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文档简介
电力电子技术
PowerElectronicTechnology教师:陈柬(ChenJian)复习:半导体三极管1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NPNCBEPNPCBEBECNNP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++++++++++__________________________+++++++++++++2电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。IE1进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IB,多数扩散到集电结。IBBECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集,形成IC。IC2ICIB要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。静态电流放大倍数静态电流放大倍数,动态电流放大倍数
=IC/
IBIC=
IB动态电流放大倍数IB:IB+
IBIC:IC+
IC
=
IC/
IB一般认为:
==,近似为一常数,值范围:20~100
IC=
IB3特性曲线ICmA
AVVUCEUBERBIBUSCUSB
实验线路(共发射极接法)CBERCIB
与UBE的关系曲线(同二极管)(1)输入特性IB(
A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V
死区电压,硅管0.5V工作压降:硅管UBE0.7V(2)输出特性(IC与UCE的关系曲线)IC(mA)1234UCE(V)3691240A60AQQ’
=IC/
IB=2mA/40A=50
=
IC/
IB
=(3-2)mA/(60-40)A=50
=IC/
IB=3mA/60A=50输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB,且
IC=
IB
。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏,IB>IC,UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,,称为截止区。输出特性三个区域的特点:(1)放大区
BE结正偏,BC结反偏,IC=IB,且
IC=
IB(2)饱和区
BE结正偏,BC结正偏,即UCEUBE
,
IB>IC,UCE0.3V
(3)截止区
UBE<死区电压,IB=0,IC=ICEO0
例:
=50,USC=12V,
RB=70k,RC=6k
当USB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?USB=-2V,IB=0,IC=0,Q位于截止区
USB=2V,IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=IB=500.019=0.95mA<
ICS=2mA
,Q位于放大区
。IC最大饱和电流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA
ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEICUCEIBUSCRBUSBCBERC例:
=50,USC=12V,
RB=70k,RC=6k
当USB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?USB=5V,IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mAIC=IB=500.061=3.05mA>
ICS=2mA
,Q位于饱和区(实际上,此时IC和IB已不
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