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文档简介
常用电子元件知识根本介绍1电阻2电容3二极管4三极管5电感电阻——电子设备中最常用的零件
在物理学中,用电阻〔Resistance〕来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体,电阻一般不同,电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。一、电阻1.符号:2.根本单位:〔Ω〕欧姆;〔KΩ〕千欧姆;〔MΩ〕兆欧姆4.电阻器的识读:3、特殊电阻:A、热敏电阻:正温度系数〔PTC〕T上升R增加负温度系数(NTC)T上升R下降B、光敏电阻:无光照情况下,R(暗电阻)很大有光照情况下,R(亮电阻)很小C、压敏电阻:两端所加的电压大于压敏电压值,R减少C:色环表示法—四环或五环B:数码表示法(223=22K)A:直标法用三位数字表示元件的标称值。从左至右,前两位表示有效数位,第三位表示10n〔n=0~8〕。当n=9时为特例,表示10^〔-1〕。塑料电阻器的103表示10*10^3=10k。片状电阻多用数码法标示,如512表示5.1kΩ。
C.色环表示法:
小功率碳膜和金属膜电阻,一般都用色环表示电阻阻值的大小,单位是欧姆。色码表〔ColorCodeForm〕黑0棕1红2橙3黄4绿5蓝6紫7灰8白9金-1银-20123456789//10000000000.10.0110000000010000000100000010000010000100010010110010110210310410510610710810910-110-2+0.25%20%+++++++1%2%0.5%0.1%5%10%FGDCBJK颜色色码读数色环幂次方色环误差规格代码P/N代码4567五色环电阻器为精密型电阻器,一般常用棕色或红色作为偏差色环。如出现头尾同为棕色或红色环时,要判断第一条色环那么要通过方法一下两种方法:
1〕第一条色环比较靠近电阻器一端引脚。
2〕表示电阻标称阻值的那四条环之间的间隔距离一般为等距离,而表示偏差的色环〔即最后一条色环〕一般与第四条色环的间隔比较大,以此判断哪一条为最后一条色环。识别五环电阻的第一环方法:1、偏差环距其它环较远。2、偏差环较宽。3、第一环距端部较近.4、有效数字环无金、银色。〔解释:假设从某端环数起第1、2环有金或银色,那么另一端环是第一环。〕5、偏差环无橙、黄色。〔解释:假设某端环是橙或黄色,那么一定是第一环。〕
试着读一下以下的电阻这电阻上的颜色是棕黑橙所以阻值为10*1000欧=10000欧=10KΩ2、排阻
这是A型的排阻,有一端是公共端,其余端与公共端的阻值就是在电阻上标的阻值公共端3、水泥电阻水泥电阻是将电阻线绕在无碱性耐热瓷件上,外面加上耐热、耐湿及耐腐蚀之材料保护固定并把绕线电阻体放入方形瓷器框内,用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。水泥电阻的外侧主要是陶瓷材质。
4、贴片封装的电阻定义电容〔或称电容量〕是表征电容器容纳电荷本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。电容器从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质〔就像一只水桶一样,你可以把电荷充存进去,在没有放电回路的情况下,刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显,可能电荷会永久存在,这是它的特征〕,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。电容的符号是C。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)=1000毫法(mF)=1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。电容电容在电路中一般用“C〞加数字表示〔如C13表示编号为13的电容〕。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是“隔直流、通交流〞。电容容量的大小表示能够贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗Xc=1/2πfC(f表示交流信号的频率,C表示电容容量)常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。按照安装方式分类插接式和贴片式观察纸介电容器的构造该元件有两片锡箔〔导体〕,中间是一层薄纸。1〕两个绝缘且相离很近的导体--极板2〕中间夹一层绝缘物物质
--电介质电容器构造:两个平行金属板夹上一层绝缘物质能否构成一个电容器?相邻两个同学能否构成电容器?能能一、电容器1、任何两个彼此绝缘又相互靠近的导体都可以构成电容器。这两个导体称为电容器的电极。2、电容器的充放电充电:使电容器带上电荷的过程(Q增加U增加E增加电场能增加)充电时两个极板总是带等量的异种电荷,每个极板带电量的绝对值叫做电容器的带电量放电:使电容器失去电荷的过程〔Q减少U减少E减少电场能减少〕3、电容器的作用:容纳储存电荷
注意:①电容器充电的过程中,在两极间加电压、两板带等量异种电荷不断增大,直到两极电压等于电源电压为止,该过程中电路中有短暂的充电电流;②电容器充电后切断电源电荷不消失,从电源获得的电能储存在了电场中——电场能。③电容器的电量:指一个极板所带电量的绝对值。用圆柱型水杯容器的储水问题来看电容的储能大小:hhABC1.水位每升高h,试比较A、B、C的储水量2.哪个储水本领大?如何反映其储水本领?瓷介电容器〔CC〕结构:用陶瓷材料作介质,在陶瓷外表涂覆一层金属〔银〕薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1类电介质〔NPO、CCG〕〕;2类电介质〔X7R、2X1〕和3类电介质〔Y5V、2F4〕瓷介电容器。特点:1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF,常用的有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。