新版公司工程能力介绍课件

設計開發過程管理失效分析（工程能力介紹）1泰邦企业有限公司先科电子有限公司.01020304設計開發過程控制失效分析展望Contents目錄2.設計開發01：開發背景與團隊02：開發程式及工具03：合作夥伴04：產品開發技術Contents目錄305：設備開發技術06：過程開發技術.ResearchBackground研發背景

概述

我們公司早期是與德國ITT公司合作，我們公司的管理與技術人員學習了ITT公司卓越的管理技術、先進的生產工藝、傳承了產品與生產設備自主研發的精神理念，樹立了嚴謹、科學、實幹、創新的技術管理與工作風範。4.R&DTeam開發團隊

我们是世界上其中一家最大的分立半導體器件製造商，林林種種的產品離不開我們R&D團隊與合作夥伴的共同努力。R&D是企業發展的源泉和取得長期競爭優勢的基本保證。

我们是由一支強大的研發管理隊所引領，下設有產品研發中心、生產設備研發中心、設備機加工中心、設備製作中心。我們持續推出高速高穩定性的設備；新型優良、高性價比的產品，以滿足客戶設計者從容應對各種挑戰。5.R&Dprogramsandtools開發程式及工具AutoCADProESlodwordsAD9PspiceISO/TS16949APQPPPAP開發程式開發工具6.CooperationPartner產品開發合作夥伴

我们公司作為半導體分立器件製造商的後道封裝廠，優秀的R&D團隊掌握著成熟的產品封裝技術，融入其晶片技術，與合作夥伴日本PHENITEC，中國的SiLan微電子強強聯合開發出更多的新型產品。7.ProductDesignTechnology產品開發技術外形設計尺寸外觀CAD/ProE電特性設計電性參數可靠性晶片材料模擬SPICEDFMEAPspice模型8.ProductDesignTechnology產品開發技術9

公司作為半導體分立器件供應商，不斷順應市場高端新型的產品設計需求，從晶片設計，流片，模擬模擬到成品輸出各環節嚴把品質關，做到了超薄小尺寸，高集成度，同時達到低功耗、高輸出電流、高ESD等能力，來滿足客戶提出特殊需求，如已經開發上市的2A超簿整流橋LBF,SOD-123FL的超薄整流管厚度<1.0mm,最大正向電流達60A，超薄20A/300A的肖特基成品性能都處於業界領先地位。.我們可以根據客戶特殊要求訂制，已成功開發出LBF、SOT-26、SOT-363、SOD-723、SOD-123FL/HE、SOD-323HE、DFN等封裝系列的產品，如為韓國三星電子要求開發陣列式多通道TVS/ESD保護二級管，抗ESD能力達30KV，器件符合IEC61000-4-2,IEC61000-4-5等標準；小型封裝超高浪湧過電能力的整流/肖特基二極體。10ProductDesignTechnology產品開發技術成果.ProcessDesignTechnology過程開發-封裝技術產品封裝設計主要有：玻封二極體的點接觸燒結工藝、塑封Dice/wireBonding鍵合工藝、晶片倒封Flip-Bonding工藝。共晶/點膠技術共晶工藝利用晶片與框架的背金屬在高溫下合金，點膠工藝是用導電膠或絕緣膠固晶技術。金屬絲鍵合技術玻璃封裝直接利用Dumet截面直接壓接Chip的金屬面焊接。此封裝利用高溫焊料將引線與晶片焊接，高承受超載電流，高功率，低熱阻的優良產品。點接觸燒接技術倒封焊接技術利用超聲波能量將金屬絲與晶片的電極進行焊接。高密度封裝技術框架與模具採用獨特的高密度陣列設計，合理的降低產品成本與充分提高生產效率。11.

EquipmentDesignTechnology設備開發技術12

我们公司R&D團隊掌握著半導體封裝設備的先進技術，從機械系統設計，電氣控制系統設計、設備軟體程式設計設計與模擬一應俱全、工廠80%的設備是自主獨立研發與製造，各種設備擁有多項業界獨創的專利的核心技術，設備對產品工藝調整易、品質改善與效率提升快！優勢.

EquipmentDesignTechnology設備開發技術13電氣系統軟體系統機械系統設備系統設計.

