芯片封装中级工技能鉴定理论考试题库大全-上（选择题）

PAGEPAGE1芯片封装中级工技能鉴定理论考试题库大全-上（选择题汇总）一、单选题1.一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2答案：C2.陶瓷双列封装代号是（）。A、WB、FC、PD、答案：D3.一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。A、波矢k=0或附近，波矢k≠0B、波矢k≠0，波矢k=0或附近C、波矢k=0，波矢k≠0D、波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0答案：D4.X射线照相时，应采用（）放大倍数观察X射线照片。A、2-8倍B、4-20倍C、6-25倍D、8-30倍答案：C5.半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（）。A、P型半导体B、N型半导体C、本征半导体D、P型和N型掺杂浓度相等的半导体答案：C6.柯伐合金用于各类管壳材料，它的合金是（）。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-Pb-Sn答案：B7.底部填充胶可以有效缓解芯片和基板的()。A、结合力大小B、热膨胀系数C、热失配D、热疲劳寿命答案：C8.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）。A、icB、UCEC、IbD、iE答案：C9.测量凝胶时间时，少量塑封料粉末软化在可精确控制的热板上，温度通常设定为()，形成黏稠的流动状态，定时用探针探测是否凝胶。A、170℃B、280℃C、100℃D、45℃答案：A10.三视图的主视图表示（）。A、从形体左方向右看的形状和宽度B、从形体右方向左看的形状和宽度C、从形体上方向下看的形状和长度D、从形体前方向后看的形状和长度答案：D11.本征半导体是指（）的半导体。A、不含杂质和缺陷B、电阻率最高C、电子密度和空穴密度相等D、电子密度与本征载流子密度相等答案：A12.锡膏搅拌的目的是()。A、使金属颗粒与助焊剂充分混合B、使气泡挥发C、提高黏稠性D、将金属颗粒磨细答案：A13.气密密封方法常用（）和玻璃熔封工艺方法。非气密密封方法通常用胶粘法和塑封法。A、钎焊、熔焊、平行缝焊B、钎焊、激光焊、超声焊C、平行缝焊、点焊、激光焊D、平行缝焊、点焊、超声焊答案：A14.焊料的润湿性与镀金层()。A、无关系B、很大关系C、非主要关系D、一般关系答案：B15.下列溶液中分别加入足量的铁粉，充分作用后，溶液中的阳离子总物质的量明显减少，该溶液是（）。A、CuCl2B、FeCl3C、HClD、AlCl3答案：C16.将1000pF的电容和2000pF的电容并联，其并联电容为（）。A、4000pFB、667pFC、1500pFD、3000pF答案：D17.封电路盖板焊料环使用材料通常是（）。A、锡铋合金B、锡银铜合金C、金锡合金D、铁镍合金答案：C18.钎焊密封工艺用的焊料一般选取答案：AuSn20共晶焊料，共晶点为280℃，钎焊温度应为（）。A、290～310℃B、310～330℃C、330～350℃D、330～350℃答案：B19.芯片背面减薄的目的是()。A、装焊时有良好的浸润性B、欧姆接触增大C、是压焊的要求D、减少费用答案：A20.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锑合金熔点是()。A、280℃B、327℃C、360℃D、373℃答案：C21.影响平行封焊质量的主要因素是（）。A、焊接电流、焊接速度、电极锥度和直径B、焊接电流与环境条件C、个人因素与管壳材料D、机器性能答案：A22.由于平行缝焊的焊缝在外壳边缘，被熔焊的区域很小，属局部加温，因此对芯片的（）小。A、热冲击B、机械冲击C、影响D、振动冲击答案：A23.如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。A、不含施主杂质B、不含受主杂质C、不含任何杂质D、处于绝对零度答案：D24.任何单位或个人对事故隐患或者安全生产违法行为，()。A、均有权向负有安全生产监督管理职责的部门报告或举报；B、只能向其所在单位的安全管理部门报告；C、不能匿名举报。答案：A25.防静电手镯和地线之间应该()。A、导通B、有一个10Ω左右的电阻C、有一个1MΩ电阻D、有一个10MΩ左右的电阻答案：C26.163.三视图的左视图表示()。A、从形体左方向右看的形状和宽度B、从形体右方向左看的形状和宽度C、从形体上方向下看的形状和长度D、从形体前方向后看的形状和长度答案：A27.三线电缆中的红色线是（）。A、零线B、火线C、地线答案：B28.在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。A、锗B、磷C、硼D、锡答案：B29.在塑封工艺中，为完全固化大部分环氧模塑料，需要在（）的后固化。A、170~175℃、进行4小时B、175~180℃、进行2小时C、160~170℃、进行6小时答案：A30.用6235高强度聚酷漆封装由于其与硅铝丝的线膨胀系数不匹配，在－55～125℃温度冲击试验条件下，内引线容易()造成失效。A、蜕焊B、接断C、弯曲D、互连答案：A31.贮能焊封装底座为铜材料，壳帽为4J29不能直接封焊，应采取的措施是（C）。A、铜镀镍B、铜底座加4J29封装环C、先镀镍而后镀金D、帽镀镍层加厚答案：C32.产品质量是()。A、是设计出来的B、是制造出来的C、是检验出来的D、是多种因素的综合反应答案：D33.热压焊只能用()。A、金丝B、铝丝C、硅铝丝D、铜丝答案：A34.不可见轮廓线采用（）来绘制。A、粗实线B、虚线C、细实线D、点划线答案：B35.如果焊球为共晶铅锡焊料，那么底部填充胶材料惹膨胀系数可以选择在()ppm/℃之间。A、10~20B、20~30C、20~40D、10~40答案：C36.GaAsMESFET是属于（）器件。