用途:主要应用于高频电路中。特点:2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大〔最大可达0.47μF)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差。用途:广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。外型实例瓷介电容器〔CC〕结构:用陶瓷材料作介质,在陶瓷外表涂覆一层金属〔银〕薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1类电介质〔NPO、CCG〕〕;2类电介质〔X7R、2X1〕和3类电介质〔Y5V、2F4〕瓷介电容器。特点:1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF,常用的有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。用途:主要应用于高频电路中。特点:2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大〔最大可达0.47μF)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差。用途:广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。外型实例涤纶电容器〔CL〕优点:耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。用途:一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。结构:涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数〔即温度升高时,电容量变大〕的无极性电容。外型实例聚苯乙烯电容器〔CB〕用途:一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11〔非密封箔式〕、CB14~16〔精密型〕、CB24、CB25〔非密封型金属化〕、CB80〔高压型〕、CB40〔密封型金属化〕等系列。结构:有箔式和金属化式两种类型。优点:箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性教差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。外型实例聚丙烯电容器〔CBB〕结构:用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式〔常用有色树脂漆封装〕和密封式〔用金属或塑料外壳封装〕两种类型。优点:损耗小,性能稳定,绝缘性好,容量大。外型实例用途:一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容:CBB10、CBB11、CBB60、CBB61等;金属化式聚丙烯电容:CBB20、CBB21、CBB401等系列。独石电容器优点:它具有性能可靠、耐高温、耐潮湿、容量大〔容量范围1pF~1μF〕、漏电流小等优点。缺点:工作电压低〔耐压低于100V〕。用途:广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。常用的有CT4〔低频〕、CT42〔低频〕;CC4〔高频〕、CC42〔高频〕等系列。结构:独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。外型实例云母电容器〔CY〕优点:稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好、工作电压高〔50V~7kV〕等优点。用途:一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。结构:云母电容器是采用云母作为介质,在云母外表喷一层金属膜〔银〕作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳〔或陶瓷、塑料外壳〕内构成。外型实例纸介电容器〔CZ〕优点:电容量大〔100pF~100μF〕工作电压范围宽,最高耐压值可达6.3kV。缺点:体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。结构:纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质,用铝箔或铅箔作为电极,经卷饶成型、浸渍后封装而成。外型实例金属化纸介电容器〔CJ〕外型实例优点:与普通纸介电容相比,体积小,容量大,击穿后能自愈能力强。常见有CJ10、CJ11等系列。铝电解电容器〔CD〕优点:容量范围大,一般为1~10000μF,额定工作电压范围为6.3V~450V。缺点:介质损耗、容量误差大〔最大允许偏差+100%、–20%〕耐高温性较差,存放时间长容易失效。结构:有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔〔正极〕和浸有电解液的衬垫纸,与阴极〔负极〕箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。用途:通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。注意:不能用于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。外型实例钽电解电容器〔CA〕结构:有两种形式:1.箔式钽电解电容器内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质,介质为氧化钽。型号有CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。2.钽粉烧结式阳极〔正极〕用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70〔无极性〕等系列。优点:介质损耗小、频率特性好、耐高温、漏电流小。缺点:生产本钱高、耐压低。用途:
