MOOC 模拟电子技术基础-国防科技大学 中国大学慕课答案

MOOC模拟电子技术基础-国防科技大学中国大学慕课答案本征半导体1、问题：在绝对零度（0K）时，本征半导体中（）载流子。选项：A、有B、没有C、少数D、多数正确答案:【没有】2、问题：在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。选项：A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对正确答案:【电子-空穴对】3、问题：半导体中的载流子为（）。选项：A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴正确答案:【电子和空穴】4、问题：半导体中的空穴是（）。选项：A、半导体中的晶格缺陷形成的B、电子脱离共价键后留下的空位C、带正电的离子D、外部注入正确答案:【电子脱离共价键后留下的空位】5、问题：本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：半导体中的空穴带正电。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】01-02杂质半导体1、问题：N型半导体中的多子是（）。选项：A、电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案:【电子】2、问题：P型半导体中的多子是（）。选项：A、电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案:【空穴】3、问题：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。选项：A、掺杂工艺B、杂质浓度C、晶体缺陷D、温度正确答案:【杂质浓度】4、问题：在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。选项：A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷正确答案:【温度】5、问题：在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。选项：A、五价B、四价C、三价D、任意正确答案:【五价】6、问题：在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。选项：A、五价B、四价C、三价D、任意正确答案:【三价】7、问题：P型半导体带正电，N型半导体带负电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】01-03PN结1、问题：在下列说法中只有（）说法是正确的。选项：A、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得B、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体C、P型半导体带正电，N型半导体带负电D、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的正确答案:【在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体】2、问题：在下列说法中只有（）说法是正确的。选项：A、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的B、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过C、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性D、扩散电流是少子运动产生的正确答案:【漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的】3、问题：当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。选项：A、大于B、小于C、等于D、不确定正确答案:【大于】4、问题：当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。选项：A、大于B、小于C、等于D、不确定正确答案:【小于】5、问题：下列说法正确的是（）。选项：A、PN结正偏导通，反偏导通B、PN结正偏截止，反偏导通C、PN结正偏导通，反偏截止D、PN结正偏截止，反偏截止正确答案:【PN结正偏导通，反偏截止】6、问题：当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？选项：A、阻挡层B、耗尽层C、空间电荷区D、突变层正确答案:【突变层】7、问题：一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。选项：A、有微弱电流B、无电流C、有瞬间微弱电流D、有较大电流正确答案:【无电流】8、问题：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】02-01二极管的组成1、问题：半导体二极管的重要特性之一是（）。选项：A、温度稳定性B、单向导电性C、放大作用D、滤波特性正确答案:【单向导电性】2、问题：整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】02-02二极管的伏安特性1、问题：在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流I的值将是（）。选项：A、I=2mAB、I2mAC、I2mAD、I=0mA正确答案:【I2mA】2、问题：二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。选项：A、击穿电压B、死区C、饱和D、0V正确答案:【死区】3、问题：在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。选项：A、增大B、不变C、减小D、不确定正确答案:【增大】4、问题：用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。选项：A、静态、相同、相同B、动态，相同，相同C、静态，不同，不同D、动态，不同，不同正确答案:【静态，不同，不同】5、问题：设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。当二极管的结温升高10℃，若要UD保持不变，则ID的值为（）。选项：A、小于10mAB、大于10mAC、等于10mAD、不确定正确答案:【大于10mA】6、问题：设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确。选项：A、Uth≈0.525V，IS≈0.05pAB、Uth≈0.525V，IS≈0.2pAC、Uth≈0.475V，IS≈0.05pAD、Uth≈0.475V，IS≈0.2pA正确答案:【Uth≈0.475V，IS≈0.2pA】8、问题：设某二极管反向电压为10V时，反向电流为0.1μA。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为（）。选项：A、0.05μAB、0.1μAC、0.2μAD、1μA正确答案:【0.2μA】02-03二极管的主要参数1、问题：关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。选项：A、反向电流越大越好B、反向电流越大二极管的单向导电性越好C、反向电流越大二极管的温度稳定性越不好D、反向电流越大二极管的温度稳定性越好正确答案:【反向电流越大二极管的温度稳定性越不好】2、问题：若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。选项：A、正、反向电阻相等B、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻远大于正向电阻D、正、反向电阻都很大正确答案:【反向电阻远大于正向电阻】3、问题：当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。选项：A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小正确答案:【少数载流子浓度增大】4、问题：二极管只要反偏，必然截至。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：二极管的单向导电性与信号频率无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】03-01二极管电路分析思路1、问题：电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：在电子电路分析过程中，应先动态后静态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、填空题：将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为。