A、双极型B、增强型C、耗尽型答案：C37.1000级净化间是在1立方英尺的空气中有（）个尺寸为0.5μm的颗粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D38.对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。A、平衡载流子浓度成正比B、非平衡载流子浓度成正比C、平衡载流子浓度成反比D、非平衡载流子浓度成反比答案：D39.激光焊属于()。A、熔焊B、焊料焊C、冷焊D、电热焊答案：A40.三视图的主视图表示()。A、从形体左方向右看的形状和宽度B、从形体右方向左看的形状和宽度C、从形体上方向下看的形状和长度D、从形体前方向后看的形状和长度答案：D41.平行封焊的每个焊点间（）重叠。A、小于1/10B、1/3-1/2C、大于1/2D、完全答案：B42.机器贴片过程中吸头一个吸到一个吸不到的原因()。A、吸头是否真空B、气压不足C、飞达走距不对D、以上都不是答案：C43.密封外壳腔体内部水分是引起器件腐蚀失效的（）。A、一个原因B、主要原因C、次要原因D、必然原因答案：B44.催化剂对反应速率的影响是（）。A、能加快正向反应B、能加快逆向反应C、同等程度地加快正向反应和逆向反应D、正向反应和逆向反应速率都无变化答案：C45.改进环焊电极度平行可以防止()。A、熔化金属飞溅B、电极触头沾熔C、产生焊料缝空隙D、提升打火答案：C46.以下哪种不是芯片封装可靠性测试项目？()。A、温度循环测试B、机械振动C、热冲击D、高压蒸煮答案：B47.生产、经营、储存、运输、使用危险化学品和处置废弃危险化学品单位的（）对本单位危险化学品的安全负责。A、保卫部门负责人B、安全部门负责人C、主要负责人D、生产部门负责人答案：C48.钎焊密封工艺温度控制包括（）。A、钎焊温度、保温时间和升降温速度B、升温速度、保温时间和降温速度C、钎焊温度、升温速度和降温速度D、预热温度、升温速度和降温速度答案：A49.粗检漏压完后将电路放进（）中进行检漏。A、丙酮B、氟油C、酒精D、去离子水答案：B50.SMT出现元件竖碑的主要原因是()。A、PCB板面温度不均匀B、锡膏助焊剂含量过多C、PCB板面温度过低D、PCB板面温度过高答案：A51.圆片减薄是对圆片进行()减薄。A、正面B、背面C、侧面D、边缘答案：B52.要改变可逆反应A+B=C+D的标准平衡常数，可以采取的措施是（）。A、改变系统的总压力B、加入催化剂C、改变A/B/C/D的浓度D、升高或降低温度答案：D53.用纸盒包装电路必须使用（）纸。A、酸性B、中性C、碱性D、非中性答案：B54.冲切不合格的是（）。A、引线端头有毛刺B、引线合乎规定长度C、符合公差要求D、未损伤封装结构的其它部位答案：A55.焊料焊的()性能比熔焊差。A、机械冲击B、耐腐蚀性C、耐盐雾D、耐老化答案：A56.陶瓷扁平封装代号是（）。A、WB、PC、FD、K答案：C57.当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍；A、1B、1/2C、1/3D、1/4答案：C58.任何一个封装结构非常完善的集成电路，其密封性能（）。A、不是绝对的B、是绝对的C、完全确定的D、是肯定的答案：A59.半导体温差致冷器的作用是（）。A、整流B、致冷C、抽真空D、分压答案：B60.一般MOS型集成电路的隔离是()。A、与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B、介质隔离C、介质隔离和PN结隔离D、自隔离答案：D61.室内温度要求控制在18~28℃，湿度要求控制在()。A、20％~50％B、30％~60％C、30％~70％D、40％~80％答案：C62.军用电路生产线产品质量要具有可追溯性，必须()。A、填写流程卡，工序原始记录B、填写工作日记C、记重要事件D、所做工作全部记录答案：A63.与平行封焊的焊接速度无关的是()。A、电极直径B、电流大小C、脉冲宽度D、脉冲频率答案：A64.柯伐合金用于各类管壳材料，合金由下列组成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-PB-Sn答案：B65.柯伐合金用于各类管壳材料，合金由下列组成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-W-CuD、Fe-W-Sn答案：B66.载流子在电场作用下的运动为（）。A、漂移运动B、扩散运动C、热运动D、共有化运动答案：A67.一般来说，集成电路的散热方式以（）为主。A、辐射B、对流C、传导D、对流和辐射答案：A68.CCGA主要焊柱90Pb10Sn材质主要特点是()。A、较硬B、较软C、较长D、较短答案：B69.SMT印刷完锡膏的产品必须在几小时内完成贴装及焊接()。A、30minB、2hC、1hD、1.5h答案：B70.混合集成电路金属封装有（）、浅腔型、扁平型和圆型A、平板型B、平面型C、底盘型答案：A71.军用混合微电路生产线产品质量要具有可追溯性，必须()。A、填写流程卡B、填写工序原始记录表C、填写工作日记D、A和B答案：D72.共晶粘片时，通常采用的保护气体是()。A、N2B、氩气C、H2D、96%N2+4%H2答案：A73.引出端识别标志很少采用()。A、凹口B、凸点C、缺角D、文字答案：D74.外部互联主要由最早的()方式发展到目前的表面粘装方式。A、镶嵌B、粘接C、插装D、封装答案：D75.塑封料中包含离子污染物，包括来自用于树脂环氧化过程中的环氧氯丙烷中的().作为阻燃剂添加入树脂的()。A、氯离子，溴离子B、碘离子，氯离子C、溴离子，氯离子D、铁离子，碘离子答案：A76.质量管理体系文件包括（）。A、质量手册，程序文件B、相关的运行，控制文件C、作业规范，质量记录D、A.B和C答案：D77.杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。A、硼或铁B、铁或铜C、硼或磷D、金或银答案：C78.作为目前航天领域较为先进的CBGA和CCGA形式，其在()和可靠性方面具有独特优势。