霍尔效应探究结题报告

PAGEPAGE13霍尔效应的探究结题报告龙游第二高级中学指导教师：余红岩高二（7）(8)班组长：潘非凡第一执笔人:潘非凡组员：潘非凡、王晨越、袁沈甜、邱晓芬、余烈、何畅、徐壑、严姣、夏航骏、姜利军。2008．04．20成果类别：学科类霍尔效应探究结题报告成果类别：学科类龙游第二高级中学

[课题成员]:潘非凡、王晨越、（7班）袁沈甜、邱晓芬、余烈、何畅、徐壑、严姣、夏航骏、姜利军（8班）。[指导教师]：余红岩。[课题研究背景]:霍尔效应是1879年被EH霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。当电流通过一个位于磁场中的导体时，磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力，从而在导体的两端产生电压差。讫今为止，霍尔效应已得到了广泛的作用，例如，利用霍尔效应制成的传感器和开关具有无触电、低功耗，使用寿命，响应频率高等优点。而所研究的正是它们的工作的应用，原理——霍尔效应，来深入认识和解析霍尔现象。[摘要]：运用所学知识，以及查得的相关资料对影响的因素进行理论分析，并设计实验分析结果进行验证，分析是本次研究的重点。通过理论和实验相结合分析，可得知：霍尔系数决定了霍尔无件对磁场有无的感应能力的强弱。对于霍尔系数一定的霍尔元件来说，所加磁场越大、则霍尔效应越明显……[研究过程]：（一）明确研究目的及意义（二）观察、了解霍尔现象（三）分析、解释霍尔现象，推导影响输出霍尔电压的因素（四）实验的设计与记录，（五）分析实验，得出结论，（六）结论与成效。一、

研究目的及意义：（1）弄清什么是霍尔效应。（2）弄清霍尔电压与哪些因素有关。（3）掌握研究霍尔效应的方法。（4）分析不同霍尔元件的电压。（5）了解霍尔元件的用途。二、

观察、了解霍尔现象。三、

霍尔效应的解析、与影响霍尔电压的因素的分析。所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体，半导体中的载流了时，产生横向电位差的物理现象，故可如下分析影响因素。如图：是发生霍尔效应的一段导体，Ｌ为导体厚度,d为导体的宽度,I是通过导休的电流,B是所加磁场强度,查得霍尔电压U=KIB/d其中K是霍尔系数,n为单位体积内自由电数即载流子浓度(可以将其简化为单个电子进行受力分析).根据霍尔效应,我们可以得出磁场的作用效果使运动电子受到一个向上的洛伦兹力F洛=eＶB……(1)而产生的电场,完全阻碍了使电子在洛仑兹力方向上的运动效果,使电子受到与F洛大小相同方向相反的电场力:F电=Ee(E表示产生场强的大小)……（2）场强E与U存在如下关系：U=EL……（3）故联（2）、（3）可得：F电=U.e/L……（4）因通过该导体的电流可表示成：I=n.e.s.V=neLdV……（5）故联（1）（5）可得，F洛=I.B/nLd……（6）由两个力对电子的作用效果可得：F洛=F电……（7）Ue/L=I.B/(n.e.dL)……（8）化简：U=I.B/(n.e.d)……（9）K=1/ned

分析结果:所以由(9)我们可以认识到影响输出霍尔电压大小的因素有磁场B,通过电流的大小I以及K的大小即1/ne的大小和导体宽度d。并且对于同一材料制成的霍尔元件，K的值相同。即K由其材料性质决定，而且K的不同，霍尔元件对于磁场的感应能力也就不同。四、

实验设计（1）实验目的：测量并记录不同型号霍尔元件在不同磁场下的霍尔电压，验证理论分析结果。（2）实验方法，控制变量法。（3）实验准备：霍尔元件3144、44E、以及未知型号霍尔元件，一块磁性故弱的条形磁块，一小块强磁性磁铁，数字式电表，直流电源，开关、若干导线。

（4）实验步骤：1、连接好装置。2、测得在不加磁场情况下的霍尔电压。3、用条形磁铁的一极直于霍尔元件背面靠近，在某一固定位置测出霍尔电压，接着换成另一极，在同一位置测出霍尔电压，记录下相关数据。再换成强磁性磁铁进行上述操作。4、将元件换成其它型号元件，重复上述操做，记录数据。磁场情况霍尔电压V／Ｖ