正确答案:【静态】4、填空题：将放大电路有交流信号输入的状态称为。正确答案:【动态】03-02二极管电路图解分析方法1、问题：下图所示二极管电路及负载线，当增大VDD时，静态工作点将（）移动。选项：A、向上B、向下C、不动D、不确定正确答案:【向上】2、问题：下图所示二极管电路及负载线，当增大R时，静态工作点将（）移动。选项：A、向上B、向下C、不动D、不确定正确答案:【向下】3、问题：图解法可以非常直观的反映电路参数与性能的关系。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：只要静态工作点位置合适，交流信号就一定不会进入非线性区。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】03-03二极管等效模型1、问题：二极管折线模型可等效为下列（）线性网络。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：在下图所示电路中的电阻R保持不变，ui=0.2sinωt(V)。当直流电源V增大时，二极管D的动态电阻rd将（）。选项：A、不变B、增大C、减小D、不确定正确答案:【减小】3、问题：下列哪一个公式可以估算折线模型中的二极管动态电阻（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：二极管等效模型在以下哪些情况不能使用（）。（注：多选）选项：A、静态工作点位于线性区B、静态工作点位于非线性区C、交流小信号D、交流大信号正确答案:【静态工作点位于非线性区#交流大信号】5、问题：二极管恒压降模型中的电源意味着二极管是一个供能元件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】03-04二极管等效模型分析法1、问题：电路如图所示。试估算A点的电位为（）。（设二极管的正向导通压降为0.7V。）选项：A、6.7VB、6VC、5.7VD、-6.7V正确答案:【6.7V】2、问题：二极管电路如图所示，其中二极管为理想二极管，则电路的输出电压Vo为（）。选项：A、5.6VB、-4.3VC、-5VD、6V正确答案:【-5V】3、问题：在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。选项：A、0mAB、3.6mAC、2.75mAD、4.8mA正确答案:【2.75mA】4、问题：电路如图所示，D1，D2均为理想二极，设U1=10V，ui=40sinωt，则输出电压uO应为（）。选项：A、最大值为40V，最小值为0VB、最大值为40V，最小值为+10VC、最大值为10V，最小值为－40VD、最大值为10V，最小值为0V正确答案:【最大值为10V，最小值为0V】5、问题：估算如图所示电路中，流过二极管的电流ID为（）。（设二极管D正向导通压降UD=0.7V）选项：A、约1.3mAB、约2.3mAC、约4mAD、约1.8mA正确答案:【约1.3mA】03-05常见二极管应用电路1、问题：电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=（）。选项：A、－2VB、0VC、6VD、12V正确答案:【－2V】2、问题：图中二极管可视为理想二极管，A、B、C三个灯具有完全相同的特性，其中最亮的灯是（）。选项：A、AB、BC、CD、一样亮正确答案:【B】3、问题：二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。(设二极管的导通压降为0.7V。)选项：A、0VB、-0.7VC、-1.7VD、1V正确答案:【-0.7V】4、问题：在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时，用黑表笔（正电）接A点，红表笔（负电）接B点，则万用表的指示值为（）。选项：A、18ΩB、9ΩC、3ΩD、2Ω正确答案:【18Ω】5、填空题：图中各二极管的导通压降均为0.7V，UO=V。正确答案:【7.3】04-01稳压二极管基础1、问题：以下哪个符号是稳压二极管的符号（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：稳压管的稳压区是其工作在（）区。选项：A、正向导通B、死区C、反向截止D、反向击穿正确答案:【反向击穿】3、问题：某只硅稳压管的稳定电压Uz=4V，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。选项：A、+5V和-5VB、-5V和+4VC、+4V和-0.7VD、+0.7V和-4V正确答案:【+0.7V和-4V】4、问题：稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。选项：A、稳压管与负载电阻串联B、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联C、稳压管与负载电阻并联D、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联正确答案:【限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联】5、问题：稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】04-02稳压二极管的应用1、问题：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。选项：A、13VB、5VC、8VD、1.4V正确答案:【13V】2、问题：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。选项：A、4.3VB、8VC、5VD、0.7V正确答案:【5V】3、问题：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。选项：A、4.3VB、8VC、5VD、0.7V正确答案:【0.7V】4、问题：在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。选项：A、1VB、6VC、13VD、7V正确答案:【1V】5、问题：在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。选项：A、6VB、7VC、5VD、1V正确答案:【5V】6、问题：下图所示电路中，稳压管DZ的稳定电压VZ=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，输入电压VI=12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下IL的数值最大不应超过（）。选项：A、40mAB、45mAC、55mAD、60mA正确答案:【55mA】04-03其他类型的二极管1、问题：能够进行光电转换的二极管是（）。选项：A、发光二极管B、光电二极管C、稳压二极管D、变容二极管正确答案:【光电二极管】2、问题：发光二极管的符号是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：普通二极管也可以稳压（）。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：所有的二极管都工作在正偏状态（）。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】05-01晶体管的结构和工作原理1、问题：NPN型晶体管的符号是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：PNP型晶体管的符号是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：晶体管有（）个PN结。选项：A、1B、2C、3D、4正确答案:【2】4、问题：晶体管的三个极为（）。（注：多选）选项：A、阳极B、基极C、发射极D、集电极正确答案:【基极#发射极#集电极】5、问题：晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】05-02晶体管的放大原理1、问题：工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。选项：A、VCVBVEB、VCVBVEC、VCVEVBD、VCVEVB正确答案:【VCVBVE】2、问题：晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。选项：A、集电结正向偏置、发射结正向偏置B、集电结正向偏置、发射结反向偏置C、集电结反向偏置、发射结反向偏置D、集电结反向偏置、发射结正向偏置正确答案:【集电结反向偏置、发射结正向偏置】3、问题：双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。选项：A、多子B、少子C、多子和少子两种载流子D、自由电子正确答案:【多子和少子两种载流子】4、问题：在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。