晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程

第一章晶体硅太阳电池的根本原理和制造工艺流程晶体硅太阳电池已经成为当今光伏工业的主流，随着单晶硅、多晶硅太阳电池工厂的新近投资，这种作用还将持续下去[1]MartinA.Green，PresentandFutureofCrystallineSiliconSolarCells，TechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-14,Bangkok,Thailand,2004PL-4[1]MartinA.Green，PresentandFutureofCrystallineSiliconSolarCells，TechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-14,Bangkok,关于太阳电池的根本特性，Hovel已作出了全面的论述[2]H.J.Hovel,SolarCells,inR.K.WillardsonandA.C.Beer,Eds.,SemiconductorsandSemimetals.Vol.11.Academic,NewYork,1975:“[2]H.J.Hovel,SolarCells,inR.K.WillardsonandA.C.Beer,Eds.,SemiconductorsandSemimetals.Vol.11.Academic,NewYork,1975:“PhotovoltaicMaterialsandDevicesforTerrestrialApplications.”IEEETech.Dig.Int.ElectronDeviceMeet.,1979.p.3.晶体硅太阳电池的器件结构晶体硅太阳电池的根本结构见图1.，它由扩散法在外表形成的浅PN结，正面欧姆接触栅格电极，覆盖于整个反面的欧姆接触电极以及正面减反射膜构成。图1.硅PN结太阳电池根本结构图2.PERT太阳电池结构高效率晶体硅太阳电池那么有着更为复杂的结构和制造流程，如钝化发射极太阳电池PESC(passivatedemittersolarcell)，钝化发射极和反面太阳电池PERC(passivatedemitterandrearcell)，钝化发射结反面点接触太阳电池PERL(passivatedemitter,rearlocally-diffused)cells，钝化发射极反面全扩散太阳电池PERT(passivatedemitter,reartotally-diffused)cells，具有本征层的(a-Si)/(c-Si)异质结太阳电池(HITTM电池)，倾斜蒸发电极MIS-n+p太阳电池OECO〔obliquely-evaporated-contact〕，V型机械刻槽埋栅电极太阳电池(BuriedContactSolarCellwithV-groovedsurface)，反面接触电极太阳电池(BacksideContactSolarCell)等等。这些高效率晶体硅太阳电池，主要特点是充分考虑到引起光电转换效率损失的因素，在器件结构上进行了仔细的设计。图2.、图3.所示分别为PERT太阳电池、PERL太阳电池结构。图3.PERL太阳电池结构目前商业化生产的大多数晶体硅太阳电池，采用1970年代开发出的丝网印刷电极结构，见图4。这种结构的太阳电池具有制造过程简单，设备产能较高的优点。缺点是采用丝网印刷的正面电极在解决金属—半导体接触电阻和PN结的光电特性以及遮光问题之间不能令人满意。激光刻槽埋栅电极太阳电池，见图5，是澳大利亚新南威尔士大学光伏研究中心MartinA.Green教授及其研究团组，在1980年代将实验室高效晶体硅太阳电池技术低本钱应用于商业生产的一个范例。这种太阳电池的优点是正面兼有轻掺杂的受光区域和重掺杂的电极接触区域〔激光刻槽〕，因此，在改善金属—半导体接触电阻时，不必牺牲正面受光区域的PN结光电特性，同时可以最大限度地减小电极的遮光面积。