国家开放大学《光伏电池材料》形考任务1-4参考答案

国家开放大学《光伏电池材料》形考任务1-4参考答案题目随机,下载后利用查找功能完成学习任务形考任务1一、单项选择题1.多晶硅属于（）A.体心立方结构B.面心立方结构C.简单立方结构D.金刚石结构2.二元相图通常采用（）的坐标系。A.压强-浓度（p-x）图B.温度-浓度（T-x）图C.温度-压力（T-p）图D.三棱柱模型3.根据晶胞外形即极边长度之间的关系和晶轴之间的夹角情况，而不涉及晶胞中原子的具体排列情况，可将所有晶体分成（）个晶系，（）种布拉菲点阵。A.7、14B.5、10C.6、12D.10、204.关于二氧化硅以下说法错误的是（）A.制造冶金硅的主要原料之一B.能与HF反应C.SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快D.石英是地壳中分布很少的矿物5.关于硅单质说法错误的是（）。A.在常压下具有金刚石型结构B.原子晶体，是深灰色而带有金属光泽的晶体C.熔点为1420℃，沸点为2355℃D.具有类似金属的塑性6.关于硅的化学性质说法错误的是（）。A.在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应B.硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应C.硅单质在常温下化学性质十分稳定D.硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化7.关于四氯化硅以下说法错误的是（）A.无色而有刺鼻气味的液体B.熔点-70℃，沸点57.6℃C.不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂D.可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用8.关于位错密度说法错误的是（）。A.也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目B.是单位体积晶体中所包含的位错线总长度C.通常情况下制得位错密度较小的材料D.位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳9.观察晶体中位错最简单的方法是（）。A.透射电镜法B.手触感觉法C.浸蚀观察法D.肉眼观察法10.硅晶体的解理面有（）A.{112}晶面和{110}晶面B.{111}晶面和{100}晶面C.{111}晶面和{110}晶面D.{110}晶面和{100}晶面11.面心立方结构晶胞中的原子数为（）A.4B.8C.14D.112.漂晶现象的原因在于（）。A.籽晶太小B.过冷度太大C.杂质太多D.液面上这些位置不能保持正驱动力13.室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。A.3B.2C.0D.114.西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）A.P型硅半导体B.99.9999%（6个9）的为太阳能级硅C.99.999999999%（11个9）的为电子级硅D.95%-99%的冶金级硅15.下列属于面缺陷的是（）A.位错B.空洞C.空位D.晶界16.液态水、冰、水蒸气共存时，独立组元数为（）。A.2B.3C.1D.017.一般热处理时的原子扩散主要与（）有关A.以上都不是B.位错C.空位D.晶界18.以下（）不是自然界中的硅同位素。A.30SiB.29SiC.32SiD.28Si19.杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）A.置换原子B.位错C.空位D.间隙原子20.正温度梯度与负温度梯度相比，（）。A.正温度梯度是指液相温度随离液-固界面的距离增大而降低B.负温度梯度有利于完整晶体的生长C.正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出，相界面的推移速度受固相传热速度所控制D.正温度梯度容易产生枝晶生长二、不定项选择题1.不能用于区分晶体与非晶体的是（）A.密度的大小B.熔点的高低C.是否具有确定的熔点D.原子排练是否有序2.采用适当的原料配比，都能得到解决或部分解决是（）。A.在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹B.晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀C.由于组分过冷引起晶体的网络结构等D.晶体成分偏离理想配比引起点缺陷3.关于白炭黑说法准确的是（）。A.白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的B.非常细小颗粒和极大的表面积C.具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应D.硅氧烷橡胶里的主要增强填料4.关于单晶硅的晶体结构说法正确的是（）。A.硅原子轨道杂化以后，在sp3轨道上有4个未成对的价电子B.硅原子所有价电子都被束缚在共价键上，没有自由电子，所以不是导体C.共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键D.共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体5.关于点缺陷说法错误的是（）。A.点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行B.点缺陷使得滑移更容易进行C.空位越多，晶体的密度越低D.金属中的点缺陷增加了电阻6.关于固溶体与中间相说法错误的是（）。A.Cu-Ni合金属于中间相B.形成的新相的晶体结构不同于任一组元，新形成的固相叫中间相C.固熔体一般具有较高的熔点及硬度D.某一组元作为溶剂，其他组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相，称为固溶体7.关于硅的电阻率说法错误的是（）。A.硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感B.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多C.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降D.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子8.