(高清版)GBT 22461.1-2023 表面化学分析 词汇 第1部分：通 用术语及谱学术语

表面化学分析词汇第2部分：扫描探针显微术术语国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会I Ⅲ IV 1 13扫描探针显微法术语 1 7 86扫描探针显微法补充术语 7扫描探针法补充术语 附录A(资料性)缩略语 34 37 38Ⅲ 第3章对应ISO18115-2:2021的3.1,第3章中术语条目编号按提及顺序依次调整 表面化学分析是一个重要的领域，涉及来自不同领域和有不同背景人员间的相互交流。从事表面GB/T22461《表面化学分析词汇》由两部分构成。——第1部分：通用术语及谱学术语。涵盖电子能谱术、质谱术——第2部分：扫描探针显微术术语。涵盖扫描探针显微术相关术语。上述技术的概念源自核物理和辐射科学以及物理化学和光学等广泛领域。广泛的学术领域导致了对术语不同的解释，相同的概念也会用不同的术语来描述。为了避免由此产生的误解和便于信息的交在接触力学中，基础理论通常以缩略语表示。为避免混淆，本文件第4章定义了这些缩略语。第41《SNOM)利用近场(5.88)光源获得拉曼光谱的显微术。此方法以适当偏振光照射样品表面，并将扫描力显微术scanningforcemicroscopy;SFM(拒用)LFM(3.13)或AFM(3.2)模式，检测功能化修饰2C-AFM(拒用)《AFM>用导电探针(5.109)测量表面形貌及探针针尖(5.12<AFM>在各成像(5.69)点上，探针针尖(5.120)和样品的相对位置呈正弦方式变化的AFM(3.2)模式。电力显微术electric-forcemicroscopy(拒用)《AFM)使用导电探针(5.109)对形貌和探针针尖(5.120)与样品表面之间的静电力成像的AFM电化学原子力显微术electrochemicalatomic-forcemicroscopy;EC-AFMKFM(拒用)3使用导电探针针尖测量探针针尖和表面之间相对电势在空间或时间上变化的动态模式原子力显微磁动态力显微术magneticdynamic-forcemicroscopy;MDFM磁驱动交流模式magneticACmode(拒用)MAC模式MACmode(拒用)采用探针组件(5.20)检测探针针尖(5.120)和表面之间的原子力和磁性相互作用力的AFM(3.2)模式。产生的力的AFM(3.2)成像模式。近场扫描光学显微术near-fieldsca用透射或反射模式对样品表面的光学成像法。以机械方式在表面上扫描一个具有光学活性的探针(5.109),其尺寸远小于光波长，并同时检测透射或反射的光信号，或者近场(5.88)区域中的其他相关4测量由垂直于样品表面的恒定温度梯度产生的热电电压信号空间变化的SPM(3.30)模式，由此反SPM(3.30)模式，用充满电解质的微管或纳米移液管作为局域探针(5.1使用导电探针(5.109),以麦克斯韦应力测量形貌和表面电势的SPM(3.3用红外传感的温度计检测光学探针(5.109)收集的局域辐射，以此测量形貌和热学特性的SNOM方法。5以导电探针针尖(5.120)测量形貌和扩展电阻的SP扫描表面电势显微术scanningsurfacepotentialmicroscopy;SS在扫描探针针尖和样品间的电压的同时测量探针针尖(5.120)和样品间的隧穿(5.169)电散射式NSOM无孔近场扫描光学显微术ANSOM(拒用)6无孔扫描近场光学显微术ASNOM(拒用)检测尖锐扫描探针针尖(5.120)附近散射或发射的光，以优于阿贝光学衍射极限(5.1)的分辨率进自旋分辨隧道显微术spin-resolvedtunnellingmicroscopy;SRTM(拒用)<STM>用具有一定磁序(铁磁性或反铁磁性)STM探针针尖(5.120)在样品表面上方进行扫描的用具有磁序(铁磁性或反铁磁性)的STM探针针尖在样品表面上方测量自旋极化隧穿(5.169)谱的<AFM)在某个控制参数维持恒定的状态下进行探针(5.109)扫描，或在样品表面点阵中的某个固定点扫描某个控制参数的AFM(3.2)模式。超声力显微术ultrasonicforcemicroscopy;UFM7GB/T22461.2—2023BCP模型Burnham-Colton-Pollockmodel;BCP探针针尖(5.120)与表面接触的球-平面模型，以简单通用的公式近似Maugis解，准确度在1%接触物为弹性固体的探针针尖(5.120)和表面接触的模型。