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第31卷第12(桂林电子科技大学信息与通信学院,广西,桂林—10—09收稿,—12—22BVLD构造的击穿电压提高}联系作者:E—倍,显着改善纵向击穿特性[6;Sankara图1是BVIDLDMOS构造图.与常规t=一fd,下耗尽层厚度为图1BVLDLDMOSsectionoftheBVLDLDMOSFig.1Cross—图2到,当漏极偏压较低时(Vd一330V),VLD构造的电场和电势分布.常规LDMOSBVID器件击穿电压为Ec-z,.一 Lz)暑fT,qNgt.\cosh[-(L-x)/t]…\一,sinh[(L,--—L,-\0凸eL变PN结理论获得NP‰一等nP—图3中为击穿电压随着n埋层位置Y着增大,当?.P结和nP层,?P因此埋层的优化位置越低.在图3(b)(Iu..>0_【)/p10QEuu0Jn?.司Oofima】T5lain?l--MOS击穿电压仅为330V和350V,而BVID2图4击穿电压与漂移区浓度的关系:(a)N.不同图5(a)能够看到,常规LDMOS和BVLD要采用较小的P,但是P0OOOOO[

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