关于硅的卤化物说法错误的是（）。A.熔点、沸点都比较低B.都是共价化合物C.都是无色的D.一般都是无毒的9.关于晶体的宏观表面说法正确的是（）。A.表面最活跃的位置是台阶的边缘处B.从原子的尺度来看，十分粗糙而凹凸不平C.宏观表面一般与原子密排面平行D.宏观表面基本上由一系列平行的原子密排面及相应的台阶组成的10.关于临界晶核说法错误的是（）。A.临界半径与过冷度ΔT无关B.晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大C.均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同D.当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失11.关于三氯氢硅说法正确的是（）。A.可由硅粉与氯化氢合成而得B.可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅C.熔点-128℃，沸点31.5℃D.无色透明液体12.关于石英说法错误的是（）。A.与晶体硅一样是原子晶体B.由一个个的简单SiO2分子组成C.每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合，形成SiO4四面体结构单元D.石英砂开采、加工成本较低13.关于位错的观察，说法正确的是（）。A.浸蚀观察法观察到的其实是位错的蚀坑B.蚀坑具有规则的外形，如三角形，正方形等规则的几何外形C.晶体内部位错无法浸蚀观察D.位错密度很大的晶体也能浸蚀观察14.硅在自然界主要以（）形式存在。A.石英砂B.硅单质C.硅酸盐D.白炭黑15.解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。A.{110}B.{111}C.{100}D.{120}16.金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。A.8、8B.8、4C.12、4D.4、417.两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。A.大角度晶界B.刃位错C.亚晶界D.小角度晶界18.热力学平衡条件包括（）。A.相平衡B.热平衡C.浓度平衡D.力学平衡19.下列不属于面缺陷的是（）。A.表面B.气孔C.间隙原子D.相界20.下列属于晶体的宏观特性的有（）A.长程有序B.解理性C.各向异性D.固定熔点三、判断题1.柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。（×）2.点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。（√）3.硅晶体的半导体性源于共价键。（√）4.硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。（×）5.硅烷就是甲硅烷。（×）6.硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。（√）7.滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。（×）8.甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。（×）9.可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。（×）10.内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。（×）11.平衡状态下，位错密度随温度升高呈指数关系增加。（×）12.普通玻璃是无定形二氧化硅。（×）13.刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。（√）14.水晶是石英的单晶体，是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体。（√）15.一氧化硅是硅和二氧化硅的均匀混合物在低压下加热到1450K以上生成的挥发性物质。（√）16.有些杂质即使在硅中含量超过1015cm-3，也不会对电池的转换效率产生明显影响。（√）17.在半导体的P-N结中，浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。（√）18.在常温下硅对多数酸是稳定的。（√）19.在常温下硅能与稀碱溶液反应。（√）20.在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。（√）四、连线题1.将各类晶体缺陷与实例一一对应。（1）点缺陷一一B.空位（2）线缺陷一一A.位错（3）面缺陷一一C.相界2.将各种硅化合物与描述一一对应。（1）二氧化硅一一B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到（2）三氯氢硅一一C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾（3）四氯化硅一一A.沸点31.5℃，室温下无色透明液体3.将各种硅化合物与熔沸点一一对应。（1）四氯化硅一一B.熔点-70℃，沸点57.6℃（2）三氯氢硅一一C.熔点-128℃，沸点31.5℃（3）甲硅烷一一A.熔点-185℃，沸点-111.8℃4.将各种硅化合物与作用一一对应。（1）二氧化硅一一B.制造冶金硅的主要原料之一（2）三氯氢硅一一A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物（3）甲硅烷一一C.大量地用于制高纯硅，高温易热解5.将硅材料与描述一一对应。（1）电子级硅一一B.99.999999999%（2）冶金级硅一一C.95%-99%（3）太阳能级硅一一A.99.9999%6.将硅的用途与性质一一对应。（1）二极管一一C.制成晶体二极管后即能整流又能检波（2）集成电路一一A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路（3）光电池一一B.可以把光能转化成电能7.将晶体的特性与解释一一对应。（1）各向异性一一C.在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等（2）长程有序一一B.粒子排列具有三维周期性、对称性（3）解理性一一A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质8.