A、输入参数B、引出端数C、植入参数D、得出端数答案：B79.混合电路内部多余物的最主要来源于()。A、管壳B、元件C、组装与键合工艺D、传递答案：C80.为了将物体的外部形状表达清楚，一般采用（）个视图来表达。A、二B、三C、四D、五答案：A81.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锗合金熔点为()。A、327℃B、356℃C、380℃D、397℃答案：B82.人体发生触电后，根据电流通过人体的途径和人体触及带电体方式，一般可分为单相触电、两相触电及（）。A、三相触电B、跨步电压触电C、直接触电D、间接触电答案：B83.倒装焊球的直径大致在()范围内。A、100~150μmB、50~300μmC、80~300μmD、80~150μm答案：C84.下列关于Na和Na+的叙述中,错误的是（）。A、具有相同的质子数B、它们的化学性质相似C、钠离子是钠原子的氧化产物D、灼烧时火焰都呈黄色答案：B85.目前，SMT每人每小时的平均产量目标是()。A、68.7PCSB、60PCSC、67.8PCSD、70PCS答案：C86.HIC电路老炼是指（）。A、按HIC产品技术要求在额定温度和时间内对电路通电工作的方式B、将HIC产品在高温条件下放置数小时C、将HIC产品在高温条件下加电测试D、将HIC产品在高温下工作数小时后，再放在低温下工作数小时答案：A87.下列不属于扫描电子显微技术优点的是：()。A、有较高的放大倍数，20-20万倍之间连续可调B、有很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表

面的细微结构C、试样制备简单D、试样制备复杂答案：D88.钎焊密封工艺主要用于陶瓷封装和（）。A、塑料封装B、金属封装C、金属陶瓷封装答案：C89.电阻膜越厚，则其阻值相对（）。A、越大B、越小C、不变D、与厚度无关答案：B90.XRF分光计的穿透深度是根据所使用的材料而变化的，但是能超过()um。A、70B、30C、50D、20答案：C91.扁平封装结构的最大厚度为()。A、2.0mmB、2.1mmC、4mmD、4.2mm答案：B92.焊料焊时施加的压力应根锯()而定。A、焊接面积B、焊料熔化温度C、金属厚度D、管壳种类答案：A93.《中华人民共和国安全生产法》自（）起施行。A、2002年9月1日B、2002年10月1日C、2002年11月1日D、2002年12月1日答案：C94.超声键合对键合表面清洁度要求()。A、较高B、较低C、不要求D、目检合格答案：A95.在阻值调整后，还应进行直流负荷试验。即在电阻上加相当于（）额定功率的直流电压，负荷时间为5s。但对阻值低于200Ω的电阻，不进行此项试验。A、1倍以下B、2～5倍C、10～100倍D、1000倍左右答案：B96.我司SMT工序的的温湿度要求分别是()。A、22±3℃.30-65%B、25±3℃.45-65%C、25±3℃.40-60%D、26±3℃.40-70%答案：C97.为了加速塑料的交联反应而固化，塑封时应加入（）。A、脱模剂B、着色剂C、阻燃剂D、固化剂答案：D98.下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。A、含硼1×1015cm-3的硅B、含磷1×1016cm-3的硅C、含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅D、纯净的硅答案：A99.如在半导体中以长声学波为主要散射机构是，电子的迁移率n与温度的（）。A、平方成正比B、2/3次方成反比C、平方成反比D、2/3次方成正比答案：B100.()是一种性能优良的热沉材料。A、陶瓷B、晶体硅C、碳化硅铝D、水银答案：C101.航天用倒装焊基板主要采用()基板。A、塑封B、陶瓷C、不锈钢D、铜制答案：B102.下列哪个不属于鉴定过程？()A、实物鉴定B、虚拟鉴定C、产品鉴定D、量产鉴定答案：A103.氮气是一种（）气体。A、还原性B、氧化性C、惰性D、可燃答案：C104.质量问题归零五条标准的根本任务是()。A、防止质量问题再发生B、处理应急质量事故C、完成型号生产任务D、为了教育大家答案：A105.我司BM123贴片机气压的控制标准是()。A、0.5-0.55MPaB、0.3-0.50MPaC、0.2-0.55MPaD、0.4-0.45MPa答案：D106.陶瓷封装一般采用（）工艺制造，用90%~95%氧化铝陶瓷做绝缘，有黑色和白色陶瓷之分。A、共烧多层陶瓷B、陶瓷C、金属化答案：A107.电阻率的国际单位为（）。A、ΩB、Ω/㎝C、Ω·mD、Ω·㎝答案：C108.混合电路内部发现的污染物主要来源()。A、外观检验B、成品入库C、工艺加工D、大气答案：C109.对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。A、单调上升B、单调下降C、经过一个极小值趋近EiD、经过一个极大值趋近Ei答案：D110.佩戴防静电手环的目的是（）。A、防止污染器件B、防止划伤器件C、防止器件静电损伤D、防止人员触电答案：C111.超声键合所用的硅铝丝是含1%硅的冷拉铝丝，加硅的目的是()。A、提高铝丝的抗拉强度B、提高铝丝的抗氧化能力C、提高铝丝得到通能力D、提高铝丝机械强度答案：A112.不属于熔焊的是()。A、红外焊B、环焊C、平行封焊D、电子束焊答案：A113.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锗合金熔点为()。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃答案：B114.三氧化二铬是一种()。A、脱模剂B、着色剂C、固化剂D、填充剂答案：B115.细检漏使用（）气体施加压力。A、氧气B、氦气C、氩气D、氮气答案：B116.单晶硅中的硅原子排列是()。A、无规则的B、有规则的C、仅在一个方向上有规则D、不确定答案：B117.NPN型和PNP型晶体管的区别是（）。