此模型未考虑任何表面力及黏附迟滞JKR(S)模型JKR(S)model;Johnson-Kendall-Ro8振幅调制检测amplitudemodulaAM检测AMdetection原子在单晶低指数表面或近晶面上的规则波动。波动宽度等于或大于原子尺度，且其波动高度达9势垒高度barrierheight某区域中限制电子移动的势能大小。局域势垒高度localbarrierheight特定位置上隧道势垒(5.12)的势能。隧道势垒高度tunnelingbarrierheight与隧道势垒(5.12)相关的势能大小。隧道势垒tunnelingbarrier具相关高度(即能量)、宽度(即长度)和形状(即能量对长度的轮廓)的势垒，电子可通过量子力学隧穿(5.169)效应穿过此势垒。隧道势垒宽度tunnelingbarrierwidth电子通过量子力学隧穿(5.169)效应所穿过的势能势垒的长度。贝特-博卡姆模型Bethe-Bouwkampmodel《SNOM>贝特(Bethe)和博卡姆(Bouwkamp)建立的模型，描述在无限理想导电屏蔽情况下亚波长孔径(5.5)的波场。盲重构blindreconstruction在探针针尖(或样品)表面形貌未知的状况下，依据测得图像(5.69),对样品(或探针针尖)表面形貌进行的重构估测。弯曲度bow样品表面中心点至参考平面之间测得的垂直距离，参考平面由表面中心点以适当半径画圆覆盖表面，再取圆内表面上3个等距点所构成的平面。GB/T22461.2—2023直接测量层硬度时，压痕小于层厚度的10%。悬臂梁顶端cantileverapex悬臂梁反射面cantileverreflexside(拒用)探针和表面接合处因毛细凝聚而作用于AFM悬臂梁或相似探针(5.109)上的力。芯片chip悬臂梁芯片cantileverchip探针芯片probechip(拒用)芯片支架chipholder粗逼近器coarse-approachdevice接触模式contactmode<AFM>在样品表面进行探针针尖(5.120)扫描，同时调整探针(5.109)与样品的相对高度的模式。A——第一个形状中所有点的集合；A+b={a+b|a∈A}——A平移b的公式。A-b={a-b|a∈A}——A平移-b的公式。由于探针(5.109)显微镜的反馈无法使探针针尖(5.120)和表面保持近距离而导致的扫描轨迹费歇尔投影样式Fischerprojection力-偏转曲线force-deflectioncurve(拒用)力-伸长曲线force-extensioncurve(拒用)<AFM)在表面n×m的点阵上进行探针(5.109)扫描，并在阵列各点测得力-距离曲线(5.56)的调频检测frequencymodulationdetection<AFM>利用振荡频率的变化来成像并控制探针针尖和表面间距离的动态模式原子力显微术(3.6)的检测模式。动摩擦dynamicfriction两个相接触固体间发生的滑动现象，期间阻碍机制产生反作用力，导致能量耗散(5.41)。摩擦力frictionforce<AFM)探针针尖(5.120)和样品间侧向移动时，动摩擦(5.61)所产生的侧向力(5.77)。静摩擦staticfriction两个相接触固体未发生移动，期间阻碍机制产生反向作用力。没有摩擦的情况下，作用力将使固体发生相对滑动。功能化探针functionalizedprobe具有特殊功能基团的探针针尖(5.120)。高度跟随模式heighttrackingmode形貌跟随模式topographytrackingmode探针针尖(5.120)在具预定形貌的表面上以特定高度跟随扫描，记录数据的模式。赫兹接触Hertziancontact弹性固体间仅考虑弹性的接触形式。照明模式illuminationmode《SNOM)光学扫描探针仪器的操作模式，该模式下，用限制光的激发来调整系统的光学分辨率<SNOM)光学扫描探针仪器的操作模式，该模式下，光激发及其光响应信号收集皆通过同一探针图像半顶锥角halftipangle(拒用)半垂直角semi-verticalangle(拒用)非弹性隧穿inelastictunneling操作探针时z轴位移进行正弦调制，使探针针尖(5.120)在正弦周期中与样品短暂接触的探针用于测量表面和导电探针针尖(5.120)之间相对电势的探针(5.109),其使用方法是在动态模式下探针侧向刚度probelateralstiffness(拒用)栓系tether(拒用)通过化学键将目标分子或粒子附在被测表面的分子。