选项：A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管正确答案:【NPN型硅管】5、问题：NPN型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：UA=3.3V，UB=4V，UC=6V，则A、B、C对应的电极是（）。选项：A、C，B，EB、B，C，EC、E，C，BD、E，B，C正确答案:【E，B，C】6、问题：下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。选项：A、IE=βIBB、IC=αIBC、IC=βIBD、IE=αIB正确答案:【IC=βIB】7、问题：双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】05-03晶体管的伏安特性1、问题：晶体管是（）器件。选项：A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流正确答案:【电流控制电流】2、问题：管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。选项：A、左移B、右移C、上移D、下移正确答案:【右移】3、问题：晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。选项：A、IcIbUceB、IbIcUceC、UceIbUbeD、UceIcIb正确答案:【IbIcUce】4、问题：某晶体三极管的IB从20μA变化到40μA时，对应的IC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）。选项：A、100B、150C、200D、300正确答案:【150】5、问题：对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】05-04晶体管的工作区1、问题：已知某晶体管UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。选项：A、放大B、饱和C、截止D、击穿正确答案:【放大】2、问题：在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。选项：A、IBB、UCEC、UBED、IC正确答案:【UCE】3、问题：当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。选项：A、前者正偏，后者也正偏B、前者正偏，后者反偏C、前者反偏，后者正偏D、前者反偏，后者也反偏正确答案:【前者反偏，后者也反偏】4、问题：PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。选项：A、UBE0，UCB0B、UBE0，UCB0C、UBE0，UCB0D、UBE0，UCB0正确答案:【UBE0，UCB0】5、问题：晶体管的开关作用是（）。选项：A、饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开B、饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通C、饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开D、饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通正确答案:【饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开】6、问题：某放大电路如图所示。设VCCUBE，ICEO≈0，则在静态时该三极管处于（）。选项：A、放大区B、饱和区C、截止区D、区域不定正确答案:【饱和区】7、问题：如图所示的电路中的三极管β=50，通过估算，可判断电路工作在（）区。选项：A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区正确答案:【截止区】8、问题：在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，UBE＝－0.2。问：当开关与A处相接时，三极管处于（）状态。选项：A、放大B、饱和C、截止D、击穿正确答案:【饱和】05-05晶体管的主要参数1、问题：温度上升时，半导体三级管的（）。选项：A、β和UBE增大，ICBO减小B、β和ICBO增大，UBE下降C、β减小，ICBO和UBE增大D、β、ICBO和UBE均增大正确答案:【β和ICBO增大，UBE下降】2、问题：某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。选项：A、100mA，100mAB、15mA，100mAC、15mA，150mAD、100mA，15mA正确答案:【15mA，100mA】3、问题：3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。选项：A、工作正常B、放大能力较差C、击穿D、管子过热甚至烧坏正确答案:【管子过热甚至烧坏】4、问题：测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，晶体管的共射电流放大系数β（）。选项：A、60B、61C、100D、50正确答案:【60】5、问题：晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。选项：A、增加B、下降C、不变D、不确定正确答案:【下降】6、问题：三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。选项：A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、不确定正确答案:【少数载流子】7、问题：温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。选项：A、上移并间距缩小B、下移并间距增大C、上移并间距增大D、下移并间距缩小正确答案:【上移并间距增大】8、问题：某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。选项：A、处于放大区域B、处于饱和区域C、处于截止区域D、已损坏正确答案:【已损坏】Test1二极管和晶体管1、问题：N型半导体中的多数载流子是（）。选项：A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案:【自由电子】2、问题：P型半导体中的多数载流子是（）。选项：A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案:【空穴】3、问题：P型半导体（）。选项：A、带正电B、带负电C、呈中性D、不确定正确答案:【呈中性】4、问题：PN结中扩散电流的方向是（）。选项：A、从P区到N区B、从N区到P区C、双向流动D、随机变化正确答案:【从P区到N区】5、问题：PN结中漂移电流的方向是（）。选项：A、从P区到N区B、从N区到P区C、双向流动D、变化正确答案:【从N区到P区】6、问题：当PN结外加反向电压时，耗尽层（）。选项：A、变宽B、变窄C、不变D、不确定正确答案:【变宽】7、问题：当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。选项：A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小正确答案:【少数载流子浓度增大】8、问题：万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）。选项：A、增加B、不变C、减小D、不能确定正确答案:【增加】9、问题：用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。选项：A、BCEB、EBCC、CEBD、CBE正确答案:【CBE】10、问题：用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。选项：A、BCEB、EBCC、BECD、CBE正确答案:【BEC】11、问题：在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，这三极管的类型是（）。选项：A、PNP型Ge管B、PNP型Si管C、NPN型Ge管D、NPN型Si管正确答案:【PNP型Si管】12、问题：在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，这三极管的类型是（）。选项：A、PNP型Ge管B、PNP型Si管C、NPN型Ge管D、NPN型Si管正确答案:【NPN型Ge管】13、问题：一个NPN管在电路中正常工作，现测得：UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作区为（）。