MOS管检测与代换

[技术文章]平板电视维修人员的必备知识–MOSMOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故MOS管和大功率晶体三极管在构造、特性有着本质上的区别，在MOS管及其应用电路作简朴介绍，以满足维修人员需求。MOSMOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在普通电子电路中，MOS管普通被用于放大电路或开关电路。它电极间是绝缘的。图1-1所示A、B分别是它的构造图和代表符号。P+P沟道（PNP型）MOS管。图1-2A、BPMOS管道构造图和代表符号。图1-1- 图1-1-图1-2- 图1-2-图1-3- 图1-3-有导电沟道（没有电流流过ID=0。绝缘层中便产生一种栅极指向PVGS为2V）时，NID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压源极-VGSVGSID的大小。这就能够得出以下结论：NMOSPMOS管。MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，因此在符号的规则中；表达衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图1-5-APMOS管的符号。DSG正电压时导电沟道建立，NMOS管开始工作,如图1-4-BPPNPDSG负电压时，导电沟道建立，PMOS管开始工作,如图1-5-B所示。图1-4-AN沟道MOS管符 图1-4-BN沟道MOS管电压极性及衬底连图1-5-AP沟道MOS管符号 图1-5-BP沟道MOS管电压极性及衬底连接5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性；1它们的作用相似，图1-6-ANMOSNPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所PMOSPNP型晶体三极管引脚对应图。图1-6-A图1-6-流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（β）当基极电流变化一毫安时能引发集IB决定集IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。三极管的集电极与发射极交换使用时，其特性差别很大，b值将减小诸多。（Vb×Ib、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加紧了容性的充放电的时间。MOSFET只靠多子导电达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（现在采用MOS管的开关电源其工作频率能够容易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的。、无二次击穿；由于普通的功率晶体三极管含有当温度上升就会造成集电极电流上升（正的温度～电流特性）的现象，而集电极电流的上升又会造成温度进一步的上升，温度进一步VCEO随管这是一种造成电视机开关电源管和行输出管损坏率占9%MOS管含有和普通晶体三极管相反的温度～（或环境温度IDSIS=10AMOSETGS250CIS=3000CIDS减少到2A，ISMOSMOSMOS管替代过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大大减少也是一种极好的证明。普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一种极低的压降，称为饱和压降，既然有一种压降，那么也就是；普通晶体三极管在饱和导通后等效是一种阻值极小的电阻，但是这个等效的电阻是一种非线性的电阻（电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律MOS管作为开关管应用，在饱和导通后也存在一种阻值极小的电阻，但是这个电阻等效一种线性电阻，其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系，电流大压降就大，电流小压降就小，导通后既然等效是一种线性元件，线性元件就能够并联应用，当这样两个MOS能够多管并联应用，且不必另外增加平衡方法（非线性器件是不能直接并联应用的。MOSVDS能做到1000V，只能作为开关电源也是近期能实现的。【郝铭原创作品请勿转载请勿链接】MOS管道导通开关管，如图所示，在图2-1AR为激励信号内阻，电图2-BRMOS开关管就能快速的“开”、“关”，确保了正常工作。由于激励信号是有内阻的，信号MOS管的输入部分，增加一种减少内阻、增图2-如图2-2-A所示（图2-2-A和图2-2-BCMOSS的等效电容。当激励方波信号的负半周来届时；晶体三极管Q1（NPN）截止、Q2（PNP）导通，MOSMOSQ3的快速的“关”，如图2-2-B所示。图2-2- 图2-2-MOSSQ1在饱和导通图2-3- 图2-3-由于充电限流电阻的增加，使在激励方波负半周时Q2导通时放电的速度受到限制（MOSMOS管，“开”与“关”的快速动作。2MOS管往往采用了图2-4-A的电路方式。图2-4- 图2-4-（PNPMOS管输入端等效电容充电(Q截止)，在当激励方波负半周时，D截止，Q如果在此时关闭电源，MOS管的栅极就有两种状态；一种状态是；放电状态，栅极等效电容没有电荷存储，一种状态是；充电状态，栅极等效电容正好处在电荷充满状态，图2-5-A所Q1、Q2也都处在断开状态，电荷没有释放的回路，MOS管栅极MOS管的漏极电源(VDS)随机提供,在导电沟道的作用下，MOSIDMOS管烧坏。为了避免此现象产MOSR1，如图2-5-B所示，关机后栅极存储的电R1快速释放，此电阻的阻值不可太大，以确保电荷的快速释放，普通在5K～数10K图2-5- 图2-5-MOS管作为其它用途；例如线性放大等应用，就没有必要设立灌流电MOS1V2PFC图3-图3-图3-1V2PFC之间的Q3、Q4是灌流激励管，Q3、Q4的基极输入开关激励信号，VCC-S-R是电二极管，R16Q2Q2栅极等效电容充电的限流电阻，D7【郝铭原创作品请勿转载2V4PFC并联了过压保护二极管；ZD202、ZD201ZD204、ZD203图3-3PFC部分激励电路分析，图3-4海信液晶电视32寸～46寸均采用该开关电源，电源采用了复合集成电路SMA—（PCPWM共用一块复合激励集成电路PFC开关电源部分也是一种并联的开关电源，图3-4所示。是储能电感、DE00是开关电源的整流管、E01、E02MOSPFCOUTPUT、E09E00VE00E02E11DE00E01的灌流电路。图3-从等效电路图来分析，集成电路的激励输出端（PFCOUTPUT端子，输出方波的正半周时端为负半周时，DE002VE001PNPVE001导通，此时；QE001QE002VE001放电，MOS管完毕“开”、“关”存在和导通，已经建立了放电的回路，DE003VE001的导通，开关管关闭更图3-4所示原理图是PFC开关电源及PWM开关电源的电原理图，该电路中的集成电路图3-图3-四、MOSMOS管大都没有防静电的方MOS管则有比较大的区别，首先由于功效较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有MOS管在内DZ（图4-1所示）,把静电嵌位于保护稳压二极管的稳MOS管其保护稳压MOS管内部有了保护方法，我们操作时也应按照防静电的图4-MOS在修理电视机及电器设备时，会碰到多种元器件的损坏，MOS管也在其中，这就是我们的MOSMOS管是如果没有1、MOS只要办法对的对于确认晶体三极管的“好”与“坏”MOS管也能够应用检测必须采用指针式万用表（数字表是不适宜测量半导体器件的MOSFET开NTO-220F封装形式（指用于50—200W的场效应开关管，其三个电极排列也一致，即将三只引脚向5-R×1R×10R×100R×1KR×10K，R×1R×10K挡检测晶体管”一文，因篇幅问题这里不再赘述。12Ω，这样在R×1PNR×10K挡内部的9VPN结反相漏电流时比较精确，否则漏电也测不出来。5-PN结点反相漏电是够了，万用表的红表笔是负电位（接内部电池的负极，万用表的黑表笔是正电位（接内部电池的正极5-2所示。MOSSMOSD，此时表针批示应当为无5-3所示。如果有欧姆指数，阐明被测管有漏电现象，此管不能用。5-5-原创作品】5-5-2、MOS行代换的（行输出管外观尺寸几乎相似MOS管代换MOS管的输入电容是有关系的，选用功率大的尽管容量大了，但输入电容也就大了，激励MOSMOS42寸液晶电视的背光高压板损坏，通过检MOS管损坏，由于无原型号的代换，就选用了一种，电压、电流、功率MOS