磁力magneticforce多频模式multi-frequencymode力常数forceconstant悬臂梁刚度cantileverstiffness(拒用)(SNOM)镜头工作环境中的介质折射率n和镜头孔径半角θ的正弦值的乘积。利用施加的正弦力或位置调制信号和测得信号之间的相位差进行成像。压电传感器(悬臂梁)piezoelectricsensor(cantilever)堆积pile-up平面扣除模式planarsubtractionmode探针针尖(5.120)和探针支架(5.115)之间的侧面结构；若无探针支架，则为探针针尖和悬臂梁距离。探针支架侧面probesupportflank探针支架柄probesupportshank探针针尖probetip;tip;蛋白质解折叠proteinunfolding吸附力pull-inforce;pull-onforce发生突跳(5.144)时，表面施加于探针针尖(5.120)的力。拉脱力pull-offforce将探针(5.109)拉离表面所需的力。脉冲力模式pulsed-forcemode探针扫描的模式，该模式下，探针(5.109)不断经历力-距离曲线(5.56)的周期，且周期频率低于悬臂梁(5.18)的共振频率。Q控制器Q-control动态模式下的电子反馈系统，用来改变AFM悬臂梁的表观Q值。品质因数qualityfactor储存于已知共振器中特定共振峰的能量除以在一个完整周期内每振荡弧度所损失的平均能量的所得值。拉曼效应Ramaneffect《SNOM>在单色辐射照射分子时，发射的辐射因转动或振动激发而呈现能量损失或增加的特征。拉曼光谱术Ramanspectroscopy《SNOM>使用拉曼效应(5.128)研究分子能级的光谱术。点阵式扫描rasterscanning《SPM>探针(5.109)移动所产生的二维图形。瑞利判据Rayleighcriterion《SNOM)某成像(5.69)的艾里斑中心与另一相邻成像的艾里斑极小值刚好重叠的情况。重构reconstruction<AFM)从成像(5.69)中去除探针针尖(或样品)形状和其他测量伪影(5.6)的影响，从而估计样品(或探针针尖)的表面形貌。反射模式reflectionmode《SNOM)将样品反射的光作为光学信号进行收集的模式。共振频率resonancefrequency探针(5.109)和支撑结构共振的自然频率。样品偏压samplebias样品上所施加的相对于探针针尖(5.120)的电压。扫描器scanner以探针针尖(5.120)扫描样品的机构。扫描器蠕变scannercreep扫描器(5.136)位置的缓慢偏移。扫描器迟滞scannerhysteresis扫描器(5.136)前后移动时，在给定方向上的位置变化。点阵式扫描时驱动SPM探针针尖的速度。设定点setpoint趋肤深度skindepthjumptocontact(拒用)两固体有接触但未键合，其表面黏附力大于使固体分离的机械力或对分离行为产生显著影响的拉伸长度stretchinglength键结断裂前，分子应变的幅度。表面能surfaceenergy在热力平衡下增加表面积所需的能量与增加面积的商。表面增强拉曼散射surface-enhancedRamanscattering;SERS在适当制备的金属表面附近某些分子的拉曼效应(5.128)会增强。此时拉曼散射截面相比相同分子在未使用适当制备金属表面时的拉曼散射截面要高好几个数量级。表面增强拉曼散射光谱术surface-enhancedRamanspectroscopy;SERS使用表面增强拉曼散射(5.151)的光谱术。表面增强共振拉曼散射surface-enhancedresonantRamanscattering;SERRS入射或散射辐射的能量与分子的光学跃迁产生共振的表面增强拉曼效应(5.128)。表面增强共振拉曼光谱术surface-enhancedresonantRamanspectroscopy;SERRS使用表面增强共振拉曼散射(5.153)的光谱术。表面区块荷电surfacepatchcharge固体表面局部功函数变化所产生的局部荷电。