选项：A、饱和区B、截止区C、放大区D、不确定正确答案:【饱和区】14、问题：电路图如图所示，设二极管的导通电压均为0.7V，则D1，D2，D3三个二极管的状态分别为（）。选项：A、均导通B、截止导通截止C、导通导通截止D、导通截止导通正确答案:【导通截止导通】15、问题：如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在（）区。选项：A、放大区B、饱和区C、截止区D、不确定正确答案:【饱和区】16、问题：二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下（ui波形如图b所示），其输出波形为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】17、问题：判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出VAO值为（）。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）选项：A、5VB、-6.3VC、6.3VD、-5.3V正确答案:【-5.3V】18、问题：在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。选项：A、0mAB、3.6mAC、2.75mAD、4.8mA正确答案:【0mA】19、问题：一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作区为（）。选项：A、饱和区B、截止区C、放大区D、不确定正确答案:【放大区】20、问题：晶体管的控制方式为（）。选项：A、电流控制电压B、电流控制电流C、电压控制电流D、电压控制电压正确答案:【电流控制电流】21、问题：在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。则当U降低到50V时，则I约为（）。选项：A、0.1μAB、0.5μAC、1μAD、2μA正确答案:【1μA】22、问题：在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。当U保持100V不变，温度降低到10°C时，则I约为（）。选项：A、0.1μAB、0.5μAC、1μAD、2μA正确答案:【0.5μA】23、问题：如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。选项：A、放大B、截止C、饱和D、不确定正确答案:【截止】24、问题：如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。选项：A、放大B、截止C、饱和D、不确定正确答案:【放大】25、填空题：已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO1为（）V。正确答案:【6】26、填空题：已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO2为（）V。正确答案:【5】27、填空题：二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）正确答案:【0】28、填空题：二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）正确答案:【3】29、填空题：二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）正确答案:【0】30、填空题：二极管电路如图所示。其中I2=（）mA。（二极管理想）正确答案:【15】31、填空题：二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）正确答案:【-15】32、填空题：二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）正确答案:【0】33、填空题：在如图所示电路中，已知稳压管D1、D2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）V。正确答案:【4】34、填空题：某电路中，三极管静态时各极对地的电位如图所示，则其工作于（）状态。（放大、饱和、截止）（设三极管和二极管均为硅管）正确答案:【截止】35、填空题：二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）正确答案:【10】36、填空题：电路中二极管理想，其工作状态是（）。（导通，截止）正确答案:【导通】37、填空题：图中稳压管VD1、VD2的稳定电压分别是5V和9V，则输出电压Uo为（）V。正确答案:【5】38、填空题：已知某晶体管的PCM＝800mW，ICM＝500mA，U(BR)CEO＝30V。若该管子在电路中工作电压UCE＝10V，则工作电流IC不应超过_______________mA。正确答案:【80】06-01放大的概念与放大电路的性能指标1、问题：某放大电路在输入电压为0.1V时，输出电压为8V；输入电压为0.2V时，输出电压为4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为（）。选项：A、80B、40C、－40D、20正确答案:【－40】2、问题：电压放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。选项：A、强ꢀꢀB、弱ꢀꢀC、一般D、不确定正确答案:【强ꢀꢀ】3、问题：放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明电路A的（）。选项：A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小正确答案:【输入电阻小】4、问题：对于电流放大电路来说，输出电阻（）越好。选项：A、越小B、越大C、随意D、不确定正确答案:【越大】5、问题：只有电路既放大电压又放大电流，才称其具有放大作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：可以在放大电路通电情况下，用欧姆表测量该放大电路的输出电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、填空题：已知某放大电路的输出电阻为3KΩ，在接有4KΩ负载电阻时，测得输出电压为2V。在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到（）V。正确答案:【3.5】9、填空题：放大电路当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得的输出电压为4V，在信号源内阻增大到1kΩ，其它条件不变时，测得输出电压为3V，该放大电路的输入电阻为（）kΩ。正确答案:【3】06-02放大电路的偏置和组态1、问题：共发射极放大电路信号从（）。选项：A、基极输入，集电极输出B、发射极输入，集电极输出C、基极输入，发射极输出D、发射极输入，基极输出正确答案:【基极输入，集电极输出】2、问题：共基极放大电路信号从（）。选项：A、基极输入，集电极输出B、发射极输入，集电极输出C、基极输入，发射极输出D、发射极输入，基极输出正确答案:【发射极输入，集电极输出】3、问题：共集电极放大电路信号从（）。选项：A、基极输入，集电极输出B、发射极输入，集电极输出C、基极输入，发射极输出D、发射极输入，基极输出正确答案:【基极输入，发射极输出】4、问题：下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。选项：A、共射共射B、共集共基C、共射共基D、共射共集正确答案:【共射共基】5、问题：下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。选项：A、共集共射B、共集共基C、共射共基D、共射共射正确答案:【共射共射】6、问题：阻容耦合放大电路不能放大（）。选项：A、高低频混合信号B、语音信号C、交变信号D、直流信号正确答案:【直流信号】7、问题：直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】06-03共射放大电路的工作原理1、问题：基本共射放大电路中，基极电阻Rb的主要作用是（）。选项：A、把基极电流的变化转化为输入电压的变化B、限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路C、保护信号源D、防止输出电压被短路正确答案:【限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路】2、问题：电路中的晶体管原处于放大状态，若将Rb调至零，则晶体管（）。选项：A、仍处于放大状态B、处于饱和状态C、过热烧毁D、处于截止状态正确答案:【过热烧毁】3、问题：基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的主要作用是（）。