A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同答案：C118.钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内湿度控制。为了控制腔体内的湿度，应设立（）。A、湿度检测工艺B、预烘烤工艺C、预封工艺D、真空封装工艺答案：B119.塑封递模成型法引线框架预热温度一般为()℃。A、20～40B、40～60C、80～120D、l30～140答案：C120.平行缝焊参数不包括（）。A、质量B、脉冲宽度C、压力D、速度答案：A121.《安全生产法》规定，生产经营单位不得使用国家明令淘汰、什么？（）。A、工艺，设备B、工具C、原材料D、设备答案：A122.环焊时提高充电电压可以()。A、增强焊接强度B、防止金属飞溅C、防止表面污点D、防止触头沾熔答案：A123.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。A、ECB、EvC、EgD、EF答案：D124.变频损耗是（）的重要参数。A、晶体管B、开关二极管C、混频二极管答案：C125.对于单片航天用陶瓷封装工艺线静电控制，需要建立()系统。A、防静电B、接地线C、放电D、等电位答案：D126.平行缝焊滚轮电极的材料可以是（）。A、生铁B、钨铜C、化镀镍D、电镀镍答案：B127.JEDEC给出的标准规定：LSI芯片封装面积小于或等于LSI裸芯片面积()的产品称为CSP，制备CSP芯片的技术称CSP技术。A、150%B、120%C、100%D、80%答案：C128.粗检漏使用（）气体施加压力。A、氧气B、氦气C、氩气D、氮气答案：D129.基片应具有良好的绝缘性能，即要有高的（）。A、强度B、导电性C、密度D、绝缘电阻率答案：A130.超声键合的尾丝不能超过铝丝直径的()。A、一倍B、两倍C、三倍D、三倍半答案：B131.铝丝超声焊的尾丝不能超过铝丝直径的()。A、一倍B、两倍C、三倍D、四倍答案：B132.三极管的ICEO大，说明其（）。A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差答案：D133.硅导带结构为（）。A、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面B、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面C、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面D、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面答案：D134.实验室用氧化钠配制50g质量分数为6％的氯化钠溶液。下列说法中不正确的是（）。A、所需氯化钠的质量为3gB、氯化钠放在托盘天平的左盘称量C、俯视量筒读数会使所配溶液偏稀D、所需玻璃仪器有烧杯、玻璃棒、量筒等答案：C135.《安全生产法》规定生产经营单位的从业人员应当严格遵守本单位的（）。A、安全生产规章制度和操作规程B、劳动纪律C、技术标准答案：A136.红外光显微镜是一种利用波长在()nm到()μm范围内的红外光作为像的形成者，用来观察某些不透明物体的显微镜。A、800；40B、800；80C、800；20D、20；800答案：C137.下列不属于鉴定试验的目的是()。A、评价产品的质量，判断其是否符合设计要求；B、估计其预期工作寿命和有效性；C、获得器件及其结构完整性的信息；D、评价材料.工艺和设计的效能。答案：B138.平行缝焊盖板的镀层材料通常是（）。A、化镀镍B、化镀铜C、电镀铜D、电镀银答案：A139.目前使用的锡膏每瓶重量()。A、500gB、250gC、800gD、1000g答案：A140.返修工艺步骤是：()A、电路板和芯片预热→涂助焊剂.焊锡膏→拆除芯片→清洁焊盘→贴片.焊接B、电路板和芯片预热→清洁焊盘→涂助焊剂.焊锡膏→拆除芯片→贴片.焊接C、电路板和芯片预热→拆除芯片→清洁焊盘→涂助焊剂.焊锡膏→贴片.焊接D、电路板和芯片预热→涂助焊剂.焊锡膏→贴片.焊接→拆除芯片→清洁焊盘答案：C141.四边扁平封装英文简称是()。A、OIPB、QFPC、BGAD、IP答案：B142.安全用电压()。A、110VB、220VC、380VD、36V答案：D143.航天用器件中常用合金成分为()。A、有银焊膏B、有铜焊膏C、有铅焊膏D、有锡焊膏答案：C144.使用显微镜时，（）。A、应用小倍数镜头开始调整，然后换成大倍数镜头B、直接用大倍数镜头观察C、应用大倍数镜头开始调整，然后换成小倍数镜头D、无所谓大小倍数镜头的调整答案：A145.与分析工具性能相关的因素不包括()A、分辨率B、穿透率C、方法（破坏性的或非破坏性的）D、材料颜色答案：D146.属于非气密性封装的是()。A、金属B、玻璃C、陶瓷D、塑料答案：D147.在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。A、在禁带中线处B、靠近导带底C、靠近价带顶D、以上都不是答案：B148.大多数硅芯片主要采用金属()来制作芯片电路布线。A、铜B、金C、银D、铝答案：D149.金锡共晶焊料的熔点为（）。A、150℃B、280℃C、350℃D、400℃答案：B150.氟碳化合物加压检漏工艺流程如下：（1）将器件置于加压箱中并抽真空；（2）在不破坏真空条件下，注入（），充一定压力气体，保存一定时间；（3）取出器件并使其干燥；（4）将器件置于检漏仪浴槽中，浴槽中的（）已加热到125℃±5℃。A、高沸点氟油低沸点氟油B、低沸点氟油高沸点氟油C、低沸点氟油低沸点氟油D、高沸点氟油高沸点氟油答案：B151.产品质量()。A、是设计出来的B、是制造出来的C、是检验出来的D、是多种质量因素的综合反应答案：D152.人体佩带的接地腕带的合格接地电阻值应为（）之内。A、7.5X105~3.5X107ΩB、7.5X10-5~3.5X10-7ΩC、＜7.5X105Ω答案：A153.首件鉴定是鉴定（）。A、过程能力B、批生产能力C、产品质量D、生产效率答案：A154.