与特定功能基结合的分子团。热漂移thermaldrift高热或温度变化所产生的参数变化。倾斜补偿探针tilt-compensatedprobe<AFM)与悬臂梁(5.18)平面有一定倾斜角度的探针(5.109),该探针安装于悬臂梁上时与表面垂直。探针针尖偏压tipbias施加于探针针尖(5.120)上相对于样品的电压。探针针尖增强tipenhancement《SNOM)利用探针针尖(5.120)末端电子与照明光的相互作用通常在近场(5.88)范围内获得的光学信号增强。《不包含散射式SNOM>针尖端或探针针尖(5.120)某区域的表面曲率。探针针尖半径tipradius《散射式SNOM>探针针尖(5.120)上圆形区域的半径，该区域会发出高强度的隐失光。探针针尖-样品接触半径tip-samplecontactradius探针针尖(5.120)和样品在最大压痕深度时，两者接触面积的最大半径。(悬臂梁的)探针针尖侧tipside(ofacantilever)悬臂梁(5.18)上安装探针针尖(5.120)的那一侧。形貌衬度topographiccontrast由样品表面形貌所造成的成像(5.69)或图像(5.69)衬度。扭转弹性常数扭转弹性常数torsionalspringconstant的比率。透射分量transmittance入射光穿透样品的比率。音叉检测tuningforkdetecti用悬臂梁(5.18)或光纤探针(5.109)上的石英音叉驱动振幅振荡，检测探针针尖对样品的距离。范德华力vanderWaalsforce分子实体间(或同分子实体中基团间)的引力或斥力，但不包含由键结生成的以离子(基团)彼此间在两个凝聚相结合形成单位面积界面的情况下，可逆地分离这两个凝聚相使各自产生单位面积的蠕虫状链worm-likechain接触共振力显微术contactresonanceforcemicroscopy;CRFM接触共振原子力显微术contactresonanceatomic-forcemicroscopy;CRAFMSICM(3.24)模式，在各像素点位置将微管靠近表面直到基于隧穿电流以特定能量通过隧穿结时因隧穿结中分子振动态的存在而获得增强的输运效率的其中至少有一个参数以最高准确度进行校准的SPM(3.30)。以导电探针测量探针针尖和样品间形貌和阻抗的SPM(3.30)模式。测量样品相互作用时光的强度和/或偏振现象的SNOM(3.17)。在导电探针针尖和样品间施加交流或恒定电场，利用所诱导的静电力来对微分电容(8C/3V)等电学性质扫描成像的AFM(3.2)模式。微管具有另一电极来检测探针针尖附近的电化学活性的SICM模式。将导电探针作为可移动的门控，与样品电容性耦合，测量电导率随探针针尖位置和电势变化的以导电探针对样品局域电势的相位和振幅扫描成像的SPM(3.30)模式。扫描微管接触法scanningmicropipettecontactmethod;SMCM使用组合的扫描共焦显微镜和测量高度的SPM(3.30),同时对表面形貌和光学特性进行成像的对样品表面单点随电压变化的压电响应进行扫描成像的PFM(6.11)模式。矢量组合了垂直压电响应以及侧向压电响应的两个正交分量的PFM(6.11)模式。阿蒙东定律Amonton'slaw衬度contrast双通道纳米微管double-barrellednanopipette双间歇接触模式dualintermi双AC模式DualACmode《AFM)探针(5.109)扫描模式，操作探针时以两个在悬臂梁共振模式上或附近的频率进行z轴位四点探针four-pointprobe使用四点探针(7.13)法测量半导体表面空间分辨的电导率的STM,其中各探针的接触通过隧道测多探针针尖STM,探针针尖间距与半导体中载流子的相干长度相当，对格林函数进行实空间扫描侧向PFM完成既定数据处理后，在扫描系统x-y平面多探针SPMmulti-probe在表面上沉积物质、将物质从表面移除或对表面特性的局部修饰的技术，其定位控制的尺度小于纳米镊子nanotweezers夹持及操纵表面纳米粒子的器件，其定位控制的尺度低于100nm。PFM(6.11)信号的相位角0。粗糙度roughnessRq测量轮廓和参考轮廓之间差值的均方根。扭转谐波悬臂梁torsionalharmoniccantilever用于轻敲模式(5.73)测量的矩形悬臂梁，其锤头形尾端支撑一侧向偏置的探针针尖，使其发生扭转式振荡，进而测量谐波扭转频率下的效应。