EquipmentDesignTechnology設備開發技術14精密機加工中心.

EquipmentDesignTechnology設備開發技術15設備裝配調試中心.16成果

EquipmentDesignTechnology設備開發技術

公司生產設備具有快速的設計製造能力，在封裝業界獨樹一幟，我們可以取得產能的快速擴充，滿足大量市場需求，縮短客戶交貨期；同時降低了設備的購買資金，降低產品製造成本，獲得更多的市場競爭能力。.Contents目錄程式控制01：新材料認證02：過程能力分析03：MSA、Tfs04：QCC/6SIG05：產品可靠性認證17.NewMaterialCertification新材料認證材料承認010203公司所有的材料必須通過供應商及材料資料審核：SPEC、MSDS、CofC、SGS、QAReportRel-Report。試樣封裝測試：TestData、CTQ、CpK、Yield，ReliabilityTest。通過了以上樣品測試，索取小批量樣品做試產測試：S-PPAP。18.Processcapabilityanalysis過程能力分析公司所有封裝產品的關鍵制程CTQ：如測試資料，晶片推力，焊線拉力、鍍層膜厚等，通過資料統計X-Bar，CPK，P圖實施控制。19.MSA&TfS正確的測量，永遠是品質改進的第一步。如果沒有科學的測量系統評價方法，缺少對測量系統的有效控制，品質改進就失去了基本的前提。先科10年前就建立了自己的計量中心，為此，進行測量系統分析就成了企業實現連續品質改進的必經之路。通過MSA，對器件關鍵參數實施TfS管理，提升了產品的一致性與可靠性20概述.MSA&TfS計量中心定期根據產品的控制計畫上直接用於產品的檢測機判定的儀器量具制訂MSA計畫，並收集資料，對重複性，再現性，穩定性等項目進行MSA統計分析。21MSADTS1000測試系統MSA.MSA&TfS22TfS圖中1、2、3點數據分佈是在規格範圍內，但已離群TfS(TestofSignificance)顯著性測試，它是保證個別參數離群的元件被剔除的一種方法，可以對其隔離與分析，它也是一個持續改善的工具，能夠清楚地揭示過程的分佈原因和不足。.MSA&TfS收集測試資料，圓圈點的資料離群，超越了控制極限。23TfS.MSA&TfS收集1000pcs測試資料顯示CPK=2.66很高，有6pcs離散值，不能被剔除！但使用TfS可以剔除。24TfS高CPK的制程含有6pcsoutliers.MSA&TfS實際生產過程中，各種原材料，批次的不同製造出的產品分佈也是有一定的波動，實際控制必須使用動態的控制極限，靜態的控制線不能剔除現實中的不良品與失效品，TfS的控制極限的適宜性序定期評估。25TfS.MSA&TfS實際生產過程中，設定測試分選設備將RejecBIN的極限設定在UCL與LCL極限之外，確保離散的產品被抓出。26TfS.MSA&TfS收集測試整流二極體的測試資料，大部分的IR資料分佈在0.2uA，抽取圖中離群1.5uA的樣品及常規品分析，解剖發現離群1.5uA的樣品有輕微的Chipping-off，因此可以及時的發現到異常不良進行控制。27TfS.QCC/6SIG案例：降低玻封二極體夾具清洗的成本28公司QCC/6Sig委員會每年組織提案，選取重大的改善課題實施改善，為公司節約成本、提高生產效率、產品品質、工業安全，改善人才培養方面作出了重大貢獻。.01COT（IOL）、ACT、HTRB、H3TRB；壽命試驗/LIFETEST03拉力、推力、壓力測試、引腳終端強度測試機械試驗/MECHANICALTEST02高溫、低溫、高溫高濕、PCT、TCT、TST測試環境試驗/ENVIRONMENTALTEST04可焊性、熱抵抗、印字耐久性、ESD、浪湧、熱阻測試等產品可靠性認證ProductReliabilityCertification裝板試驗/其它試驗29.Contents目錄FA失效分析01：FA設備02：FA項目03：FA流程04：FA案列30.FAEquipment

