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CMOS模拟集成电路设计复习题一1/151.以N型MOSFET为例，画出对应I-V特征曲线，即IDS与VDS,VGS关系，并标出MOSFET线性区和饱和区范围，给出各区域成立条件2/152.画出一个经典P阱CMOS工艺反向器垂直剖面示意图，要求器件各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位3/153.什么是MOSFET小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信号跨导三种表示形式4/154.什么是MOSFET亚阈区，指出亚阈区电流与栅源电压关系5/151.解释什么是体效应？在初步分析MOSFET时候我们假设衬底和源级是接到地。而实际上当VB<VS时，器件仍能正常工作，不过伴随VSB增加，阈值电压VTH会随之增加，这种体电位（相对于源）改变影响阈值电压效应称为体效应，也称为“背栅效应”2.解释什么是沟道长度调制效应？当沟道发生夹断后，假如VDS继续增大，有效沟道长度L'会随之减小，造成漏源电流Id大小略有上升。这一效应成为“沟道……”6/154.图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。假如体效应不能忽略，请画出Vin和Vout关系曲线，并作出解释。7/158/155.图中MOS管作用是什么？应该工作在什么工作区？9/15即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想开关相正确，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想开关10/1511/156.计算电路小信号增益12/157.画出下列图小信号等效

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