- 现行
- 正在执行有效
- 2021-06-25 颁布
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基本信息：
- 标准号：IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 EN
- 标准名称：修正案1-半导体器件-分立器件-第8部分：场效应晶体管
- 英文名称：Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
- 标准状态：现行
- 发布日期：2021-06-25
文档简介
IEC60747-8:2010/AMD1:2021ENAmendment1对半导体器件中的分离器件部分，特别是场效应晶体管（Field-EffectTransistors，简称FETs）的相关规定进行了详细解释和补充。本部分主要关注于FETs的设计、制造和性能评估，其内容包括：
*FET的分类：本部分根据其应用、工作电压、栅极氧化层厚度和其它参数将FET分成几个不同的类别。
*结构：描述了FET的基本结构，包括源极、漏极、栅极和衬底等组成部分。
*性能参数：详细介绍了FET的主要性能参数，如跨导、饱和电压、噪声系数、频率响应等。
*制造过程：描述了FET的制造过程，包括材料选择、工艺流程、质量控制等。
*安全和环境要求：提出了FET在安全和环境方面的要求，包括过热、电击、燃烧等方面的规定。
*测试和评估方法：介绍了FET的测试和评估方法，包括静态和动态特性测试、老化测试等。
IEC60747-8:2010/AMD1:2021ENAmendment1对FETs的设计、制造、性能评估和测试等方面进行了全面而详细的规范，以确保FETs的质量和性能符合相关标准。
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