选项：A、限制集电极电流的大小B、防止信号源被短路C、保护直流电压源D、将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量正确答案:【将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量】4、问题：在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则uo和ui的相位（）。选项：A、同相B、反相C、超前90度D、滞后90度正确答案:【反相】5、问题：在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则ui和ic的相位（）。选项：A、同相B、反相C、超前90度D、滞后90度正确答案:【同相】6、问题：在图示基本共射放大电路中，放大电路中的直流分量来源于（）。选项：A、晶体管B、直流电源C、信号源D、耦合电容正确答案:【直流电源】7、问题：在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：对放大电路进行分析，采取先动态后静态的分析方法。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】07-01直流通路和交流通路1、问题：理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是（）。选项：A、电容B、电感C、理想直流电压源D、理想直流电流源正确答案:【电容】2、问题：如图所示电路的直流通路为（）。选项：A、（a）B、（b）C、（c）D、（d）正确答案:【（c）】3、问题：可画出如图所示放大电路的交流通路为图（）。选项：A、(a)B、(b)C、(c)D、(d)正确答案:【(b)】4、问题：根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图（）具备放大条件。选项：A、（a）B、（b）C、（c）D、（d）正确答案:【（d）】5、问题：理想情况下，下列器件中对交流信号相当于短路的是（）。（注：多选）选项：A、电容B、电感C、理想直流电流源D、理想直流电压源正确答案:【电容#理想直流电压源】07-02静态分析估算法1、问题：选项：A、IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-2VB、IBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+2VC、IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4VD、IBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+4V正确答案:【IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4V】2、问题：选项：A、IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4VB、IBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=12VC、IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=5.6VD、IBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=10.6V正确答案:【IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4V】3、问题：电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3kΩ，β＝40且忽略UBE，若要使静态时UCE＝9V，则RB应取（）。选项：A、600kΩB、240kΩC、480kΩD、360kΩ正确答案:【480kΩ】4、问题：对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈VCC时，有可能是因为（）。选项：A、Rb开路B、RL短路C、Rc开路D、Rb过小正确答案:【Rb开路】5、问题：对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈0时，有可能是因为（）。选项：A、Rb开路B、RL短路C、Rc短路D、Rb过小正确答案:【Rb过小】6、问题：对于如图所示放大电路，若VCC≈12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE＝8V，这说明（）。选项：A、工作正常B、三极管c－e极间开路C、三极管b－e极间开路D、电容C2短路正确答案:【电容C2短路】07-03静态分析图解法1、问题：直流负载线的斜率是（）。选项：A、-1/RcB、-1/RLC、.-1/RBD、正确答案:【-1/Rc】2、问题：如图所示，某固定偏置单管放大电路的静态工作点原来位于Q2，若将直流电源UCC适当增大，则静态工作点将移至（）。选项：A、Q1B、不变C、Q3D、Q4正确答案:【Q4】3、问题：下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q1点移动到Q2点可能的原因是（）。选项：A、电源UCC电压变高B、集电极负载电阻RC变小C、集电极负载电阻RC变大D、基极回路电阻RB变大正确答案:【集电极负载电阻RC变小】4、问题：下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是（）。选项：A、电源UCC电压变高B、基极回路电阻RB变大C、集电极负载电阻RC变大D、基极回路电阻RB变小正确答案:【基极回路电阻RB变小】5、问题：图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电源电压VCC为（）。选项：A、6VB、7VC、8VD、7.5V正确答案:【6V】6、问题：图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻Rb的值约为（）。选项：A、420kΩB、350kΩC、200kΩD、265kΩ正确答案:【265kΩ】7、问题：图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻Rc的值约为（）。选项：A、120kΩB、3kΩC、265kΩD、30kΩ正确答案:【3kΩ】08-01BJT基本放大电路交流分析思路1、问题：下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路。选项：A、中高频大信号B、中低频大信号C、中低频小信号D、中高频小信号正确答案:【中低频小信号】2、问题：等效电路分析方法可以不必关心静态工作点，因此不需要进行静态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：对于大信号作用下的放大电路分析，可以采用图解法分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：对三极管电路进行静态分析时，可将三极管用微变等效模型替代。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】08-02BJT混合参数模型的建立1、问题：在BJT混合参数模型中，下列参数的量纲为欧姆的是（）。选项：A、hieB、hreC、hfeD、hoe正确答案:【hie】2、问题：在BJT混合参数模型中，下列参数的量纲为西门子的是（）。选项：A、hieB、hreC、hfeD、hoe正确答案:【hoe】3、问题：在BJT混合参数模型中，输入端口等效为（）。选项：A、输入电阻和受控电压源的并联B、输入电阻和受控电压源的串联C、输入电阻和受控电流源的串联D、输入电阻和受控电流源的并联正确答案:【输入电阻和受控电压源的串联】4、问题：在BJT混合参数模型中，输出端口等效为（）。选项：A、输出电阻和受控电压源的并联B、输出电阻和受控电压源的串联C、输出电阻和受控电流源的串联D、输出电阻和受控电流源的并联正确答案:【输出电阻和受控电流源的并联】5、问题：BJT混合参数模型的建立与静态工作点无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】08-03BJT混合参数模型的简化1、问题：BJT混合参数模型中，代表晶体管的电流放大能力的参数是（）。选项：A、hieB、hreC、hfeD、hoe正确答案:【hfe】2、问题：下图（）为简化后的NPN型晶体管h参数等效模型。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：BJT混合参数模型中，rbe表明了输入电压ube对输入电流ib的控制能力，其值不可以忽略。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：BJT混合参数模型中，hre表明了输出回路uCE对输入回路uBE影响的程度，大多数情况下，其值不可以忽略。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：在所有等效模型分析方法的应用中，晶体管输出电阻rce都可以忽略不计。