ARRAYTEST培训资料知识讲座

ARRAYTEST教育资料CECPandaTFTARRAYTESTTEAM1．检査/修正所在ARRAY段流程①品质保障保证良品出货（前提:全数检查)装置群：In-Line現像检查、外观检查、断线/Short检查、特性检查、Array检查良品率的提高/稳定化収益的保证

材料費节约找出可以修正的不良把不良品变成良品（在早期工程出现的不良可以挽救）2．工程内检查的目的和作用制品品质的保証User、市场不良的控制生産设备和工程的监视不良品的最小化②生産装置的維持管理

Process保障产品满足设计基准么？制造工艺条件正确么？（抽检）装置群：膜厚・膜质检查、线幅详细測定、形状測定、Dust測定（面板检查）2．工程内检查的目的和作用現像完检查是:Photo工程Pattern形成后的确认,主要关注resist的涂布状态和曝光状态等3．In-Line現像检查装置（Maker:OLYMPUS)

装置ImageAPAMAR基板の流れPhoto工程发生一些面积较大，不可修正的不良时，需要对基板进行返工处理。①基板Rework

：对象是单片基板。②LotRework

：对象是整个LOTRework3-1．In-Line現像检查（基板的流向）

AP观察Rework、Cassette保管KMMRPL判定判定次工程（Etch工程）前工程（Photo工程）良品Rework良品異常有異常無異常無異常無異常有異常有Rework观察/修正AP→AM→ARReworkLot編成ARAMAP：为自动像素缺陷检出装置。所作用的工程为photo工程，检出的方式为INLINE检查。SPECCamera数：6本Camera分解能：10μm 絵素部检查：相対（邻接）比較3-1-1．AutomaticPattern检查装置<ＡＰ>基板往返扫描3次（3Scan）基板装置外观3-1-2．AutomaticMacro检查装置<ＡＭ>Macro欠陥（Mura、划伤等）在In-Line过程中通过AM自动检出，并记录缺陷的位置和种类。SPECCamera数：１本分解能：0.375mm 投光角：干渉成像角度４５°

回折成像角度５０°

干渉像⇒散乱光回折像⇒収束光装置外观散乱光収束光3-1-3．ＡＰ／ＡＭ欠陥检出画像AP欠陥捕捉画像AM欠陥捕捉画像干渉像回折像3-1-4．自動线幅測定装置<AR>基板形成膜resistAR：photoInline检查，对指定位置的线幅进行测定和管控，超出规格值的需要返工处理。形成膜形成膜GateLayer

SourceLayer装置外观作业人员目视检查，对AM检查有问题的基板，进行再确认。确认项目:・基板的膜表面是否有mura,水渍等。・基板是否有划伤等。3-2．Manual

Macro检查装置<KMM/KHM>SPEC落射照明

metalhalidelamp照明光色４種類（白、緑、黄、橙）

Nalamp

（橙）透過照明白色光源（蛍光灯）观察画像装置外观对In-Line現像检查装置＜ＡＰ＞检查出来的光刻胶残留，进行激光修正。

3-3．Resist修正装置<RPL>

装置外观Glass移动结构。

gantry移动结构。

Size大：修正困难ResistPattern无Rework判定（光刻胶玻璃，再次photo）修正不可能事例修正事例3-3-1．Resist修正装置<RPL>

3-4．外观检查装置<KOI>

（Maker：Orbotech）自动光学检查装置：就是对光学照射，和CCD成像，对象素区域的规律性对比，找出缺陷的装置。设定最小重复单元，划分多个zone并根据需求设置不同的threshold，找出超出要求的点

检查方式：邻接比較装置外观3-4．OpenShort检查装置<KOS>（Maker：OHT）ＴＦＴ基板的SourceLine的断线（S断)检出装置。Panel的Busline的两端通过非接触的sensor在接近(100μm程度）的地方，一端输出信号，另一端检查信号。通过信号的异常，来判断是否有断线。给电:1000Vpp200kHzAMP受电（充电量scan）Gap:100um±30um(欠陥位置检出)sensor入力信号配线位置给电sensor受电sensor装置外观断线SPECsensor：５本给受电sensor：2set位置检出sensor：１台给电sensor(Mainscan)sensor入力信号受电sensorLINE-No3-5．断线修正装置<RVD>（Maker：OLF）ChemicalVaporDeposition：化学气象沉积法。通过激光照射，通入原料W（CO）6(六羰基钨），用CVD的方法，对断线进行镀膜。成膜Image修正Unit断面GASWINDOW

対物Lens

ＴＦＴ基板

PurgeGAS

原料GAS

排気

加工Area

Laser

装置外观SPEC・CVD成膜Speed：1.5μ/sec・Laser

CVD用：349nm

ZAP用：1053/263nm（光軸切替） 3-6．LaserCutter装置<KLC>

(Maker：Litec)在arraytester前，把不需要的shortring，用激光切断。R-ODOR-EVENG-ODOG-EVENB-ODOB-EVENGＴ-EVENGT-ODOGＴ-EVENGT-ODOCSShortRing接线Image装置外观ShortLine接线部SPEC・Laser切断用：1064nm3-7．Array检查<全般>ARRAYTester：就是通过PF对source和gate加入信号，就象素电压进行判断，检出不良。P/F概观图P/F里面扩大图GateSource絵素P/F基板判定Gate电圧Source电圧絵素电圧NG？goodＣsPAD１系統SourcePADRGB×偶・奇=６系統GatePAD偶・奇２系統３７型ＦＨＤＴＦＴ完Array检（SL检)PADImage图

1.0mm角PAD寸法3-7-1．Array检查<全般>3-7-2．Array检查<KIP>（Maker：Orbotech）KIP：通俗点描述就是通过专用的modulator模拟最终点灯显示进行的检查。P/F基板StageCameraunitMD(Modulator）約20μm装置外观检查Head動作ImageSPEC・检查Head

SingleType：1台

DualType：2台3-7-3．Array检查<KIS>（Maker：島津制作所）KIS：就是通过电子枪发射电子，通过收集象素的二次电子，进行的检查。是真空装备。装置外观L/Lchamber检查chamber电子銃(10本)SPEC・检查Head

电子銃：10台3-7-4．Array检查<KIA>（Maker：ＡＫＴ）L/Lchamber电子銃(4本)检查chamber装置外观SPEC・检查Head电子銃：4台KIA：就是通过电子枪发射电子，通过收集象素的二次电子，进行的检查。是真空装备。3-8．Short修正<REP>（Maker：NTN）REP：就是对自动光学检查和ARRAY检查出来的缺陷，通过激光来进行修正的装置。Pattern修正Metal膜修正SPEC①显微镜落射照明显微镜倍率：

X5,X10,X20,X50（266nmはX50のみ）②Laser波長・1064nm（MetalMelt用）・266nm（Metal切断、ITO切断用）ITO膜修正点欠陥修正3-8-1．修正装置<REP>

修正例Drain(ITO)ContacthallSourceCsJAS层N+GateTFT画素构造模式图Drain（Aｌ/Ti）欠陥例①S-DLeakS-DLeak

修正方法：欠陥模式修正方法模式ITOremove3-8-1．修正装置<REP>

修正例欠陥例②P-PLeak欠陥模式图修正方法模式图接线部切断3-8-1．修正装置<REP>

修正例3-9．JAS研磨工程<RJK>（Maker：Lasertech）RJK：就是对JAS工程中，凸起物，通过研磨进行的修正。研磨cass