（）封装不需由外壳厂进行配套,因而工作量大为降低。A、熔封B、平行封焊C、焊料焊D、塑料答案：D155.平行封焊的圆锥形电极最好使用()。A、钨铜B、黄铜C、紫铜D、合金钢答案：A156.玻璃陶瓷扁平封装的代号是()。A、WB、DC、FD、P答案：A157.滴定管正确的读数方法是从水平方向读取弯月面的（）数值。A、最高点B、最低点C、平均D、加权答案：B158.CMOS电路组装中禁止的是()。A、穿防静电工作服B、带防静电手镯C、用防静电周转箱D、用塑料板铺设工作台答案：D159.锡膏的保质期为6个月，必须存储存温度()无霜的情况下。A、0-5℃B、≤5℃C、≤10℃D、0-10℃答案：D160.目前航天用陶瓷封装工艺线的净化等级为()级。A、千级B、万级C、十万D、百万答案：B161.关键过程是（）。A、形成关键特性的主要过程B、指对形成产品质量起决定性作用的过程C、指关键工序的所有过程D、指生产过程中的衔接环节答案：B162.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锑合金熔点是()。A、280℃B、370℃C、360℃D、320℃答案：C163.把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。A、改变禁带宽度B、产生复合中心C、产生空穴陷阱D、产生等电子陷阱答案：D164.某电路的内腔高度0.91mm，按照GJB548B2020.1条件APIND条件是（）。A、加速度20g，频率130HZB、加速度10g，频率130HZC、加速度20g，频率120HZD、加速度10g，频率120HZ答案：A165.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（）。A、大电阻B、接通的开关C、断开的开关答案：B166.一般纸张的燃烧点为（）℃，棉花燃烧点。A、120B、130C、240答案：B167.链式熔封炉通常是在气氛下进行封帽（）。A、氧气B、氦气C、氩气D、氮气答案：D168.氯气泄漏时，抢修人员必须穿戴防毒面具和防护服，进入现场首先要（）。A、加强通风B、切断气源C、切断电源D、抢救设备答案：B169.厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A、降低B、升高C、保持不变答案：A170.塑封膜具温度取决于模塑料的温度性能、流动性能及物理特性，一般采用（）。A、175℃±5℃B、75℃±5℃C、275℃±5℃答案：A171.集成电路工艺制造过程中，化学试剂最纯的为（）。A、化学纯B、MOS纯C、分析纯D、电子纯答案：B172.从保护环境的角度选用焊膏应该选择哪种类型()。A、有机溶剂清洗型B、水清洗型C、半水清洗型D、免清洗型答案：D173.MOS场效应器件是利用半导体表面的（）来工作的。A、积累层B、耗尽层C、反型层答案：C174.玻璃在400℃左右开始软化，700℃完全（），熔融玻璃对促进固体颗粒烧结、形成膜结构起重要作用。A、液化B、固化C、熔化答案：C175.共晶粘片时，焊料尺寸应该是芯片尺寸的()左右。A、100%B、80%C、60%D、50%答案：B176.在显微镜的发展史中，贡献最为卓著的是德国的物理学家.数学家和光学大师()。A、恩斯特·阿贝B、沃尔夫冈·泡利C、尼古拉·特斯拉D、理查德·费曼答案：A177.平行缝焊过程中，如果盖板表面平整度差或电极磨损严重，可能发生（）现象。A、电击B、烧穿C、静电D、打火答案：D178.检验批识别代码9812表示()。A、98年1月2日B、98年12月C、98年第12周D、98年1月12日答案：C179.链式封装炉在炉端设有几道机械帘和氮气帘装置，是为了防止()。A、空气进入B、H2溢出C、热散失D、空气进入和H2爆炸答案：D180.以下哪种不是芯片键合技术？()A、WBB、TABC、ILBD、FCB答案：C181.超声键合的机理是()。A、塑性流动B、磨擦C、超声功率D、超声功率和时间压力、互相匹配答案：D182.熔焊的常用金属盖板是由柯伐合金冲制而成的，厚度为()。A、0.05mm～0.1mmB、0.1mm～0.15mmC、0.15mm～0.5mmD、0.5mm～0.7mm答案：C183.目前我司SMT生产线，每小时可贴装元器件是()。A、5万个B、15万个C、10万个D、20万答案：C184.从业人员在作业过程中不应当（）。A、遵守安全生产规章制度和操作规程；B、服从管理；C、不怕困难，勇于牺牲；D、正确佩戴和使用劳动防护用品。答案：C185.某三极管处于放大状态时，其发射结、集电结分别处于()状态。A、正向、正向B、正向、反向C、反向、正向D、反向、反向答案：B186.国内外常用的焊球材料主要分为()和()两类。A、有铅和无铅B、有铅和有锡C、有铅和无锡D、无铅和有锡答案：A187.底部填充胶材料的杨氏模量和玻璃化温度必须足够高，这样对焊点的()改善才有帮助。A、热失配B、可靠性C、热疲劳寿命D、结合力大小答案：B188.环焊时压力与被焊部位电阻的关系是()。A、压力大、电阻大B、压力大、电阻小C、压力大、电阻不变D、压力小、电阻小答案：B189.实验室用氯化钠固体配制100g溶质质量分数为8%的氯化钠溶液，下列说法错误的是（）。A、实验的步骤为计算、称量、量取、溶解B、量取水时，用规格为100mL的量筒C、若用量筒量取水时俯视凹液面的最低处，则配制溶液的质量分数小于8%D、溶解过程中玻璃棒搅拌的作用是加快氯化钠的溶解答案：C190.理想电压源的特点之一是（）。A、端电压固定不变，与外接电路无关B、通过它的电流与外接电路无关C、端电压与电压源的内阻有关D、可以作为实际的电压源答案：A191.网印刮板材料，目前最常用的刮板材料是（）。A、不锈钢B、尼龙C、聚氨基甲酸脂答案：C192.塑封递模成型工艺中，注塑压力在保证成型的前提下，应使用（）压力。A、较大的B、较低的C、巨大的D、微弱的答案：B193.球栅阵列封装英文简称是()。A、QFPB、OIPC、DIPD、BGA答案：D194.低熔玻璃属于()。A、冷焊B、有机树脂封装C、熔焊D、焊料焊答案：D195.