ZnO纳米线场效应晶体管的制备及IV特性研究的开题报告_第1页
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ZnO纳米线场效应晶体管的制备及IV特性研究的开题报告题目：ZnO纳米线场效应晶体管的制备及IV特性研究一、研究背景随着纳米科技的不断发展，纳米材料在半导体器件方面的应用越来越广泛。其中，ZnO纳米线是近年来研究的热点之一。ZnO纳米线由于其半导体性质良好、表面积大、柔韧性好等特点，已被用于太阳能电池、传感器、荷电体发射器、场效应晶体管等领域。场效应晶体管是一种重要的半导体器件，在集成电路中有广泛的应用。而基于ZnO纳米线的场效应晶体管，由于其优秀的电学性能和可控的制备工艺，已成为研究热点。因此，本研究将以ZnO纳米线为研究对象，探究ZnO纳米线场效应晶体管的制备方法及其IV特性。二、研究内容1.ZnO纳米线的制备方法：选取适当的制备方法，如热分解法、水热法、氢氧化物沉淀法等，制备ZnO纳米线，并对其形貌和结构进行表征。2.ZnO纳米线场效应晶体管的制备：在SiO2/Si衬底上，采用光刻、电子束蒸发等工艺制备金属电极并在其上沉积ZnO纳米线，制备ZnO纳米线场效应晶体管。并使用SEM、XRD、AFM等测试方法对晶体管进行表征。3.ZnO纳米线场效应晶体管的电学性能测试：利用测试仪器，对ZnO纳米线场效应晶体管的IV特性进行测试，分析其导电性能。三、研究意义探究ZnO纳米线场效应晶体管的制备方法及其IV特性，有助于深入了解纳米材料在场效应晶体管中的应用和特性。同时，也能在工程领域中为场效应晶体管技术的研究和应用提供一定的参考。四、研究方法1.制备ZnO纳米线：选取适当的制备方法，如热分解法、水热法、氢氧化物沉淀法等，制备ZnO纳米线，并利用SEM、XRD、AFM等测试方法对其形貌和结构进行表征。2.制备ZnO纳米线场效应晶体管：在SiO2/Si衬底上，采用光刻、电子束蒸发等工艺制备金属电极并在其上沉积ZnO纳米线，制备ZnO纳米线场效应晶体管。并使用SEM、XRD、AFM等测试方法对晶体管进行表征。3.测试ZnO纳米线场效应晶体管的IV特性：采用测试仪器对ZnO纳米线场效应晶体管的IV特性进行测试，分析其导电性能。五、进度安排1.制备ZnO纳米线和SiO2/Si衬底，进行表征（1周）。2.利用光刻、电子束蒸发等工艺制备金属电极并在其上沉积ZnO纳米线，制备ZnO纳米线场效应晶体管，并对其进行表征（2周）。3.利用测试仪器对ZnO纳米线场效应晶体管的IV特性进行测试，分析其导电性能（1周）。4.对实验结果进行分析和讨论，并完成论文撰写（3周）。六、参考文献1.孙黎，肖海强，张红燕等.半导体纳米线场效应晶体管的研究进展与展望[J].华南师范大学学报(自然科学版),2016,48(1):1-8.2.王洁，张勇.金属氧化物半导体纳米线场效应晶体管研究进展[J].现代科技,2016,33(10):146-148.3.崔哲，刘

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