型号条形磁铁强磁性磁铁不加磁场磁铁所处位置N极靠近S极靠近N极靠近S极靠近3144(1)0.000.024-0.0022.0000.000离元件较近且等距

（2）0.000.0220.0002.200-0.002未知参数的霍尔元件0.0000.0000.0004.1000.00144E(3)0.0050.121

0.002(4)0.0050.021

0.002较远五．结论：

由上表可知：（1）在强磁场下霍尔效应明显（2）未知参数的霍尔元件与3144的性能较好，K值较大。六．结论与成效：通过本课题的研究，我们学习到了许多书本上学不到的方法。比如，在我们的生活中,存在着许多的电学与磁学知识,我们可以通过自己掌握的知识运用到日常生活中,有利于通过生活中的实践,更好地理解物理知识添加一些知识．又如何查资料，如何设计实验方案，如何测量及讨论，以及如何写结结题报告等等。这些方法为我们今后从事科学研究奠定了基础。完成整个课题，我们对网络和物理产生了浓厚的兴趣，知道了物理的美与趣，知道了网络学习、探索和创新，更知道了合作学习的可贵和可爱。同时也明白了一个道理，平时在课堂上学习的知识并不是我们想像中的那么一无是处，而是充满在生活中的每一个角落，充满在创造性的科学过程中，这也让我们在以后的学习中充满了更多的动力。感谢老师对我们精心指导！感谢学校为我们提供了良好的学习探索平台！让我们加强了学习的交互性.主动性.培养创新精神和应变能力。参考文献：1．《高中研究性学习基础》浙江科学技术出版社2006年8月2．《物理选修３－１》《物理选修３－２》人民教育出版社200７年１月附件：1．《研究性学习手册》（1份）２．《附录》（1份）３．《小资料》（1份）４．《图片》（1份）5.《课题研究开题报告》（1份）

附录:主要活动记录活动的时间:主题:1．3月11号关于开题报告内容落实2．3月29号实验设计与测量数据收集3.4月11号实验数据分析整理4．4月11号撰写研究结题报告指导老师:余红岩出席同学:潘非凡、王晨越、袁沈甜、邱晓芬、余烈、何畅、徐壑、严姣、夏航骏、姜利军。活动地点:1.龙游第二高级中学图书馆2.龙游第二高级中学教师办公室小资料一．霍尔元件霍尔元件的工作原理：所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。