二极管正向电阻（）反向电阻。A、大于B、小于C、等于答案：B196.我司的产品主要由()组成。A、控制板和外壳B、主板和显示板C、变压器和继电器D、主板和变压器答案：B197.在突缘电阻焊中，模具结构设计应遵循原则之一是保证外壳管帽与底座（）。A、连接B、紧密接触C、同心答案：C198.以下哪种不是封装材料的性能指标？()。A、湿热机械性B、电学性能C、疲劳系数D、化学性能答案：C199.卧式管状氢气封装炉属于()烧结炉。A、连续式B、间歇式C、既可连续也可间歇工作答案：B200.氦气是一种（）气体。A、还原性B、氧化性C、惰性D、可燃答案：C201.SMT吸嘴吸取基本原理()。A、磁性吸取B、粘贴吸取C、真空吸取D、以上都是答案：C202.下面不是塑封缺点的是()。A、易自然老化B、热性能差C、电寄生参数小D、电屏蔽性差答案：C203.M答案：CM采用的新技术是指()。A、混合电路B、表面帖片C、PCBD、裸芯片、多层板预测试后组装成为多功能组件答案：D204.以下哪种不是气密性封装的主要材料？()。A、金属B、陶瓷C、玻璃D、碳化硅答案：D205.PN结正向连接时P区接()，N区接()；PN结反向连接时P区接()，N区接()。A、正负负正B、正负正负C、负正负正D、负正正负答案：A206.P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）。A、正电B、负电C、电中性答案：C207.功率电路散热底座上的螺孔是为了()。A、以便外接散热器B、节省材料C、美观D、加强机械强度答案：A208.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。A、1/n0B、1/△nC、1/p0D、1/△p答案：A209.热压键合法的机理是()。A、低温扩散B、塑性流动C、低温扩散和塑性流动结合D、机械压力答案：C210.一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。A、杂质电离，本征激发B、本征激发，杂质电离C、施主电离，本征激发D、本征激发，受主电离答案：A211.将铁的化合物溶于盐酸，滴加KSCN溶液不发生颜色变化，再加入适量氯水，溶液立即呈红色的是（）。A、Fe2O3B、FeCl3C、Fe2(SO4)3D、FeO答案：D212.()是会破坏部分或全部封装的密封微电子封装的缺陷和失效分析方法。A、破坏性评价B、两者均可C、非破坏性评价D、两者都不是答案：C213.半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是良好的电性能，外壳应有小的（A），使器件的电特性得到有效发挥。A、寄生参数B、电参数C、结构参数答案：A214.锗的晶格结构和能带结构分别是（）。A、金刚石型和直接禁带型B、闪锌矿型和直接禁带型C、金刚石型和间接禁带型D、闪锌矿型和间接禁带型答案：C215.平行缝焊盖板的基材通常是（）。A、铜合金B、铝合金C、金D、可伐合金答案：D216.低温玻璃密封工艺流程如下：

配玻璃料→印刷→烘干→封引线框架→检验→（）→（）→（）→检验→清洗→电镀→测试→打印→包装。A、芯片装架熔封检验B、熔封芯片装架检验C、熔封检验芯片装架D、检验熔封芯片装架答案：A217.Au-Sn合金焊料的最大缺点是（）。A、不耐腐蚀B、工艺复杂C、机械强度差D、成本高答案：D218.在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）。A、焊接电流、焊接电压和电极压力B、焊接电流、焊接时间和电极压力C、焊接电流、焊接电压和焊接时间D、焊接电流、焊接温度和焊接时间答案：B219.全密封金属外壳封装时，()封装形式对外壳的表面条件要求最高。A、激光焊B、钎焊C、玻璃熔封D、贮能焊答案：A220.共晶粘贴中合金组成物金属的熔点与它在纯金属状态下的熔点相差多少？()A、80℃B、100℃C、150℃D、200℃答案：B221.碳化硅铝有()不易变形和质量轻的优点。A、密度大B、密度小C、坚硬D、柔软答案：B222.不能用NaOH溶液除去括号中的杂质的是（）。A、Mg（Al2O3）B、MgCl2（AlCl3）C、Fe（Al）D、Fe2O3（Al2O3）答案：B223.塑封电路在模塑后还要对外引线进行()表面保护。A、光亮镀锡B、镀镍C、镀暗镍D、镀金答案：A224.稳压管（）。A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管答案：C225.塑封内部互连用金丝是因为()。A、金延展性好B、金耐腐蚀C、金丝的耐磨性好D、水汽首先腐蚀芯片表面的铝层答案：D226.芯片共晶焊接工艺中所用的金-硅合金的熔点是()。A、183℃B、221℃C、370℃D、397℃答案：C227.()结构是目前国内外光电外壳最通用的封装结构形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封装答案：A228.密封性能筛选通常采用（）。A、显微镜B、示波器C、检漏仪答案：C229.全密封金属外壳封装时，()封装形式对外壳的表面条件要求最高。A、激光焊B、金锡融封C、玻璃熔封D、平行封焊答案：A230.批量性质量问题的定义是()。A、超过5%的不良率B、超过3%的不良率C、超过4%的不良率D、超过6%的不良率答案：A231.超声键合法的机理是()。即利用机械的高频振动（超声能量），使焊丝在焊点上摩擦。通过自上而下的压力发生塑性变形，破坏表面氧化层并暴露新鲜表面达到迅速冷焊。A、塑性流动B、摩擦C、塑性流动和摩擦的结合D、低温扩散答案：C232.因生产安全事故受到损害的从业人员除依法享有工伤社会保险外，（）。A、有权向本单位提出赔偿要求；B、可以解除劳动合同；C、提出对责任人的处理要求。答案：A233.封装管壳的任意两引线间的绝缘电阻应（）。A、大于1×109ΩB、小于1×109ΩC、大于1×1010ΩD、小于1×1010Ω答案：C234.氦质谱检漏工艺步骤如下：（1）将器件置于压力箱中并抽低真空；（2）给压力箱充（）并保持一段时间；（3）取出器件将表面吸附的氦气体吹掉。