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】08-04BJT混合参数的确定1、问题：PNP管的简化h参数等效模型为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：在共发射极交流放大电路中，（）是正确的。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：选项：A、1.3B、1.5C、1.4D、1.6正确答案:【1.6】4、问题：有关rbe，下列说法中正确的是（）。（注：多选）选项：A、rbe是晶体管的动态等效输入电阻B、rbe的大小与温度无关C、rbe的值与静态工作点无关D、只有经过静态分析才能确定rbe的值正确答案:【rbe是晶体管的动态等效输入电阻#只有经过静态分析才能确定rbe的值】5、问题：有关BJT混合参数模型，即h模型，下列说法不正确的是（）。（注：多选）选项：A、该模型不能分析直流信号B、只要静态工作点在线性区，h模型就成立C、模型中受控电流源的方向必须与ib方向一致D、该模型对信号的频率没有要求正确答案:【只要静态工作点在线性区，h模型就成立#该模型对信号的频率没有要求】6、问题：BJT混合参数模型中hfe通常可以在晶体管参数手册上获得。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】08-05微变等效电路法1、问题：如图所示放大电路的h参数小信号等效电路为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【2、问题：】选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得电压放大倍数表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输入电阻表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】5、问题：下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输出电阻表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】6、问题：在如下基本共射放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数|Au|将（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】09-01交流负载线分析1、问题：共射放大电路如图所示，图解分析法中，交流负载线的斜率是（）。选项：A、-1/RLB、-1/RCC、-1/RL’(RL’=RL//RC)D、-1/Rb正确答案:【-1/RL’(RL’=RL//RC)】2、问题：通常情况下，交流负载线比直流负载线要陡些。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：交流负载线和静态工作点无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：共射放大电路输出与输入相比，幅度被放大了，频率不变，相位相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：在放大电路的交流负载线分析中，需将动态信号叠加在静态工作点上。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】09-02非线性失真分析1、问题：在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真。选项：A、截止失真B、饱和失真C、双向失真D、线性失真正确答案:【饱和失真】2、问题：由NPN型三极管组成的单管共射放大电路，如下图（左）所示，已知输入正弦信号、输出信号波形（右图），则它属于（）。选项：A、交越失真B、饱和失真C、截止失真D、频率失真正确答案:【截止失真】3、问题：在下图所示放大电路中，逐渐增大正弦输入电压幅度，发现输出电压出现底部削平失真，如果这时保持输入不变，减小RL，将会出现（）现象。选项：A、底部失真加重B、底部失真减轻或消失C、将同时出现顶部和底部削平失真D、失真不变正确答案:【底部失真减轻或消失】4、问题：在下图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（）。选项：A、截止失真B、饱和失真C、饱和失真和截止失真同时出现D、交越失真正确答案:【饱和失真】5、问题：图示电路VCC=12V，RC=3kΩ，静态管压降UCEQ=6V，并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ，该电路的最大不失真输出电压有效值为（）。选项：A、2VB、3VC、6VD、5V正确答案:【2V】6、问题：放大电路如下图（左）所示，输入电压Ui与输出电压Uo的波形如下图（右）所示，为使输出电压波形不失真则应（）。（注意：多选）选项：A、增加RCB、增加RBC、减小RBD、减小RC正确答案:【增加RB#减小RC】7、问题：只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：非线性失真都是静态工作点不合适造成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10-01静态工作点稳定需求分析1、问题：对于固定偏置放大电路，随着温度升高，容易使放大电路出现（）。选项：A、截止失真B、饱和失真C、频率失真D、交越失真正确答案:【饱和失真】2、问题：对于固定偏置放大电路，当室温升高时，其三极管ICQ（）。选项：A、增大B、减小C、不变（或基本不变）D、不定正确答案:【增大】3、问题：对于固定偏置放大电路，当室温升高时，静态工作点将（）。选项：A、降低B、升高C、不变（或基本不变）D、不定正确答案:【升高】4、问题：在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，其中影响最大的是（）。选项：A、温度变化B、三极管老化C、电源电压波动D、信号频率变化正确答案:【温度变化】5、问题：IB不变的情况下，当温度升高，UBE将增大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：随着温度升高，ICBO增大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10-02稳定静态工作点的典型电路及其原理1、问题：对于如图所示射极偏置电路，当室温升高时，三极管的UCEQ（）。选项：A、增大B、减小C、不变（或基本不变）D、不定正确答案:【不变（或基本不变）】2、问题：对分压偏置共射放大电路而言，需要满足（）条件，静态工作点才能得以基本稳定。（注：多选）选项：A、B、C、D、正确答案:【#】3、问题：分压偏置共射放大电路稳定静态工作点的关键要素包括（）。（注：多选）选项：A、晶体管性能稳定，β不随温度变化B、基极电位基本恒定，不随温度变化C、电阻具有热补偿作用D、Re引入直流电流负反馈正确答案:【基极电位基本恒定，不随温度变化#Re引入直流电流负反馈】4、问题：之所以射极偏置电路可以稳定静态工作点，其本质是Re引入了直流负反馈。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：分压偏置共射放大电路能够稳定静态工作点，即UBEQ、IBQ、UCEQ、ICQ均保持基本不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10-03分压偏置共射放大电路的静态分析1、问题：在下图所示放大电路中，已知VCC=12V，Rb1=27kΩ，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，UBE=0.7V，现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2约为（）。选项：A、12kΩB、10kΩC、8kΩD、16kΩ正确答案:【12kΩ】2、问题：在图示电路中，已知3DG4的β=30，则有关静态时的IBQ、ICQ、UCEQ的估算值正确的是（）。选项：A、IBQ=258μA,ICQ=8.0mA,UCEQ=4VB、IBQ=62.4μA,ICQ=1.9mA,UCEQ=16.2VC、IBQ=385μA,ICQ=11.9mA,UCEQ=-3.8VD、IBQ=220μA,ICQ=6.6mA,UCEQ=6.8V正确答案:【IBQ=220μA,ICQ=6.6mA,UCEQ=6.8V】3、问题：图示电路中，欲增大UCEQ，可以（）。选项：A、增大RcB、增大Rb2C、增大Rb1D、减小Rb1正确答案:【增大Rb1】4、问题：分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是（）。选项：A、10μA，1mAB、20μA，2mAC、30μA，3mAD、40μA，4mA正确答案:【10μA，1mA】5、问题：当用直流电压表测出UCE≈VCC，可能是因为（）。