缺点是设备产能较低。图3.激光刻槽埋栅电极太阳电池结构图4.丝网印刷选择性发射极示意丝网印刷选择性发射极太阳电池，在器件结构上与激光刻槽埋栅电极太阳电池相似，在制造工艺上更加简化，电极接触的“重”掺杂区和接收光照的“轻”掺杂区使用丝网印刷磷浆在一次扩散步骤中形成，见图4.。太阳辐射[3][3]施敏.著，黄振岗译，半导体器件物理，电子工业出版社，1987年12月第一版。太阳发出的辐射能来自核聚变反响。每秒钟约有6×1011kg的H2转变为He，净质量损失约为4×103kg，这一质量损失通过爱因斯坦关系〔E=mc2〕转变为4×1012μm在日—地平均距离的自由空间内的同样辐射强度定义为太阳常数，其值[4]C.E.Backus,Ed.,SolarCells,IEEEPress,NewYork,1976.4][5]M.P.Thekaekara,“DateonIncidentSolarEnergy.[4]C.E.Backus,Ed.,SolarCells,IEEEPress,NewYork,1976.[5]M.P.Thekaekara,“DateonIncidentSolarEnergy.”Suppl.Proc.20thAnnu.Meet.Inst.Environ.Sci.,1974.p.21.[5]〔单位波长单位面积的功率〕相关的四条曲线。上部的曲线代表地球大气层以外的太阳光谱，是大气质量为零的状态〔AM0〕。此状态可用5800K的黑体近似。AM0谱是与人造卫星和宇宙飞船应用相关的光谱。AM1谱代表太阳位于天顶时地表的阳光；入射功率约为925W/m2。AM2谱是对于θ=60而言的，其入射功率约为691W/m2。大气质量1.5的状态〔太阳与地平线成45°[6][6]C.H.Henry,“LimitingEfficiencyofIdealSingleandMultipleEnergyGapTerrestrialSolarCells,”J.Appl.Phvs.514494(1980)〔1〕AM1.5情形的总入射功率为844W/m2。图5.与太阳光谱相关的四条曲线〔引自Thekaekara的参考文献[5]〕图6.及相关半导体材料的带隙、理论光电转换效率〔引自Henry的参考文献[6]〕要进行太阳能发电，还必须了解在不同地点预计全年有多少太阳能。光谱响应[3]当波长为λ的单色光入射到太阳电池正面时，光电流和光谱响应〔在各波长下每个入射光子所收集的载流子数〕可推导如下。在距半导体外表x处的电子—空穴对产生率示于图8.〔a〕，表达式可以写成：〔2〕图8.〔a〕对于长波和短波光，电子—空穴对产生率与到半导体外表距离的关系。〔b〕太阳电池尺寸和少数载流子扩散长度。〔c〕太阳电池的假设突变掺杂分布。式中为吸收系数，为单位带宽每cm2每s的入射光子数，为这些光子的外表反射率[2]。硅的光吸收系数见图9.。图9.晶体硅的光吸收系数在小注入条件下，对p型半导体中的电子，一维稳态连续性方程为〔3〕对n型半导体中的空穴，为〔4〕电流密度方程为〔5〕〔6〕对于结每侧为恒定掺杂的突变p—n结太阳电池，在图8.〔b〕和〔c〕耗尽区以外没有电场，在有n型正面和p型底面的p-n结的情形，可将方程〔2〕、〔4〕、〔6〕联立解得到接上侧的表达式：〔7〕此方程的一般解为〔8〕式中，，为扩散长度。有两个边界条件。在外表，有复合速度为的外表复合：〔9〕在耗尽层边缘，因受耗尽区电场的作用，过剩载流子密度很低：在处〔10〕在方程〔8〕中代入这些边界条件，得到空穴密度为〔11〕最终得到耗尽区边缘的空穴光电流密度为〔12〕假定该p-n结太阳电池的正面区域在寿命、迁移率和掺杂浓度等方面都是均匀的，在给定波长下，这一光电流就可以从电池的正面被收集到。为了求得从电池底面收集到的电子光电流，要采用方程式〔2〕、〔3〕、〔5〕，其边界条件为：在处〔13〕在处〔14〕式中，W为耗尽层宽度，H为整个电池的宽度。