A、氦气B、氩气C、氮气D、氢气答案：A235.常用的电阻焊有电焊、突缘电阻焊和（）。A、平行缝焊B、四边焊C、平行焊D、焊料焊答案：A236.CCGA主要焊柱80Pb20Sn材质主要特点是()。A、较硬B、较软C、较长D、较短答案：A237.保证低熔点玻璃气密性的一个标志是金属与其表面氧化层有()。A、良好的浸润B、良好的结合力C、剥离D、间隙答案：B238.环焊主要是由于产生了瞬时的大()产生局部熔化。A、电压B、电流C、压力D、压强答案：B239.金属陶瓷封装一般采用（）制造，用90%~95%氧化铝陶瓷作绝缘，氧化铍陶瓷做导热，金属作底盘和引线。A、多层共烧陶瓷工艺、氧化铍金属化工艺和钎焊工艺B、多层共烧陶瓷工艺C、钎焊工艺答案：A240.两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后，总电阻值等于各个电阻值的总和，这是（）。A、串联B、并联C、混联D、其它答案：A241.大部分环氧塑封料需要在170～175℃之间进行()的后固化工艺以实现完全固化。A、4～8hB、8～12hC、1～4hD、12～24h答案：C242.下列符号中表示强制国家标准的是（）。A、GB/TB、GB/ZC、GB.D、GJB答案：C243.用滴管把液体树脂滴涂到键合后的芯片上，经加热固化成型，此方法称()。A、浇铸法B、递模成型法C、填充法D、滴涂法答案：D244.如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A、施主B、复合中心C、陷阱D、两性杂质答案：D245.平行缝焊的焊轮椎顶角可影响（）的大小。A、焊接压力和焊点B、焊接速度C、焊接电流D、焊接温度答案：A246.倒装焊产品还具有优越的电学和()性能。A、热学B、能量学C、光学D、镶嵌学答案：A247.环焊前应用()打磨电极。A、水砂纸B、粗砂纸C、锉刀D、纱布答案：A248.由于平行缝焊的焊缝在外壳边缘，被熔焊的区域很小，属局部加热，因此对芯片的（）小。A、热冲击B、机械冲击C、影响答案：A249.一个阻值为25Ω的电阻，允许加的最高电压为5V，则其额定功率为（B）。A、10WB、2.0WC、1.0WD、0.5W答案：B250.决定原子轨道的形状，并在多电子原子中与主量子数n共同决定轨道能级的量子数为：（）。A、lB、mC、sD、l和m答案：A251.封帽完成的电路在（）设备下检测空洞是否合格。A、金相显微镜B、扫描电镜C、X射线D、体视显微镜答案：C252.模塑料预热，一般采用高频加热方式，预热温度为（），预热后的模塑料应迅速放入模具中。A、60~65℃B、70~75℃C、90~105℃答案：B253.柯伐合金用于各类管壳材料，合金由下列组成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Ni-CuD、Fe-Ni-Sn答案：B254.经过室温静置的湿膜，即可进行干燥。干燥的目的是（）。A、使浆料中易挥发的有机溶剂蒸发掉B、使印刷好的浆料膜硬化C、使图形固定D、便于移动答案：A255.铝具有较强的抗腐蚀性能，主要是因为（）。A、与氧气在常温下不反应B、铝性质不活泼C、铝表面能形成了一层致密的氧化膜D、铝耐酸耐碱答案：C256.当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）。A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子答案：A257.化学反应速率等于逆反应速率，意味着（）。A、化学反应达到平衡B、反应进行完全C、正、逆反应的焓变相等D、反应物浓度等于生成物浓度答案：A258.在静电防护区域，需要严格管理绝缘物品和导体使用，保证与敏感器件直接接触的材料为()类材料。A、防静电B、绝缘体C、静电耗散D、接地线答案：C259.内部互联主要由()互联技术发展到目前较为先进的倒装焊互联技术。A、CBGA植球B、CCGA植柱C、引线键合D、圆片减薄答案：C260.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锗合金熔点为()。A、327℃B、356℃C、377℃D、410℃答案：B261.SMT回流焊中使用氮气的作用是()。A、阻止氧气进入回流焊B、协助助焊剂焊接C、改善元器件及锡氧化D、以上都不是答案：A262.内部互联主要分为引线键合封装工艺和()封装工艺两种。A、倒装焊B、CBGA植球C、CGA植柱D、底部填充答案：A263.杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。A、变大，变小B、变小，变大C、变小，变小D、变大，变大答案：B264.产品质量的好坏包含()。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标D、A.B和C答案：D265.从理论上讲,集成电路的寿命是无限的。但由于材料、制造工艺、设计上的不合格因素，容易造成产品的（）失效。A、早期B、中期C、考核D、工作答案：A266.平行缝焊的焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。压力太大，电阻值下降。对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好焊点。A、电流值B、电阻值C、电压值D、分压值答案：B267.在空气不流通的狭小地方使用二氧化碳灭火器可能造成的危险是（）。A、中毒B、缺氧C、爆炸D、火灾答案：B268.有效复合中心的能级必靠近（）。A、禁带中部B、导带C、价带D、费米能级答案：A269.激光调值方法一般只能将电阻的阻值（）。A、调大B、调小C、稳定D、不变答案：A270.金属与半导体形成欧姆接触的一种方式是使半导体的参杂浓度大于()。A、1015cm3B、1017cm3C、1019cm3D、1021cm3答案：C271.用等质量的金属钠进行下列实验，产生氢气最多的是（）。A、将钠放入足量的稀盐酸中B、将钠放入足量的稀硫酸中C、将钠放入足量的氯化钠溶液中D、将钠用铝箔包好，并刺一些小孔，放入足量的水中答案：D272.重空穴是指（）。A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴答案：C273.芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为()。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃答案：A274.及时将芯片工作所产生的热量散发出去，可以保证电路的性能和()。A、可靠性B、作用C、安全性D、连通答案：A275.如果二极管的正、反向电阻都很小，则该二极管（）。A、正常B、已被击穿C、内部断路答案：B276.胶封工艺流程如下：