选项：A、RC开路B、RC短路C、Rb1开路D、Rb2开路正确答案:【Rb1开路】6、问题：在分压偏置共射放大电路中，Re取值越大越好。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10-04分压偏置共射放大电路的动态分析1、问题：选项：A、-7.8B、-159C、-2.4D、-2正确答案:【-7.8】2、问题：选项：A、1.6kΩB、3.7kΩC、2.5kΩD、5.3kΩ正确答案:【3.7kΩ】3、问题：选项：A、2.5kΩB、10kΩC、4kΩD、5kΩ正确答案:【5kΩ】4、问题：分压式偏置单管共射放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的输入电阻将（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、不定正确答案:【增大】5、问题：如下所示电路中，欲提高放大电路的电压放大倍数，可以（）。选项：A、减小RcB、增大βC、增大RED、增大RB2正确答案:【增大RB2】6、问题：如下所示电路中，若将发射极旁路电容Ce去掉，则哪些参数发生变化？（）（注：多选）选项：A、电压放大倍数B、输入电阻C、输出电阻D、静态工作点正确答案:【电压放大倍数#输入电阻】11-01基本共集放大电路1、问题：下列哪个电路中含有共集放大电路？（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：在单极射极输出器电路中，输出电压uo与输入电压ui之间的关系是（）。选项：A、两者反相，输出电压大于输出电压B、两者同相，输出电压近似等于输入电压C、两者同相，输出电压大于输出电压D、两者反相，输出电压近似等于输入电压正确答案:【两者同相，输出电压近似等于输入电压】3、问题：如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时，电压放大倍数为（）。选项：A、1.3B、0.996C、0.992D、-0.992正确答案:【0.992】4、问题：如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时，输入电阻约为（）。选项：A、1kΩB、76kΩC、110kΩD、56kΩ正确答案:【76kΩ】5、问题：如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时，输出电阻约为（）。选项：A、37ΩB、1.5kΩC、3kΩD、12Ω正确答案:【37Ω】6、问题：射极跟随器具有（）特点。（注：多选）选项：A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于１且小于１D、输入电阻高，输出电阻低正确答案:【电流放大倍数高#电压放大倍数近似于１且小于１#输入电阻高，输出电阻低】7、问题：下列场合适用射极输出器的包括（）。（注：多选）选项：A、作为多级放大电路的输入级B、作为多级放大电路的缓冲级C、作为多级放大电路的输出级D、单独作为放大器使用正确答案:【作为多级放大电路的输入级#作为多级放大电路的缓冲级#作为多级放大电路的输出级】11-02基本共基放大电路1、问题：分析下图所示共基放大电路，RC减小时，静态电压UCEQ将（）。选项：A、增大B、减小C、变化不大D、不确定正确答案:【增大】2、问题：下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的电压放大倍数为（）。选项：A、60B、56C、51D、66正确答案:【51】3、问题：下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的输入电阻Ri为约（）。选项：A、22ΩB、13ΩC、26ΩD、18Ω正确答案:【13Ω】4、问题：下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的输出电阻Ro为（）。选项：A、2.1kΩB、1.3kΩC、2.6kΩD、1.8kΩ正确答案:【2.1kΩ】5、问题：对于基本共基放大电路，下列说法正确的是（）。（注：多选）选项：A、具有电压放大作用，反相放大B、具有电压放大作用，同相放大C、不能放大电压D、不能放大电流正确答案:【具有电压放大作用，同相放大#不能放大电流】6、问题：共基放大电路较强的电压放大能力，因此可以单独作为电压放大器使用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11-03三种组态放大电路的对比1、问题：在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。选项：A、共发射极电路的电压增益最大、输入电阻最小、输出电阻最小B、共集电极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最小C、共基极电路的电压增益最小、输入电阻最小、输出电阻最大D、共发射极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最大正确答案:【共集电极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最小】2、问题：为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（）。选项：A、共射电路B、共集电路C、共基电路D、任何一种组态的电路正确答案:【共集电路】3、问题：为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（）。选项：A、共射电路B、共集电路C、共基电路D、任何一种组态的电路正确答案:【共基电路】4、问题：放大电路的三种组态（）。选项：A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、都不是正确答案:【都有功率放大作用】5、问题：可以放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。选项：A、共射B、共集C、共基D、不确定正确答案:【共集】6、问题：在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（）组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、不确定正确答案:【共基】7、问题：既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路。选项：A、共射B、共集C、共基D、不确定正确答案:【共射】11-04复合管放大电路1、问题：下图电路中可以构成复合管的是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：下图电路中构成的是（）类型的复合管。选项：A、NPNB、PNPC、为复合管，其等效类型不能确定D、三极管连接错误，不能构成复合管正确答案:【NPN】3、问题：对于复合管共射放大电路，下列说法正确的是（）。选项：A、电压放大倍数比单管放大电路的大B、电压放大倍数比单管放大电路的小C、输入电阻明显增大D、电流放大倍数基本不变正确答案:【输入电阻明显增大】4、问题：如图所示复合管，已知T1的β1=30，T2的β2=50，则复合后的β约为（）。选项：A、1500B、80C、50D、30正确答案:【1500】5、问题：如图所示复合管，T1和T2管的放大系数分别为β1和β2，输入电阻分别为rbe1和rbe2，则复合管的输入电阻为（）。选项：A、rbe1B、rbe2C、rbe1+（1+β1）rbe2D、rbe2+（1+β2）rbe1正确答案:【rbe1+（1+β1）rbe2】6、问题：任意两个三极管组成的复合管，其输入电阻都比单管的输入电阻大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】Test2基本放大电路1、问题：下图所示电路中，若将RB减小，则IC将（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】2、问题：下图所示电路中，若将RB减小，则集电极电位VC将（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【减小】3、问题：下图所示晶体管原处于放大状态，若将RB调到零，则晶体管（）。选项：A、处于饱和状态B、处于截止状态C、仍处于放大状态D、烧毁正确答案:【烧毁】4、问题：图示放大电路中，若将RB阻值调小，而晶体管仍工作于放大区，则电压放大倍数|Au|将（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】5、问题：在图示分压偏置放大电路中，通常偏置电阻Rb1（）Rb2。选项：A、大于B、小于C、等于D、任意关系正确答案:【小于】6、问题：射极输出器（）。选项：A、有电流放大作用，没有电压放大作用B、有电流放大作用，也有电压放大作用C、没有电流放大作用，也没有电压放大作用D、没有电流放大作用，有电压放大作用正确答案:【有电流放大作用，没有电压放大作用】7、问题：下图两级放大电路中的T1和T2管分别构成哪种组态的放大电路（）。