由于银和铜的添加，无铅共晶焊料的成本高于传统共晶焊料。

*更低的强度：无铅共晶焊料具有较低的强度，这可能是由于Ag3Sn相的形成。

*更长的时间到峰值熔点：无铅共晶焊料的时间到峰值熔点比传统共晶焊料更长，这使得回流焊接过程更具挑战性。

无铅焊料在多层互连技术中的应用

无铅共晶焊料广泛应用于先进封装中的多层互连技术，包括：

*球栅阵列（BGA）：BGA是一种表面贴装组件，使用无铅共晶焊料球连接到印刷电路板（PCB）。

*芯片球网格阵列（CSP）：CSP是一种无引线封装，使用无铅共晶焊料球连接到PCB。

*倒装芯片（FC）：FC是一种封装，将裸芯片直接翻转粘合到PCB上，然后使用无铅共晶焊料球连接到PCB上的焊盘。

*多芯片模块（MCM）：MCM是一种封装，将多个裸芯片互连在一个基板上，然后使用无铅共晶焊料球连接到PCB。

结论

无铅共晶焊料是先进封装中多层互连技术不可或缺的材料。它提供了环境友好、耐热性和润湿性等优点，但也有成本较高、强度较低和时间到峰值熔点较长等缺点。通过优化合金组成和焊接工艺，可以最大限度地发挥无铅共晶焊料的优点，同时减轻其缺点。关键词关键要点多层互连技术概述

关键词关键要点通孔连接可靠性

【要点】：

1.电镀层的均匀性和厚度控制对焊点的可靠性至关重要。

2.焊点界面处的界面反应和残余应力影响连接的强度和可靠性。

3.通孔填充率和孔隙率影响连接的电气和热性能。

关键词关键要点主题名称：硅通孔（TSV）

关键要点：

1.TSV是一种垂直互连技术，它在硅晶片中创建穿孔，以实现不同芯片层之间的电气互连。

2.TSV可以减少封装尺寸，提高互连密度，并缩短信号路径长度，从而提高性能并降低功耗。

3.TSV制造工艺复杂且昂贵，因此需要优化工艺以提高良率并降低成本。

主题名称：异构集成

关键要点：

1.异构集成涉及将不同功能或技术的裸片集成到一个封装中，例如处理器、内存和传感器的组合。

2.异构集成可以优化性能、降低成本和缩小尺寸，从而满足特定应用的需求。

3.异构集成面临挑战，包括处理工艺兼容性、热管理和可靠性问题。

主题名称：扇出型封装

关键要点：

1.扇出型封装是一种先进的封装技术，它将互连层从基板转移到硅中介层，从而提高互连密度和减少封装尺寸。

2.扇出型封装适用于高引脚数、高速和高性能互连，例如用于移动设备和数据中心服务器。

3.扇出型封装技术仍在发展中，需要解决良率、成本和可扩展性等挑战。

主题名称：三维堆叠集成

关键要点：