GB/T 10118-2023高纯镓

ICS7715099

CCSH.66.

中华人民共和国国家标准

GB/T10118—2023

代替GB/T10118—2009

高纯镓

Highpuritygallium

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T10118—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替高纯镓与相比除结构调整和编辑性改动

GB/T10118—2009《》,GB/T10118—2009,

外主要技术变化如下

,:

更改了标准的适用范围见第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了牌号表示见第章年版的

b)(4,20093.1);

更改了化学成分要求见年版的

c)(5.1,20093.2);

更改了外观质量的要求见年版的

d)(5.2,20093.3);

更改了化学成分的检验方法见和年版的

e)(6.16.2,20094.1);

更改了检验规则见第章年版的第章

f)(7,20095);

更改了标志的内容见年版的

g)(8.1,20096.1);

更改了运输的内容见年版的

h)(8.3,20096.3);

更改了随行文件的内容见年版的

i)(8.5,20096.5);

删除了附录见年版的附录

j)A(2009A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位有研国晶辉新材料有限公司朝阳金美镓业有限公司广东先导微电子科技有限

:、、

公司成都中建材光电材料有限公司东方电气乐山峨半高纯材料有限公司有色金属技术经济研究

、、()、

院有限责任公司武汉拓材科技有限公司楚雄川至电子材料有限公司株洲科能新材料股份有限公司

、、、、

云南锡业新材料有限公司

。

本文件主要起草人路淑娟曹波于洪国邢志国莫杰李素青尚鹏汪洋吴广杰林世源

:、、、、、、、、、、

李佳宣张磊钟连兵朱君卢鹏荐曾小龙曹昌威金智宏赵科湘伍美珍刘晓华

、、、、、、、、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订

1988,2009,。

Ⅰ

GB/T10118—2023

高纯镓

1范围

本文件规定了高纯镓的技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮存随行文件及订货单

、、、、、、、

内容

。

本文件适用于纯度不小于的高纯镓的生产检测及质量评价

99.9999%、。

注高纯镓主要用于制备化合物半导体高纯合金以及半导体材料的掺杂等

:、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T8170

危险货物运输包装通用技术条件

GB12463

化学品安全标签编写规定

GB/T15258

化学品安全技术说明书内容和项目顺序

GB/T16483

高纯镓化学分析方法第部分痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

YS/T38.33:

高纯镓化学分析方法痕量元素的测定电感耦合等离子体质谱法

YS/T474

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4牌号

高纯镓按照化学成分分为个牌号

Ga6N、Ga7N、Ga8N3。

5技术要求

51化学成分

.

511高纯镓的化学成分应符合表的规定

..Ga6N、Ga7N