方程〔13〕说明，在耗尽层边缘，过剩少数载流子密度接近于零，而方程〔14〕说明，背外表复合在欧姆接触处发生。引用这些边界条件后，在均匀掺杂p型底面的电子分布为〔15〕在耗尽区边缘处被收集到的电子所产生的光电流为〔16〕式中为图8.(b)所示的p型底面中性区。方程〔16〕是在假定底面区域在寿命、迁移率和掺杂浓度都是均匀分布的情况下推导出来的。假设这些量是距离的函数，就必须应用数值分析。在耗尽区内也产生一些光电流。该区内的电场通常很高，光生载流子在能够复合之前就受到加速而被扫出耗进区。单位带宽的光电流等于被吸收的光子数。〔17〕于是，在给定波长下的总光电流为方程〔15〕、〔16〕、〔17〕之和：〔18〕对于从外部观察到的光谱响应，此光谱响应〔SR〕等于方程〔18〕除以qF；对于内部光谱响应，光谱响应等于方程〔18〕除以qF〔1－R〕。〔19〕对于能隙为Eg的半导体，理想的内部响应是一阶跃函数，在时等于零，在时等于1〔如图9.〔a〕的点划线所示〕。对于Sin/p太阳电池，计算得到的逼真的内部光谱响应示于图9.(a)，此光谱响应在高光子能量下大大偏离理想化阶跃函数[2]。此图还示出了三个区域各自对光谱响应的奉献。器件参数为ND=5×1019cm-3，NA×1016cm-3，τpμs，τn=10μs，xjμm，H=450μm，S〔正面〕=104cm/s和S〔反面〕=∞。当光子能量低时，由于硅的吸收系数低，在底面区域产生大局部载流子，当光子能量增加到2.5eV以上，正面区域的载流子产生占优势，超出3.5eV时，变得大于106cm-1，光谱响应完全来自正面区域，因为假设Sp〔20〕外表复合速度Sp在光子能量高时对光谱响应尤有显著的影响，对于与图9.(a)有同样参数〔只是Sp从102变化到106cm/s〕的器件，外表复合速度效应示于图9.(b)。随着Sp的增加，光谱响应剧烈下降。方程〔20〕还说明，当Sp给定时，可通过增加扩散长度Lp来改善光谱响应。一般来说，为了增加有用波段的SR值，应同时增加Lp和Ln并同时降低Sp和S图9.(a)Sip-n结太阳电池经计算得到的内部光谱响应，图中示出了三个区域各自的奉献〔点划线是对于理想响应而言的〕。〔b〕Sip-n结太阳电池当有不同的外表复合速度时经计算得到的内部光谱响应〔引自Hovel的参考文献[2]〕F〔λ〕得到的总光电流密度为〔21〕式中为对应于半导体带隙的最长波长。为了得到最大的JL值，应使波段的R(λ)值增至最大。I-V特性晶体硅太阳电池的等效电路可以表示成图10.所示的形式。Rse表示来自电极接触、基体材料等欧姆损耗的串联电阻，Rsh表示来自泄漏电流的旁路电阻，RL表示负载电阻，ID表示二极管电流，IL表示光生电流。图10.晶体硅太阳电池的等效电路根据等效电路，可以写出p—n结太阳电池的I—V特性方程如下：〔22〕将p-n结二极管电流方程〔23〕代入方程〔22〕可以得到输出电流为：〔24〕式中q为电子电量，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，n为二极管质量因子。对于实际的太阳电池，二极管正向电流的数值由中性区的扩散电流和耗尽区内的复合电流组成。当复合电流占优势时，因子n=2，当扩散电流占优势时，n=1，当两种电流可以比较时，n介于1到2之间。当Rsh足够大，并联电阻引起的旁路电流可以忽略不记时。输出功率可以表示为：〔25〕图11所示为丝网印刷电极晶体硅太阳电池典型的I—V曲线和P—V曲线。短路电流Isc表示太阳电池输出端短路情况下能够输出的电流，开路电压Voc表示输出端负载电阻无穷大—即输出端开路状况下的输出电压，最大功率Pm表示输出的最大功率，Vpm和Ipm分别表示与最大功率点对应的输出电压和输出电流。填充因子FF定义为〔26〕光电转换效率定义为〔27〕式中Pin为输入太阳电池的光功率。要获得最高的转换效率，应使FF、Isc和Voc都最大。提高FF和Voc的途径是减小复合电流；改善电极欧姆接触，减小串联电阻Rse；提高并联电阻，减小旁路漏电流。提高Isc的途径是提高太阳电池对阳光的