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第九章屏蔽交换局域密度近似sX-LDA方法的关键步骤1DFTImplementations2sX-LDA方法的优点sX-LDA方法的框架：GeneralizedKohn-Shamscheme(包括微扰势).目的：通过非局域屏蔽势描述交换关联势的不连续性，从而给出较好的半导体带隙且无需任何可调参数。优点：比照完全的准粒子计算，如GWA，它的计算量小得多，同时允许确定基态和激发态的性质。3sX-LDA的理论方法包括微扰的generalizedKS方程如下：(9.1)其中都是sX下的势函数。(9.2)HLDA是LDAHamiltonian，vsxNL是非局域势Fock交换算符，vsxL是相应的局域势算符，是sX-LDA本征矢。对于Δvsx，通常采用Thomas-Fermi屏蔽，所以sX非局域势(9.3)(9.4)4sX-LDA的理论方法-2相应的sX局域势为(9.5)(9.6)5Screenedexchange:sX-LDA1,21.B.M.BylanderandL.Kleinman,Phys.Rev.B41,7868(1990)2.A.Seidl,A.Görling,P.Vogl,.A.Majewski,andM.Levy,Phys.Rev.B53,3764(1996)6sX-FLAPW1.H.J.F.JansenandA.J.Freeman,Phys.Rev.B30,561(1984)2.M.C.Huang(黄美纯),H.J.F.Jansen,andA.J.Freeman,Phys.Rev.B37,3489-3496(1988)3.S.Massidda,M.Posternak,andA.Baldereschi,Phys.Rev.B48,5058(1993)4.S.Massidda,A.Continenza,M.Posternak,andA.Balderschi,Phys.Rev.B55,13494(1997)where7GeometryandSCFCycles8BandGapssX-FLAPW9OpticalAbsorptionSpectrumofGaAs10CdO的能带结构实线：sX-LDA半导体虚线：LDA半金属Cd-5sO-2p11EnergyBandstructureswithsX-FLAPW

LDA为负带隙的两个材料12Γ-LSeparationvs.BandGaps13小结sX-LDA方法的主要优点是，它既适于基态性质的计算，又适于激发态的计算。计算量较小。主要手法是在交换关联势中考虑非局域屏蔽交换势的修正。因此可在原来LDA近似的根底上，比较方便地实现计算程序的更

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