扭转间歇接触模式torsionalintermittentcontactmode扭转轻敲模式torsionaltappingmode以扭转悬臂梁(5.18)进行间歇接触的模式。真实轮廓trueprofile在未发生测量失真的情况下，样品x-y平面的既定方向上某既定特性的实际样品轮廓。(资料性)缩略语本附录给出了缩略语清单。缩略语中最后的字母“M”在不同语境中可以表述为显微术3D-PFM矢量压电响应力显微术(见6.21)(VectorPFM)AFM原子力显微术(见3.2)(Atomic-ForceMicroscopy)AM-AFM调幅原子力显微术(见6.1)(AmplitudeModulationAtomic-ForceMicroscopy)BEES弹道电子发射谱术(Ballistic-ElectrCFM化学力显微术(见3.3)(Chemical-ForceMicroscopy)CITS电流成像隧道谱术(见3.5)(Current-ImagingTunnellingSpectroscopy)CPAFM导电探针原子力显微术(见3.4)(Conductive-ProbeAtomic-ForceMCRAFM接触共振原子力显微术(见6.4)(ContactResonanceAtomic-ForceMicroscopy)CRFM接触共振力显微术(见6.4)(ContactResonanceForceMicroscopy)DFM动态力显微术(见3.6)(Dynamic-ForceMicroscopy)DMM位移调制显微术(DisplacementModulationMicroscopy)DTM微分隧道显微术(Differential-TunnellingMicroscopy)ECFM电化学力显微术(Electrochemical-ForceMicroscopy)EC-SPM电化学扫描探针显微术(见6.5)(ElectrochemicalScanningEC-STM电化学扫描隧道显微术(见3.9)(ElectrochemicalScanningTunnellingMicroscopy)EFM静电力显微术(见3.7)(Electrostatic-ForceMicroscopy)FFM摩擦力显微术(见3.11)(Frictional-ForceMicroscopy)FM-AFM调频原子力显微术(见3.10)(FrequencyModulationAtomic-ForceMicroscopy)FMM力调制显微术(ForceModulationMicroscopy)FRET荧光共振能量转移(见5.54)(FluorescentResonanceEnergyTransfer)FS力谱术(见5.58)(ForceSpectroscopy)HFM外差力显微术(HeterodyneForceMicroscopy)HPICM跳跃探针离子电导显微术(见6.7)(HoppingProbeIonConductanceIC间歇接触(见5.73)(IntermittentContact)IETS非弹性电子隧道谱术(见6.8)(InelasticElectronTunnellingSpectroscopy)IFM界面力显微术(Interfacial-ForceMicroscopy)KPFM开尔文探针力显微术(见3.12)(Kelvin-ProbeForceMicroscopy)LFM侧向力显微术(见3.13)(Lateral-ForceMicroscopy)LFMM侧向力调制显微术(Lateral-ForceModulationMicroscopy)MDFM磁动态力显微术(见3.14)(MagnMDM微波介电显微术(MicrowaveDielectricMicroscMFM磁力显微术(见3.15)(Magnetic-ForceMicroscopy)MOKE磁光克尔效应(Magneto-OpticKerrEffect)MRFM磁共振力显微术(见3.16)(Magnetic-ResonanceForceMicroscopy)MTA微热分析(MicrotherNC-AFM非接触式原子力显微术(见3.18)(Non-ContactAtomic-ForceMicroscopy)NIS纳米阻抗谱术(见6.10)(Nano-ImpedanceSpectroscopy)NSOM近场扫描光学显微术(见3.17)(Near-FieldScanningOpticalMicroscopy)PF-AFM脉冲力原子力显微术(见5.125)(Pulsed-ForceAtomic-ForceMicroscopy)PFM压电响应力显微术(见6.11)(PiezoresponseForceMicroscopy)PTMS光热微区谱术(见3.19)(PhotothermalMicro-Spectroscopy)SCFM扫描电容力显微术(见6.13)(ScanningCapacitanceForceMicroscopy)SCM扫描电容显微术(见3.20)(ScanningCapacitanceMicroscopy)SCPM扫描化学势显微术(见3.21)(ScanningChemical-PotentialMicroscopy)SECM扫描电化学显微术(见3.22)(ScanningElectrochemicalMicroscopy)SECM-SICM扫描电化学显微术-扫描离子电导显微术(见6.14)(ScanningElectrochemicalMi-croscopy-ScanningIonConductanceMicroscSERRS表面增强共振拉曼光谱术(见5.154)(Surface-EnhancedResonantRamanSpectroscopy)SERS表面增强拉曼散射(见5.151)(Surface-EnhancedRamanScattering)SGM扫描门控显微术(见6.15)(ScanningGateMicroscShFM剪切力显微术(见3.37)(Shear-ForceMicroscopy)SHG二次谐波产生(见5.140)(SecondHarmonicGeneration)SHPFM二次谐波压电力显微术(SecondHarmonicPiezoForceMicroscopy)SICM扫描离子电导显微术(见3.24)(ScanningIonConductanceMicroscopy)SIM扫描阻抗显微术(6.16)(ScanninSKPM扫描开尔文探针显微术(见5.76)(ScanningKelvin-ProbeMicroscopy)SMCM扫描微管接触法(见6.17)(ScanningMicropipetteContactMethod)SMRM扫描磁阻显微术(见3.25)(ScanningMagneto-ResistanceMicroscopy)SMSM¹扫描麦克斯韦应力显微术(见3.26)(ScanningMaxwellStressMicroscopy)SNFUH扫描近场超声全息术(见3.28)(ScanningNear-FieldUltrasoundHolography)SNOM扫描近场光学显微术(见3.17)(ScanningNear-FieldOpticalMicroscopy)SNTM扫描近场热显微术(见3.27)(ScanningNear-FieldThermalMicroscopy)SPM扫描探针显微术(见3.30)(ScanningProbeMicroscopy)SP-STM自旋极化扫描隧道显微术(见3.38)(Spin-PolarizedScanningTunnellingMicroscopy)SP-STS自旋极化扫描隧道谱(见3.39)(Spin-PolarizedScanningTunnellinSSCM扫描表面共焦显微术(见6.18)(ScanningSurfaceConfocalMicroscopy)SSM扫描超导干涉仪(SQUID)显微术[ScanningSS-PFM翻转光谱压电响应力显微术(见6.20)(SwitchingSpectroscopyPiezoresponseForceMi-SSPM扫描表面电势显微术(见3.32)(ScanningSurfacePotentiaSSRM扫描扩展电阻显微术(见3.31)(ScanningSpreading-ResistanceMicroscopy)STM扫描隧道显微术(见3.34)(ScanningTunnellingMicroscopy)SThM扫描热显微术(见3.33)(ScanningThermalMicroscopy)STHM扫描隧道氢分子显微术(见6.19)(ScanningTunnellingHydrogenMicroscopy)STS