利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为

UH=RHIB/d（18）

RH=1/nq（金属）（19）

式中RH——霍尔系数：

n——载流子浓度或自由电子浓度；

q——电子电量；

I——通过的电流；

B——垂直于I的磁感应强度；

d——导体的厚度。

对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（19）不同，此处从略。

由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。

利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。

如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。

霍尔元件应用霍尔效应的半导体。

二．霍尔元件的应用摘要:霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。本文简要介绍其工作原理，产品特性及其典型应用。1引言霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。按照霍尔器件的功能可将它们分为:霍尔线性器件和霍尔开关器件。前者输出模拟量，后者输出数字量。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。3.1.1测量磁场使用霍尔器件检测磁场的方法极为简单，将霍尔器件作成各种形式的探头，放在被测磁场中，因霍尔器件只对垂直于霍尔片的表面的磁感应强度敏感，因而必须令磁力线和器件表面垂直，通电后即可由输出电压得到被测磁场的磁感应强度。若不垂直，则应求出其垂直分量来计算被测磁场的磁感应强度值。而且，因霍尔元件的尺寸极小，可以进行多点检测，由计算机进行数据处理，可以得到场的分布状态，并可对狭缝，小孔中的磁场进行检测。3.2.3用在直流无刷电机中直流无刷电机使用永磁转子，在定子的适当位置放置所需数量的霍尔器件，它们的输出和相应的定子绕组的供电电路相连。当转子经过霍尔器件附近时，永磁转子的磁场令已通电的霍尔器件输出一个电压使定子绕组供电电路导通，给相应的定子绕组供电，产生和转子磁场极性相同的磁场，推斥转子继续转动。到下一位置，前一位置的霍尔器件停止工作，下位的霍尔器件导通，使下一绕组通电，产生推斥场使转子继续转动。如此循环，维持电机的工作3.2.4无损探伤霍尔无损探伤已在炮膛探伤、管道探伤，海用缆绳探伤，船体探伤以及材料检验等方面得到广泛应用。3.2.5磁记录信息读出用霍尔元件制成的磁读头，如图17所示，将写头和读头装在同一外壳里，采用长1mm，宽0.2mm,厚1.4μm的InSb霍尔元件，其信噪比比普通磁头高3db～5db,由于写头和读头间的间距很小，仅2.6mm，故可用一读头去监视几分之一秒之前录头录下的信息。3.2.8霍尔齿轮传感器用中介绍的差动霍尔电路制成的霍尔齿轮传感器，如图22所示,新一代的霍尔齿轮转速传感器，广泛用于新一代的汽车智能发动机，作为点火定时用的速度传感器，用于ABS（汽车防抱死制动系统）作为车速传感器等。在ABS中，速度传感器是十分重要的部件。ABS的工作原理示意图如图23所示。图中，1是车速齿轮传感器；2是压力调节器；3是控制器。在制动过程中，控制器3不断接收来自车速齿轮传感器1和车轮转速相对应的脉冲信号并进行处理，得到车辆的滑移率和减速信号，按其控制逻辑及时准确地向制动压力调节器2发出指令，调节器及时准确地作出响应，使制动气室执行充气、保持或放气指令，调节制动器的制动压力，以防止车轮抱死，达到抗侧滑、甩尾，提高制动安全及制动过程中的可驾驭性。在这个系统中，霍尔传感器作为车轮转速传感器，是制动过程中的实时速度采集器，是ABS中的关键部件之一。在汽车的新一代智能发动机中，用霍尔齿轮传感器来检测曲轴位置和活塞在汽缸中的运动速度，以提供更准确的点火时间，其作用是别的速度传感器难以代替的，它具有如下许多新的优点。（1）相位精度高，可满足0.4°曲轴角的要求，不需采用相位补偿。（2）可满足0.05度曲轴角的熄火检测要求。（3）输出为矩形波，幅度与车辆转速无关。在电子控制单元中作进一步的传感器信号调整时，会降低成本。用齿轮传感器，除可检测转速外，还可测出角度、角速度、流量、流速、旋转方向等等。3.2.11实现电－磁－电的转换从所周知,在有电流流过的导线周围会感生出磁场,该磁场与流过的电流的关系,可由安培环路定理求出。用霍尔器件检测由电流感生的磁场,即可测出产生这个磁场的电流的量值。由此,可以构成霍尔电流、电压传感器。因为霍尔器件的输出电压与加在它上面的磁感应强度以及流过其中的工作电流的乘积成比例，是一个具有乘法器功能的器件，因而可用它检测电功率，构成具有各种特殊功能的霍尔功率计和霍尔电度表。由输入的电信号建立的磁场，经霍尔器件的作用，实现了磁电变换后，又变成电信号输出，这一变换实现了输入－输出信号间的电隔离，由此可构成隔离放大器、隔离耦合器等许多新型产品。霍尔电流传感器霍尔电流传感器的结构如图35所示。用一环形导磁材料作成磁芯，套在被测电流流过的导线上，将导线中电流感生的磁场聚集起来，在磁芯上开一气隙，内置一个霍尔线性器件，器件通电后，便可由它的霍尔输出电压得到导线中流通的电流。图35（a）所示的传感器用于测量电流强度较小的电流，图35(b)所示的传感器用于检测较大的电流。实际的霍尔电流传感器有两种构成形式，即直接测量式和零磁通式。.1直接测量式霍尔电流传感器将图35中霍尔器件的输出（必要时可进行放大）送到经校准的显示器上，即可由霍尔输出电压的数值直接得出被测电流值。这种方式的优点是结构简单，测量结果的精度和线性度都较高。可测直流、交流和各种波形的电流。但它的测量范围、带宽等受到一定的限制。在这种应用中，霍尔器件是磁场检测器，它检测的是磁芯气隙中的磁感应强度。电流增大后，磁芯可能达到饱和；随着频率升高，磁芯中的涡流损耗、磁滞损耗等也会随之升高。这些都会对测量精度产生影响。当然，也可采取一些改进措施来降低这些影响，例如选择饱和磁感应强度高的磁芯材料；制成多层磁芯；采用多个霍尔元件来进行检测等等。这类霍尔电流传感器的价格也相对便宜，使用非常方便，已得到极为广泛的应用，国内外已有许多厂家生产。.2零磁通式（也称为磁平衡式或反馈补偿式）霍尔电流传感器如图36所示，将霍尔器件的输出电压进行放大，再经电流放大后，让这个电流通过补偿线圈，并令补偿线圈产生的磁场和被测电流产生的磁场方向相反，若满足条件IoN1=IsN2，则磁芯中的磁通为0，这时下式成立：Io=Is(N2/N1)(5)式中，I1为被测电流，即磁芯中初级绕组中的电流，N1为初级绕组的匝数，I2为补偿绕组中的电流，N2为补偿绕组的匝数。由式（5）可知，达到磁平衡时，即可由Is及匝数比N2/N1得到Io。实验过程的图片资料题目霍尔效应的探究指导老师余红岩课题组长潘非凡成员王晨越、袁沈甜、邱晓芬、余烈、何畅、徐睿、严姣、夏航骏、姜利军研究背景1879年E.H