磁控溅射制备Ge纳米点的研究的开题报告

磁控溅射制备Ge纳米点的研究的开题报告一、选题背景和意义纳米材料是当前材料科学研究的热点之一，具有广泛的应用前景。其中，纳米点由于其直径在1-10nm的范围内，具有量子尺寸效应和表面效应等独特性质，因此表现出比大尺寸材料更优异的光学、电学和磁学特性。磁控溅射技术是制备纳米点的有效方法之一，通过在真空环境下将靶材溅射到基底上，可以制备不同材料的纳米点。其中，Ge纳米点是一种常见的材料，其具有优异的光学和电学性质，被广泛用于光电器件、太阳能电池等领域。因此，本文旨在探究磁控溅射制备Ge纳米点的方法及其制备参数对纳米点附着和形态的影响，并分析其光学和电学性质，为纳米点的制备提供参考。二、研究内容和方案2.1研究内容本研究主要包括以下内容：（1）磁控溅射制备Ge纳米点的方法；（2）不同制备参数（如气压、基底温度、溅射功率等）对Ge纳米点形态和附着性质的影响；（3）通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等技术对Ge纳米点形态进行表征；（4）通过紫外可见光谱仪（UV-Vis）、荧光光谱仪等技术对Ge纳米点的光学性质进行研究；（5）通过电学测试仪等设备对Ge纳米点的导电性进行测量。2.2研究方案（1）制备Ge纳米点：使用磁控溅射技术，在真空环境下将Ge靶材溅射到Si基底上，控制溅射功率、气压、基底温度等参数，制备Ge纳米点。（2）SEM、TEM表征：使用SEM、TEM等技术对Ge纳米点的形态进行表征，观察其分布情况、形态大小等。（3）光学性质研究：使用UV-Vis、荧光光谱仪等设备对Ge纳米点的光学性质进行研究，观察吸收光谱、荧光光谱等。（4）电学性质测试：使用电学测试仪等设备对Ge纳米点的导电性进行测量，观察其导电性能。三、预期成果通过本次研究，预期获得以下成果：（1）成功制备Ge纳米点，并探究制备参数对纳米点形态和附着性质的影响；（2）使用SEM、TEM等技术对Ge纳米点的形态进行表征，观察其分布情况、形态大小等；（3）使用UV-Vis、荧光光谱仪等设备对Ge纳米点的光学性质进行研究，观察吸收光谱、荧光光谱等；（4）使用电学测试仪等设备对Ge纳米点的导电性进行测量，观察其导电性能。四、参考文献[1]ZhangJ.etal.MagnetronsputteringdepositionofnanostructuredGefilmswithlow-temperaturecrystallization.JMaterSci.2014;49(4):1784-1791.[2]WangD.etal.PhotoluminescenceofGenanocrystalsembeddedina-SiNx:Hfilmfabricatedwithlow-pressurechemicalvapordeposition.JLumin.2008;128(2):196-199.[3]AchouriM.etal.Formationofgermaniumquantumdotsbypulsedlaserablationinwater:Optimizationoflaserparametersforhigh