扫描隧道谱(见3.35)(ScanningTunnellingSpectrSVM扫描电压显微术(ScanningVoltageMicroscopy)TEFS针尖增强荧光谱术(见3.41)(Tip-EnhancedFluorescenceSpectroscopy)TERS针尖增强拉曼谱术(见3.42)(Tip-EnhancedRamanSpectroscopy)TSNOM透射扫描近场光学显微术(TransmissionScanningNear-FiUFM超声力显微术(见3.43)(UltrasonicForceMicroscopy)[1]ISO21920-2GeometricalproductTerms,definitionsandsurfacetextureparameters[2]ISO25178-2GeometricalproductspecificationTerms,definitionsandsurfacetextureparameters[3]BURNHAMN.A.,COLTONR.J.,POLLOCKH.M.Nanotechnology.1993,4pp.64[4]CARPICKR.W.,OGLETREED.F.,SALMERONM.J.ColloidInterfacepp.395-400[5]DERJAGUINB.V.,MULLERV.M.,TOPOROVY.P.J.ColloidInterfacepp.314-326[6]JOHNSONK.L.ContactMechanics.TheUniver[7]JOHNSONK.L.,KENDALLK.,ROBERTSA.D.Proc.R.Soc.Lond.1971,A324pp.[8]SPERLINGG.EineTheoriederHaftungvonFeststofftsis,FakultatfürMaschin[9]MAUGISD.J.ColloidInterfaceSci.1992,150[10]BETHEH.A.Theoryofdiffractionbysmallholes.Phys.Rev.1944,66(7)pp.163-182[11]BOUWKAMPC.J.OnBethe'stheoryofdiffractionbysmallholes.Philipsports.1950,5(2)pp.321-332[12]BOUWKAMPC.J.Diffractiontheory.Rep.Prog.Phys.1954,17(1)pp.35-100[13]VILLARRUBIAJ.S.Morphologicalestimationoftipgeometryforscannedprobemiccopy.Surf.Sci.1994,321(3)[14]FISCHERU.CH.,ZINGSHEIMH.P.J.Vac.Sci.Tec[15]ALBRECHTT.R,GRÜTTERP.,HORNED.,RUGERD.Frequencymodulationusinghigh-Qcantileversforenhancedforcemicroscopysensitivitginoflong-rangesurfaceforces.Phys.Rev.Lett.1992,69(1)pp.144-147[17]IUPAC.CompendiumofChemicalTerminology,electronicversion,athttp://goldbook.iu-/GB/T22461.2—2023A阿蒙东定律7.2凹陷现象5.142B半顶锥角(拒用)5.70半垂直角(拒用)5.70表面增强共振拉曼光谱术5.154布克法则5.17C侧向力5.77测量轮廓7.20衬度7.4磁驱动交流模式(拒用)3.14粗糙度7.25D弹道电子5.8弹道电子发射显微术6.3弹性常数5.92弹性隧穿5.43蛋白质解折叠5.121导电探针原子力显微术3.4点阵式扫描5.130电化学扫描隧道显微术3.9电化学扫描探针显微术6.5电化学原子力显微术3.8电力显微术(拒用)3.7电流成像隧道谱术3.5电流针尖高度谱术5.75动摩擦5.61动态力显微术3.6动态模式原子力显微术3.6堆积5.105E二次谐波产生5.140F翻转光谱压电响应力显微术6.20反射模式5.133反斯托克斯散射5.4范德华力5.171非弹性电子隧道谱术6.8非接触模式5.90非接触式原子力显微术3.18费