器具、工件清洗→称量配胶→搅拌→排气→（）→（）→（）→检验。A、涂胶固化胶粘B、涂胶粘合固化C、粘合涂胶固化D、涂胶固化粘合答案：B277.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锑合金熔点是()。A、280℃B、302℃C、360℃D、382℃答案：C278.集成电路的丝网印刷中图像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷机、印版、承印物（基板）、浆料等都需要高精度的，印刷场所也一定要保持恒温，并清除（）。A、闲杂人员B、尘埃C、不用的设备答案：B279.电对人体的伤害种类是（）。A、电击B、电弧灼伤C、电伤D、A＋C答案：D280.从金属利用的历史来看，先是青铜器时代，而后是铁器时代，铝的利用是近百年的事。这个先后顺序跟下列有关的是（）。

①地壳中的金属元素的含量；②金属活动性；③金属的导电性；④金属冶炼的难易程度；⑤金属的延展性；A、①③B、②⑤C、③⑤D、②④答案：D281.集成电路的组装顺序是()。A、中测→划片→粘片→键合→封装B、划片→中测→键合→封装→检漏C、划片→键合→中测→粘片→封装D、中测→划片→组装→封装→键合答案：A282.一个阻值为100Ω的电阻，允许加最高电压为10V，则其额定功率为()。A、10WB、1WC、0.1WD、2W答案：B283.按照焊膏的合金成分分类，焊膏材料主要分为有铅焊膏和（）两种A、无铅焊膏B、有锡焊膏C、无锡焊膏D、有铜焊膏答案：A284.我司Sn膏与Sn丝的熔点是()。A、163℃B、173℃C、193℃D、183℃答案：D285.防静电手镯和地线之间应该()。A、导通B、接10Ω左右的电阻C、接1MΩ左右的电阻D、10KΩ左右的电阻答案：C286.在某无色溶液中缓慢地滴入NaOH溶液直至过量，产生沉淀的质量与加入的NaOH溶液体积的关系如右图所示，由此确定，原溶液中含有的阳离子是（）。A、Mg2+、Al3+、Fe2+B、H+、Mg2+、Al3+C、H+、Ba2+、Al3+D、只有Mg2+、Al3+答案：B287.下列离子方程式书写正确的是（）。A、铝粉投入到NaOH溶液中：2Al+2OH-══2AlO2-+H2↑B、AlCl3溶液中加入足量的氨水：Al3++3OH-══Al(OH)3↓C、三氯化铁溶液中加入铁粉Fe3++Fe=2Fe2+D、FeCl2溶液跟Cl2反应：2Fe2++Cl2=2Fe3++2Cl-答案：D288.芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为()。A、280℃B、179℃C、183℃D、363℃答案：A289.ES答案：D识别标志中的符号△表示（）。A、1级0V～1999VB、2级2000V～3999VC、3级4000VD、2级4000V答案：A290.一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。A、没有被电子占据，电子所占据，1/2B、电子所占据，没有被电子占据，1/2C、没有被电子占据，电子所占据，1/3D、电子所占据，没有被电子占据，1/3答案：A291.平行缝焊的焊接速度与焊点直径成正比，而焊点直径又与焊接电流大小有关，因此焊接速度可随（）的不同加以选择。A、盖板材料B、盖板尺寸C、焊接电流D、盖板硬度答案：C292.地面上的绝缘油着火，应用（）进行灭火。A、水B、二氧化碳灭火器C、干砂D、湿布答案：C293.用于裸芯片连接在基板上的FCT称为()，采用FC互连技术的芯片封装型式称为()。A、FCB，FCTB、FCP，FCTC、FCP，FCBD、FCB，FCP答案：D294.塑封料与芯片间的应力随芯片面积的增大而()。A、增大B、减小C、不变D、变化但是不定性答案：A295.半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。A、漂移运动B、扩散运动C、热运动D、共有化运动答案：B296.集成电路组装工序大体是()。A、中测—划片—键合—封装—成品测试B、划片—中测—键合—封装—成品测试C、划片—键合—封装—中测—成品测试D、中测—划片—粘片—键合—封装—成品测试答案：D297.双极晶体管的高频参数是（）。A、hFEVcesB、VCBBVCEC、fTfM答案：C298.环氧树脂类和聚酰胺类粘合剂都属于（）粘合剂。A、热塑性B、热固性C、结构性D、光敏性答案：B299.环焊电极度提升时打火，应()。A、提高电压B、降低电压C、改进电极度形状D、调整放电时间答案：D300.表面粗糙度中，Ra的单位为（）A、米B、毫米C、微米D、厘米答案：C301.玻璃在400℃左右开始软化，700℃完全熔化，熔融玻璃对促进固体颗粒烧结、形成膜结构起（）。A、一般作用B、不起作用C、重要作用D、辅助作用答案：C302.芯片功耗较大时，需在芯片背面粘接()。A、基板B、热沉C、陶瓷D、圆片答案：B303.实验室配制50g溶质质量分数为15%的氯化钠溶液。下列说法正确的是（）。A、托盘天平未经调零即用来称取氯化钠固体B、称量时托盘天平指针偏左，移动游码至天平平衡C、量取水时，用规格为50mL的量筒D、把配制好的氯化钠溶液倒入刚用蒸馏水润洗过的试剂瓶中，并贴上标签答案：D3