广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上各种中、低频电路和时间常数设置电路中。外型实例云母微调电容器〔CY〕优点:
电容量均可以反复调节。结构:云母微调电容器由定片和动片构成,定片为固定金属片,其外表贴有一层云母薄片作为介质,动片为具有弹性的铜片或铝片,通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离,来改变电容量。云母微调电容器有单微调和双微调之分。用途:应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。外型实例单微调双微调瓷介微调电容器〔CC〕结构:瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片〔瓷片〕与定片〔瓷片〕上均镀有半圆形的银层,通过旋转动片改变两银片之间的相对位置,即可改变电容量的大小。
优点:体积小,可反复调节,使用方便。
用途:应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。
外型实例薄膜微调电容器结构:薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质,即在动片与定片〔动、定片均为半圆形金属片〕之间加上有机塑料薄膜,调节动片上的螺钉,使动片旋转,即可改变容量。薄膜微调电容器一般分为双微调和四微调。有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器,将微调电容器安装在外壳顶部,使用和调整就更方便了。优点:体积小,重量轻,可反复调节,使用方便。用途:应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。
外型实例双微调四微调空气可变电容器〔CB〕结构:电极由两组金属片组成。一组为定片,一组为动片,动片与定片之间以空气作为介质。当转动动片使之全部旋进定片时,其电容量最大,反之,将动片全部旋出定片时,电容量最小。空气可变电容器有单连和双连之分〔见外型图〕。优点:调节方便、性能稳定、不易磨损。
缺点:
体积大。用途:应用于收音机、电子仪器、高频信号发生器、通信电子设备。
外型实例空气双连可变电容器薄膜可变电容器结构:薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质,外壳为透明或半透明塑料封装,因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。优点:
体积小、重量轻。缺点:
杂声大、易磨损。用途:单连主要用在简易收音机或电子仪器中;双连用在晶体管收音机和电子仪器、电子设备中;四连常用在AF/FM多波段收音机。四连双连外型实例电容器主要参数的标注方法直标法数码标注法色标法如:1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF0.1、0.22、0.47、0.01、0.022、0.047等容量单位均为μF普通电容:±5%〔I,J〕、±10%〔II,k〕、±20%〔III,M〕精密电容:±2%〔G〕、±1%〔F〕、±0.5%〔D〕、±0.25%〔C〕、±0.1%〔B〕、±0.05%〔W〕直标法电解电容器或体积较大的无极性电容器:标称容量、额定电压及允许偏差。体积较小的无极性电容器:标称容量、额定电压及允许偏差。容量单位:微法〔μF〕、納法(nF)、皮法〔pF〕如:1p2表示1.2pF;1n表示1000pF;10n表示0.01μF;2μ2表示2.2μF;简略方式
(不标注容量单位):9999≥有效数字≥1时,容量单位为pF;
有效数字<1时容量单位为μF。允许偏差:
数码标注法一般为三位数码表示电容器的容量,单位pF。其中前两位数码为电容量的有效数字,第三位为倍乘数,但第三位倍乘数是9时表示×10
1。如:101表示:10×101=100pF102表示:10×102=1000pF103表示:10×103=0.01μF104表示:10×104=0.1μF223表示:22×103=0.022μF474表示:47×104=0.47μF159表示:15×10–1=1.5pF数码标注法色标法:在电容器上标注色环或色点来表示电容量及允许偏差。单位为pF.四环色标法:第一、二环表示有效数值,第三环表示倍乘数,第四环表示允许偏差〔普通电容器〕。五环色标法:第一、二、三环表示有效数值,第四环表示倍乘数,第五环表示允许偏差〔精密电容器〕。色标法如:棕、黑、橙、金表示其电容量为0.01μF,允许偏差为±5%棕、黑、黑、红、棕表示其电容量为0.01μF,允许偏差为±1%色标电容器各种颜色所对应的数值及含义
色环颜色第一位数第二位数第三位数(倍乘数)倍乘数(允许偏差)允许偏差棕111(101)101±1%红222(102)102±2%橙33
3(103)103—黄444(104)104—绿555(105)105±0.5%蓝666(106)106±0.25%紫777(107)107±0.1%灰888(108)108—白999(109)109(–20%~+50%)黑000(100)100—金——(10–1)
(±5%)—银——(10–2)(±10%)—无色———(±20%)