歇尔样式5.49分子牵引5.82G刚度5.147功能化探针针尖5.64共振频率5.134光漂白5.98光热微区谱术3.19H耗散5.41赫兹接触5.66赫兹模型4.4化学力5.25化学力显微术3.3J极化强度5.108计量型扫描探针显微术6.9校正轮廓7.5接触共振力显微术6.4接触共振原子力显微术6.4节距5.106界面能5.72近场5.88近场拉曼显微术5.89近场扫描光学显微术3.17静电力5.44静电力显微术3.7静摩擦5.63局域势垒高度5.10K开尔文探针5.76开尔文探针力显微术3.12刻蚀探针针尖5.46孔径5.5L拉曼光谱术5.129拉曼效应5.128拉伸长度5.149拉脱力5.124拉制探针针尖5.122理想轮廓7.17力常数5.92力-偏转曲线(拒用)5.56力谱术5.58力牵引5.82力-伸长曲线(拒用)5.56连接分子5.79轮廓总长5.36M脉冲力模式5.125毛细力5.22摩擦力5.62摩擦力显微术3.11目标基团5.156N纳米刻印术7.22GB/T22461.2—2023纳米天线5.84纳米压痕5.85挠曲失真5.51黏附功5.175黏结5.146扭转弹性常数5.166扭转间歇接触模式7.27P膨胀5.39品质因数5.127品质因子5.127平面度5.50Q翘曲度5.173倾斜补偿探针5.158趋肤深度5.143R热漂移5.157蠕虫状链5.176瑞利判据5.131S扫描表面电势显微术3.32扫描磁阻显微术3.25扫描电化学显微术3.22扫描电容力显微术6.13扫描电容显微术3.20扫描非线性介电显微术3.29扫描化学势显微术3.21扫描霍尔探针显微术3.23扫描近场超声全息术3.28扫描近场光学显微术3.17扫描近场热显微术3.27扫描扩展电阻显微术3.31扫描力显微术(拒用)3.2扫描麦克斯韦应力显微术3.26扫描门控显微术6.15扫描器5.136扫描器迟滞5.138扫描器蠕变5.137扫描热显微术3.33扫描速率5.139扫描隧道谱3.35扫描隧道氢分子显微术6.19扫描隧道显微术3.34扫描探针显微术3.30扫描微管接触法6.17扫描阻抗显微术6.16设定点5.141矢量压电响应力显微术6.21势垒高度5.9数值孔径5.93栓系(拒用)5.79双间歇接触模式7.8双通道纳米微管7.7双通道微管7.6斯托克斯散射5.148四点探针7.13隧穿5.169隧穿概率5.170隧道势垒高度5.11T探针5.109探针表征物5.110探针柄5.113探针侧5.111探针侧向刚度(拒用)5.78探针刚度5.114探针倾斜角5.119探针长度5.112探针芯片(拒用)5.26探针针尖5.120探针针尖半径5.161探针针尖半径5.162探针针尖偏压5.159探针针尖-样品接触半径5.163探针针尖增强5.160探针支架5.115探针支架柄5.118探针支架侧面5.116探针支架长度5.117碳纳米管探针5.23调幅开尔文探针力显微术6.2调幅原子力显微术6.1调频检测5.60调频开尔文探针力显微术6.6跳跃探针离子电导显微术6.7透射分量5.167突跳5.144图像5.69W外差检测7.16微悬臂梁5.20沃拉斯顿线5.174无孔近场扫描光学显微术(拒用)3.36无孔扫描近场光学显微术(拒用)3.36X相位衬度5.96相位成像5.97向量扫描5.172芯片5.26芯片基底5.26芯片支架5.27形貌衬度5.165形貌跟随模式5.65悬臂梁5.18悬臂梁背面5.21悬臂梁顶端5.19悬臂梁反射面(拒用)5.21悬臂梁刚度(拒用)5.92悬臂梁检测面5.38悬臂梁芯片5.26悬臂梁组件5.20(悬臂梁的)探针针尖侧5.164Y压电材料5.101压电传感器(悬臂梁)5.102压电力5.100压电式力5.99压电响应力显微术6.11压阻5.103压阻悬臂梁5.104样品偏压5.135音叉检测5.168隐失波5.47荧光5.52荧光标记5.55荧光共振能量转移5.54荧光团7.11原子力显微术3.2原子起伏5.7圆锥半角5.70远场衍射极限5.1Z增强因子7.9沾笔式纳米刻印术5.40针尖增强拉曼谱术3.42针尖增强荧光谱术3.41真实轮廓7.28振幅调制检测5.3重构5.132主动阻尼7.1作用长度5.2AM检测5.3DMT模型4.3MAC模式(拒用)3.14MD模型4.6Q控制器5.126AAMdetectionAM-AMmethod7.3ANSOM(拒用)