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Assignment2Considera180nmtechnology.ComputethevalueofVDSATfortheNMOSandPMOSdeviceassumingVGS=1.8V,VTn=0.5V,VTp=-0.5V,L=200nm.Solution：、针对于NMOS，由可知道，值很大，且对于短沟道器件（勾道长度=0.2um），速度饱和因子明显小于1，相比于长沟道器件往往工作于饱和区，所以由公式可知：，其中，当处于速度饱和时，所以。、同理针对于PMOS，，同（1），，得到。ComputetheNMOSandPMOSsaturationcurrentspermicronofwidthfora130nmtechnologyandtheratioofIDSATN/IDSATP.Assumeachannellengthof100nm,tox=22Å,VTn=0.4V,VTp=-0.4V,VGS=1.2V.Useνsat=8*106cm/s.Solution：根据公式，，合并得到：，同时，所以：所以最后：。Computetheoverlapcapacitance,Col,fora130nmtechnologywithtPOLY/tOX=100andalateraldiffusionof10nm.Solution：将，带入到边缘扩散电容公式：，如果：，则，所以整个覆盖电容为：.Computethechannelcapacitanceinthecutoff,resistive,andsaturationregionsrequiredforaPMOSdevicewithtox=22ÅandW=400nm,L=100nm.Solution：，所以总电容是：，所以在各个区中计算如下：截止区中：；线性区中：；饱和区中：；Computethejunctioncapacitancefora130nmtechnology.(a)FindΦ0andCjoforann+pjunctionwithND=1020cm-3andNA=3*1017cm-3.(b)W=400nm,L=100nm,xj=50nm,andthediffusionextensionLSis300nm.FindCdiffinunitoffFforVD=0VandVD=-1.2V.AssumeCj=C’jsw.Solution：

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