—色标电容器各色环的含义〔注:括号内为四环内容〕电容的作用耦合电容:用在耦合电路中的电容称为耦合电容,在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路,起隔直流通交流作用。滤波电容:用在滤波电路中的电容器称为滤波电容,在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路,滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。退耦电容:用在退耦电路中的电容器称为退耦电容,在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路,退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。高频消振电容:用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容,在音频负反响放大器中,为了消振可能出现的高频自激,采用这种电容电路,以消除放大器可能出现的高频啸叫。谐振电容:用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容,LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。旁路电容:用在旁路电路中的电容器称为旁路电容,电路中如果需要从信号中去掉某一频段的信号,可以使用旁路电容电路,根据所去掉信号频率不同,有全频域〔所有交流信号〕旁路电容电路和高频旁路电容电路。中和电容:用在中和电路中的电容器称为中和电容。在收音机高频和中频放大器,电视机高频放大器中,采用这种中和电容电路,以消除自激。定时电容:用在定时电路中的电容器称为定时电容。在需要通过电容充电、放电进行时间控制的电路中使用定时电容电路,电容起控制时间常数大小的作用。电容的作用积分电容:用在积分电路中的电容器称为积分电容。在电视场扫描的同步别离级电路中,采用这种积分电容电路,以从行场复合同步信号中取出场同步信号。微分电容:用在微分电路中的电容器称为微分电容。在触发器电路中为了得到尖顶触发信号,采用这种微分电容电路,以从各类〔主要是矩形脉冲〕信号中得到尖顶脉冲触发信号。补偿电容:用在补偿电路中的电容器称为补偿电容,在卡座的低音补偿电路中,使用这种低频补偿电容电路,以提升放音信号中的低频信号,此外,还有高频补偿电容电路。自举电容:用在自举电路中的电容器称为自举电容,常用的OTL功率放大器输出级电路采用这种自举电容电路,以通过正反响的方式少量提升信号的正半周幅度。电容的作用电容的正负极区分:电容上面有标志的黑块为负极.在PCB上电容位置上有两个半圆,涂颜色的半圆对应的引脚为负极。用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负。二极管〔半导体〕在电子电路中经常用到半导体二极管,它在许多电路中起着重要的作用,是诞生最早的半导体器件之一,其应用非常广泛。常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
继续一、半导体的导电特性1.本征半导体半导体材料与PN结主要有:Si〔硅〕Ge〔锗〕GaAs〔砷化镓〕;影响半导体的导电性能:温度、纯度。硅原子结构简化模型硅制成单晶后:共价键自由电子自由电子和空穴总是成对出现,称为电子空穴对。
电子空穴对的产生称为本征激发〔热激发〕。空穴价电子当原子中的价电子在光照或温度升高时获得能量挣脱共价键的束缚而成为自由电子,原子中留下空位〔即空穴〕,〔即产生自由电子-空穴对〕同时原子因失去价电子而带正电。2.杂质半导体为了提高半导体的导电能力,掺入某些微量的元素作为杂质,称为杂质半导体。(1)N型半导体掺入磷、砷等五价元素。多余的价电子成为自由电子,且浓度远远超过电子空穴对。自由电子称为多子;空穴称为少子。(2)P型半导体掺入硼、镓等三价元素。这种半导体以空穴导电为主,称为P型半导体。空穴为多子;自由电子为少子。杂质半导体中,多子浓度由杂质的含量决定,少子的浓度主要由温度决定。3.半导体中载流子的运动漂移运动扩散运动在电场作用下的定向运动。自由电子与空穴产生的电流方向一致。载流子由浓度高的区域向浓度低的区域扩散。二、PN结的形成在N型半导体的基片上,采用平面扩散法等工艺,掺入三价元素,使之形成P型区,那么在P区和N区之间的交界面处将形成一个很薄的空间电荷层,称为PN结。PN结的典型厚度为0.5m。P区空穴(少子)向N区扩散,留下不能移动的负离子;N区电子(多子)向P区扩散,留下不能移动的正离子;正负离子形成空间电荷层。内电场是多子的扩散运动引起的。内电场的影响阻碍多子的扩散运动促进少子的漂移运动多子扩散运动使PN结变厚
少子漂移运动使PN结变薄没有外加电压时,多子扩散电流与少子漂移电流到达动态平衡。二极管电路符号空心三角形箭头表示实际电流方向:电流从P流向N。一、二极管的结构与类型〔P〕〔N〕二极管由一个PN结,加相应的电极引线和管壳封装而成。二极管的分类
1)按照所用的半导体材料,可分为锗二极管〔Ge管〕和硅二极管〔Si管〕。2)按照不同用途,二极管分普通二极管和特殊二极管。特殊二极管又分为整流二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管、检波二极管、开关二极管等。3)按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。继续点接触型点接触型二极管结面积小,结电容也小,可工作在较高频率,适用于高频检波、混频及小电流整流。面结合型平面型面结合型二极管结面积较大,结电容也大,只能工作在工频或低频,适用于大电流整流。对于平面型二极管,其结面积较大时,可作大功率整流;而结面积较小时,也适用于数字电路中作开关管。普通二极管和整流二极管继续光敏二极管继续二极管的标识
二极管的识别很简单,小功率二极管的N极〔负极〕,在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极〔正极〕或N极〔负极〕,也有采用符号标志为“P〞、“N〞来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。继续二极管的导电特性
二极管最重要的特性就是单向导电性。也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。1〕正向特性。在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。继续二极管的导电特性当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压到达某一数值〔这一数值称为“门槛电压〞,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V〕以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压根本上保持不变〔锗管约为0.3V,硅管约为0.7V〕,称为二极管的“正向压降〞。二极管的导电特性2〕反向特性。
