标准解读

《GB/T 10118-2009 高纯镓》相比于《GB/T 10118-1988 高纯镓》，主要在以下几个方面进行了更新和调整：

  1. 范围与分类：2009版标准对高纯镓的分类进行了细化，明确了不同等级镓产品的纯度要求，相比1988版标准，更精确地界定了高纯镓的级别和适用范围。

  2. 技术要求：新版标准对镓的杂质元素含量限值进行了修订，部分杂质元素的最高允许含量有显著降低，反映了随着提纯技术的进步，对高纯镓品质要求的提升。同时，增加了对特定杂质元素检测方法的规定，确保了测试结果的准确性和可比性。

  3. 试验方法：2009版标准引入了更先进的分析技术和检测手段，如电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）等，替代了原有的一些传统检测方法，提高了检测的灵敏度和准确性，更能满足高纯镓产品质量控制的需求。

  4. 检验规则：新标准对产品的取样、制样及检验程序进行了详细规定，增加了批次合格判定的严格程度，确保了产品质量的一致性和可靠性。

  5. 包装、标志、运输和储存：2009版标准对高纯镓的包装材料、标识要求、运输安全措施以及储存条件给出了更具体和详细的规定，以减少产品在流通和储存过程中的污染风险。

  6. 规范性引用文件：更新了标准中引用的其他国家标准和国际标准清单，确保了标准内容的时效性和与国际标准的接轨。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 10118-2023
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
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文档简介

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６６

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜１０１１８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８

高纯镓

犎犻犵犺狆狌狉犻狋狔犵犪犾犾犻狌犿

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

中华人民共和国

国家标准

高纯镓

ＧＢ／Ｔ１０１１８—２００９

中国标准出版社出版发行

北京复兴门外三里河北街１６号

邮政编码：１０００４５

网址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

电话：６８５２３９４６６８５１７５４８

中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷

各地新华书店经销

开本８８０×１２３０１／１６印张０．５字数７千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

书号：１５５０６６·１３９７１１

如有印装差错由本社发行中心调换

版权专有侵权必究

举报电话：（０１０）６８５３３５３３

书

犌犅／犜１０１１８—２００９

前言

本标准代替ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８《高纯镓》。

本标准与ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８相比，主要有如下变动：

———增加了检出杂质元素的种类；

———降低了原标准中检出杂质元素的含量；

———引入了ＭＢＥ级牌号高纯镓；

———对原标准的试验方法进行了修改，增加了辉光质谱法等。

本标准的附录Ａ为资料性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准负责起草单位：国瑞电子材料有限责任公司。

本标准参加起草单位：南京金美镓业有限公司。

本标准主要起草人：于洪国、邢志国。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８。

Ⅰ

书

犌犅／犜１０１１８—２００９

高纯镓

１范围

本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内

容等。

本标准适用于以纯度不小于９９．９９％的工业镓为原料，经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得

的纯度不小于９９．９９９９％的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＹＳ／Ｔ４７４ＩＣＰＭＳ分析法测定高纯镓中的痕量元素

３要求

３．１产品分类

产品按纯度分为Ｇａ０６、Ｇａ０７、ＭＢＥ级三个牌号：

Ｇａ０６：表示镓含量不小于９９．９９９９％的高纯镓；

Ｇａ０７：表示镓含量不小于９９．９９９９９％的高纯镓；

ＭＢＥ级：表示镓含量大于９９．９９９９９９％的高纯镓。

３．２化学成分

产品的化学成分应符合下列各表的规定：

表１高纯镓犌犪０６化学成分

化学成分（质量分数）／％

－６

牌号Ｇａ杂质含量／（×１０），不大于

不小于ＦｅＳｉＰｂＺｎＳｎＭｇＣｕＭｎＣｒＮｉ总和

Ｇａ０６９９．９９９９３５３３３３２３３３１

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