FA設備雷擊/浪湧衝擊測試儀VESD/VC分析儀各類精密參數測試儀熱阻分析儀

特性曲線掃描器阻抗-網路-頻譜分析儀包裝袋剝離力測試儀洛氏硬度計無損檢測X-ray儀XRF/螢光光譜儀膜厚/EDX儀SEM、SAM掃描器器件開封機晶片探針台切片/研磨機失效分析設備齊全推力測試儀

拉力測試儀壓力測試儀高,低倍金相顯微鏡

二次元影像儀三次元精密尺寸分析儀

影像投影儀31.FA項目外觀檢查外形尺寸測量鍍層/膜厚測量FAProjectX-Ray透視EDX元素分析SAM掃描32.FA項目電參數測試特性曲線掃描模擬浪湧衝擊測試FAProject模擬焊接分析類比振動分析模擬環境分析33.FA項目化學De-Cap切片研磨SEM掃描FAProject34熱阻測試阻抗網路頻譜分析推拉力測試.FAProcessFA流程樣品接收外觀檢查曲線檢查晶片內部外觀結構檢查開帽檢查失效模擬測試電性檢查PN結測試無損檢查晶片測試晶片去金屬層檢查報告結束35另可以根據客戶需求分析.FailureAnalysisCase失效分析案例塑封SOD-1231N4148W產品在焊線材料供應商行業不斷的推出新型的銅焊線工藝材料，客戶要求進一步降低產品成本，要求使用CuWireBonding工藝，初期小批量導入階段收到用戶端產線測試不良。

概述36.失效分析案例描述：客戶回饋在產線ICT測試工位發現PCBD5

的VF值偏高不良。封裝：SOD-123型號：1N4148W數量：3pcs不良率：3pcs/16.5KPcs,182ppmD1.問題描述(Problemdescription)：

D1FailureAnalysisCase37.失效分析案例組長：Mr.Z.Y.L品質部：SLDeng工藝部：HJYin生產部：YBLiFAE部：XGZhang客戶部：Jason工程部：WLXuD2D2.改善小組成員(ImprovementTeamMembers)：D3D3.短期對策(ShortTermCorrectiveAction)：請客戶檢查篩查在製品，並隔離ST庫存重檢。FailureAnalysisCase38.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.1客戶提供1N4148W樣品3PCS，樣品外觀都良好，引腳粘有餘錫，已使用過，樣品刻字“W1”；如下圖所示：4.2X-RAY檢查3PCS樣品，樣品內部組裝結構正常，焊線良好；從焊線成像清晰度來看，為銅焊線工藝產品.如下圖所示：樣品Xray正/側面圖樣品外觀圖FailureAnalysisCase39.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.3萬用測試3PCS樣品的PN結壓降，結電壓都偏高ＮＧ，如下

圖所示：4.4用DTS1000參數測試儀測試電性發現VF參數同樣偏高。電參數測試dataPN結正反向測試FailureAnalysisCase40.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.5用超聲波掃描器SAM-T分析，發現第二焊點焊接處有分層現象。SAM-T測試掃描圖FailureAnalysisCase41.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：切片研磨線示意圖4.6取1#樣品用磨拋機進行研磨切片，用掃描電鏡SEM掃描電鏡觀察確認第一二焊點及晶片固晶狀況:研磨後SEM照片FailureAnalysisCase42.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：第一焊球SEM圖4.7取1#樣品進行研磨，用掃描電鏡SEM確認第一焊點焊接良好，且晶片與引線框架的共晶結合處良好，而第二焊接點有微斷裂現象，如下圖紅圈處：第二焊SEM圖Chip&L/FSEM圖FailureAnalysisCase43.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.8用SEM逐級放大第二焊接處有斷裂分層的問題，焊接處分層會導致歐姆接觸阻抗增大，結合不牢，可以斷定是焊線機地二焊焊接不牢導致VF偏高的主要原因。研磨第二焊後逐級SEM放大照片FailureAnalysisCase44.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.9用化學De-Cap方法開封，去除樹脂觀察晶片、焊球與鋁層是否受損及異常，解剖後沒有發現晶片有異常不良，無切割裂紋、無擠Al、無焊接偏位現象，測試裸晶電性OK。研磨第二焊後逐級SEM放大照片FailureAnalysisCase裸晶測試45.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.10