在电子电路中,二极管正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。晶体二极管的主要参数
1〕额定正向工作电流
是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2〕最高反向工作电压
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用平安,规定了最高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
晶体二极管的主要参数3〕反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。一般硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。4〕最高工作频率二极管能承受的最高频率。通过PN结交流电频率高于此值,二极管接不能正常工作。继续二极管的应用
二极管类型不同,主要参数不同,使用场合不同。点接触型二极管由于是点接触,只允许通过较小的电流〔不超过几十毫安〕,适用于小电流电路。因为接触点小,所以极间电容量也很小,故适用于高频电路检波。面接触型二极管与点接触型二极管相反,面接触型二极管的“PN结〞面积较大,允许通过较大的电流〔几安到几十安〕,但极间电容量大,因此不能用于高频电路,而主要用做整流。继续二极管的应用
平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。1〕整流二极管
利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。2〕开关元件开关二极管是一种高频管,在电路中是工作在开关状态的。继续二极管的应用3〕限幅元件二极管正向导通后,它的正向压降根本保持不变〔硅管为0.7V,锗管为0.3V〕。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。4〕继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。继续二极管的应用5〕检波二极管
检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出来。6〕变容二极管变容二极管大都用在高频电路中,其结电容随着反向电压的增大而减小。7〕稳压二极管稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性,在电路中将其两端的电压保持根本不变,起到稳定电压的作用。继续二极管的应用8〕光电二极管及光电三极管光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。在其外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。9〕发光二极管发光二极管是一种把电能变成光能的半导体器件。在电子仪表中常用作显示、状体信息指示等。其正向工作电压一般在1.5V至3V,允许通过的电流为2mA至20mA,正向导通时发光。继续晶体二极管的极性判别
使用数字万用表“二极管〞档,将万用表的红表笔接二极管的一极,黑(COM)表笔接另一极。在测得正向压降值小的情况下,红表笔(表内电池的正极)所接的是正极,黑表笔所接是负极。一般,所显示的二极管正向压降:硅二极管为0.55—0.700V,锗二极管为0.150--0.300V。假设显示“0000〞,说明管子已短路。假设显示“过载〞,说明二极管内部开路或处于反向状态(可对调表笔再测)。继续
晶体三极管返回什么是晶体三极管三极管的电路符号三极管的外形三极管的结构三极管的类型
什么是晶体三极管返回三极管在电路中具有放大和开关作用,我们使用三极管组成放大电路,放大微弱的信号电流或制成电子自动开关,控制用电器的通断。三极管有三个极,分别为E—发射极,B—基极和C—集电极,发射极上的箭头表示通过三极管的电流方向。三极管是半导体材料制成的,多用硅和锗做原料。由于结构不同,分为NPN型和PNP型两大类。按制作材料可分为硅三极管和锗三极管。三极管的电路符号9013E
B
CNPN8550EB
CPNPBCEBCENPNPNP返回C-集电极
B-基极
E-发射极几种三极管的外形9013返回3AX3DGBJT是双极结型晶体管BipolarJunctionTransistor的简写+外形符号〔NPN型〕集成BJT剖面结构示意图三极管(BJT)的结构BJT结构集电极C发射区集电区基区发射结Je集电结Jc发射极E基极B集电极C发射区集电区基区发射结Je集电结Jc发射极E基极BBJT结构三个电极发射极,基极,集电极发射极箭头方向是指实际电流方向三个区发射区(高掺杂),基区(很窄),集电区两个PN结发射结(eb结),集电结(cb结)晶体管具有的能力电流控制〔currentcontrol〕电流放大〔currentamplify〕BJT结构发射区的掺杂浓度大,发射载流子集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,收集载流子基区得很薄,控制载流子分配,其厚度一般在几个微米至几十个微米。+从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上:三极管的类型返回EBCNNP发射结集电结EBCPPN发射结集电结NPN型三极管PNP型三极管晶体三极管的极性判别
1〕用万用表判别晶体三极管的管脚依据:NPN型三极管基极到发射极、基极到集电极均为PN结正向,PNP型三极管基极到发射极、基极到集电极均为PN结反向,
2〕判定基极b对于功率在1W以下的中、小功率管,用万用表R×100或R×1k挡测量;对于功率在1W以上的大功率管,用万用表R×10或R×1挡测量。继续晶体三极管的极性判别如果用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极,均测得低阻值时,那么第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,
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