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文档简介

半导体器件原理南京大学第二章基本物理与PN结I。若干概念(1)载流子浓度与费米能级半导体器件原理南京大学（2）迁移率高温： 晶格散射控制（T-3/2），对载流子浓度相对不敏感；低温： 杂质散射控制，强力依赖于载流子浓度。

MOSFET反型层中迁移率远低于体迁移率（表面迁移率）半导体器件原理南京大学（3）

扩散电流半导体器件原理南京大学（4）薄层电阻率（5）速度饱和半导体器件原理南京大学II。器件中的基本方程（1）泊松方程（2）德拜长度(能带对掺杂突然变化的响应长度）半导体器件原理南京大学（3）电流密度方程（准费密势）半导体器件原理南京大学（4）连续性方程及少子寿命（5）介质驰豫时间（：多子响应时间,很小，10-12s）半导体器件原理南京大学III。P-N结（1）内建势突变结半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学（2）薄i层P-I-N二极管半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学（3）二极管方程半导体器件原理南京大学(1)假设电压降仅发生在耗尽区，体内为准中性区(2)若体内压降不可忽略，Vapp必须由V

app代替。半导体器件原理南京大学（4）电流电压特性半导体器件原理南京大学a:均匀掺杂(p-n结的p区）半导体器件原理南京大学b:单边突变结（n+-p)正偏反偏半导体器件原理南京大学c:宽基二极管W/Ln>>1正偏反偏半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学d:窄基二极管

W/Ln<<1正偏反偏半导体器件原理南京大学e:漏电流扩散电流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT）产生电流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT）半导体器件原理南京大学（5）开关特性充电时间宽基窄基放电时间宽基窄基tB(10-11s)<<

n(10-7s)半导体器件原理南京大学（6）扩散电容

n+(wide)-p(narrow)结

CDn>>CDp半导体器件原理南京大学(7)

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