选项：A、共射-共射B、共基-共集C、共集-共基D、共射-共集正确答案:【共基-共集】8、问题：电路如图所示，晶体管β=50，UBE＝0.6V，RB＝72kW，RC＝1.5kW，UCC＝9V，当RW＝0时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA，此时应把RW调整为（）。选项：A、100kΩB、72kΩC、68kΩD、86kΩ正确答案:【68kΩ】9、问题：下图所示复合管的等效管类型为（）。选项：A、NPNB、PNPC、不能构成复合管D、无法判断正确答案:【PNP】10、问题：在图示电路中，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真，这种失真是（）。选项：A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、频率失真正确答案:【截止失真】11、问题：在图示电路中，如果出现截止失真，为了消除失真，应（）。选项：A、减小RcB、减小RbC、增大RbD、减小Vcc正确答案:【减小Rb】12、问题：有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明A的（）比B的（）。选项：A、输入电阻大B、输出电阻大C、输入电阻小D、输出电阻小正确答案:【输出电阻小】13、问题：某直接耦合放大电路在输入电压为0.3V时，输出电压为2V；输入电压为0.1V时，输出电压为9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数（）。选项：A、90B、－35C、35D、30正确答案:【－35】14、问题：图示共基放大电路中，β增大时，UCEQ将（）。选项：A、增大B、减小C、变化不大D、不确定正确答案:【变化不大】15、问题：已知图示电路中晶体管的β=100，rbe=1kΩ，在输入电压为有效值等于10mV的1kHz正弦信号时，估计输出电压有效值为（）。选项：A、0.5VB、1VC、2VD、5V正确答案:【1V】16、问题：在共发射极放大器中，在发射极加入电阻Re，则电压增益|Au|（）。选项：A、变小B、不变C、变大D、不确定正确答案:【变小】17、问题：在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ，Rb2=6KΩ，Rc=2KΩ，Re=3.3KΩ，RL=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100（假设ｒbb'约为0），则此放大电路的电压放大倍数（）。选项：A、约为原来的2倍B、约为原来的0.5倍C、基本不变D、约为原来的4倍正确答案:【基本不变】18、问题：射极输出电路如图所示，保持Ui不变，将RL减小一半，这时Uo将（）。选项：A、明显增大B、明显减小C、变化不大D、不定正确答案:【变化不大】19、问题：某放大电路在输入电压不变的条件下，当接入负载电阻RL1＝3kΩ时，测得输出电压Uo1＝3V；当接入负载电阻RL2＝500Ω时，测得输出电压Uo2＝1V。试求该放大电路的输出电阻Ro为（）kΩ。选项：A、5B、0.5C、2D、3正确答案:【2】20、问题：在三极管多级放大电路中，已知Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其组态分别为：Au1是（）放大器，Au2是（）放大器，Au3是（）放大器。选项：A、共基、共射、共集B、共射、共基、共集C、共集、共基、共射D、共基、共集、共射正确答案:【共基、共射、共集】21、问题：射极输出电路如图所示，保持Us不变，将RL减小一半，这时Uo将（）。选项：A、明显增大B、明显减小C、变化不大D、不定正确答案:【明显减小】22、问题：图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则IBQ的表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】23、问题：图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则电压增益的表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】24、问题：图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则输入电阻的表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】12-01频率响应问题的提出1、问题：选项：A、没有产生失真B、产生了非线性失真C、产生了幅度失真D、产生了相位失真正确答案:【产生了幅度失真】2、问题：选项：A、没有产生失真B、产生了非线性失真C、产生了幅度失真D、产生了相位失真正确答案:【产生了相位失真】3、问题：放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。选项：A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适正确答案:【半导体管极间电容和分布电容的存在】4、问题：放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。选项：A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适正确答案:【耦合电容和旁路电容的存在】5、问题：当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了（）。选项：A、饱和失真B、截止失真C、频率失真D、不确定正确答案:【频率失真】6、问题：下列失真中属于线性失真的是（）。（注：多选）选项：A、饱和失真B、截止失真C、相位失真D、幅度失真正确答案:【相位失真#幅度失真】12-02频率响应基本概念1、问题：测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。选项：A、输入电压幅值不变，改变频率B、输入电压频率不变，改变幅值C、输入电压的幅值与频率同时变化D、输入电压的幅值和频率都不变正确答案:【输入电压幅值不变，改变频率】2、问题：当信号频率等于放大电路的截止频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。选项：A、0.5倍B、0.7倍C、0.9倍D、0.8倍正确答案:【0.7倍】3、问题：某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的上限截止频率为（）。选项：A、5×HzB、HzC、5×HzD、Hz正确答案:【Hz】4、问题：某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率为（）。选项：A、10HzB、50HzC、70HzD、100Hz正确答案:【100Hz】5、填空题：某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率处的增益为（）dB。正确答案:【37】12-03单时间常数RC电路的频率响应1、问题：单时间常数RC电路如图所示，其为（）电路。选项：A、高通B、低通C、带通D、带阻正确答案:【高通】2、问题：单时间常数RC电路如图所示，其电压增益表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：如下图所示的电路，其电压增益表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：对于单时间常数的RC电路来说，其截止频率的形式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】5、问题：某电路的频率特性如图所示，已知转折点频率为2MHz，此电路的频率特性表达式为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】6、问题：单时间常数RC电路如图所示，在截止频率处，将产生（）。选项：A、45°的超前相移B、45°的滞后相移C、90°的超前相移D、90°的滞后相移正确答案:【45°的滞后相移】13-01晶体管高频等效模型1、问题：晶体管的混合π等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?（）。选项：A、小信号，管子处在饱和区B、大信号，管子处在放大区C、小信号，管子处在放大区D、大信号，管子处在饱和区正确答案:【小信号，管子处在放大区】2、问题：某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rbe=1kΩ，fT=350MHz，Cb’c=4pF，则gm约为（）ms。选项：A、6.5B、153.8C、88.7D、230.8正确答案:【153.8】3、问题：某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rbe=1kΩ，fT=350MHz，Cb’c=4pF，则Cb’e约为（）pF。选项：A、440B、145C、70D、322正确答案:【70】4、问题：混合π模型和h参数等效