• 现行
  • 正在执行有效
  • 2019-01-30 颁布
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【正版授权】 IEC 63068-2:2019 EN Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method fo_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 63068-2:2019 EN
  • 标准名称：半导体器件——用于功率器件的碳化硅单晶片非破坏性缺陷识别准则——第2部分：缺陷测试方法，使用光学检测方法
  • 英文名称：Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2019-01-30

文档简介

一、概述：

IEC63068-2:2019ENSemiconductordevices–Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepaxialwaferforpowerdevices-Part2:Testmethodfordefectsusingopticalinspection是针对硅碳化合物的功率器件单晶片的一种非破坏性缺陷识别标准，主要采用光学检测方法。

二、主要内容：

1.定义和术语：标准详细解释了相关的术语和定义，包括硅碳化合物的功率器件、单晶片、非破坏性识别、光学检测等。

2.缺陷类型：标准规定了可检测到的几种主要缺陷类型，如裂缝、杂质、裂纹、表面损伤等。

3.测试方法：标准详细描述了使用光学检测方法进行缺陷测试的过程，包括设备要求、测试步骤、数据记录和分析等。

4.缺陷评估：标准提供了如何评估缺陷严重程度的方法，包括缺陷的位置、大小、形状和颜色等特征。

5.测试结果：标准规定了测试结果的报告和记录要求，包括缺陷的数量、类型和严重程度等。

三、应用范围：

该标准适用于硅碳化合物的功率器件单晶片缺陷的检测和评估，用于确定产品的质量和可靠性。

四、实施和合规性：

该标准提供了具体的测试方法和要求，以确保产品质量符合相关规定和标准。制造商和使用者应该遵守该标准以确保产品的质量和安全。

IEC63068-2:2019ENSemiconductordevices–Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepaxialwaferforpowerdevices-Part2:Testmethodfordefectsusingopticalinspec

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