将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。（1）简单立方结构一一C.1（2）体心立方结构一一B.2（3）面心立方结构一一A.49.将晶体生长方式与实例一一对应。（1）固相生长一一C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石（2）液相生长一一B.盐水溶液结晶（3）汽相生长一一A.水汽凝结为冰晶10.将相图与特点一一对应。(1)匀晶相图一一A.两组元在液态、固态都无限互溶(2)共晶相图一一B.L→α+β(3)包晶相图一一C.L+α→β形考任务2一、单项选择题1.（）是生产太阳能级硅材料的主要技术。A.冶金法B.二氧化硅高纯试剂还原法C.改良西门子法D.四氯化硅金属还原法2.代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。A.0.20％、0.20％、0.05％B.以上都不对C.0.20％、0.05％、0.20％D.0.05％、0.20％、0.20％3.对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。A.节约时间B.节能C.降低物耗D.减少污染4.改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。A.吸附B.精馏C.区域提纯D.物理提纯法5.工业硅加工产品的附加值最高的是（）。A.有机硅生产B.生产合金C.生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池D.以上皆不是6.关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）A.取决于温度效果显著B.取决于硼的含量C.效果一般完全去除D.几乎无法效果去除7.关于分子筛说法错误的是（）。A.也叫合成沸石B.分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面C.具有极性D.对非极性分子具有较强的亲和力8.硅石和还原剂在低于1500℃时，发生的反应是（）。A.SiO2+3C=SiC+2CO↑B.无化学反应，仅为预热C.SiO2+2SiC=3Si+2CO↑D.2SiO2+SiC=3SiOuarrB.+CO↑9.金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。A.{111}面B.{110}面C.{100}面D.{101}面10.晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。A.原生长缺陷B.二次缺陷C.点缺陷D.诱生缺陷11.区熔法制备单晶硅时，需要（）。A.需要一个石英坩埚用于溶化B.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚C.不需要坩埚D.需要一个石墨坩埚12.生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。A.氧气低压的空气B.低压的氮气氢气C.低压的氩气D.常压的空气13.太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。A.杂质原子B.位错C.空位D.二次缺陷14.微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。A.前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅B.两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料C.后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是D.从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要15.吸附时不发生任何化学变化，是（）。A.物理吸附B.以上皆不是C.化学吸附D.不可逆过程16.在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。A.只有熔炼过程中生成的SiCB.底下是SiC，其上面是产品工业硅C.全部都是产品工业硅D.以上皆不是17.占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。A.原生长缺陷B.替位杂质原子C.本征点缺陷D.间隙杂质原子18.CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。A.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长B.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长C.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长D.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长19.Dash工艺主要解决的是（）。A.热应力B.减少缺陷（位错）C.加入转晶D.放肩二、不定项选择题20.大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。A.方便安装B.防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破C.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险D.降低成本21.工业硅生产过程中，要注意的是（）。A.通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度B.及时捣炉，帮助沉料C.保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体D.及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比22.工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。A.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，抗磨损C.有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀D.选择性高23.关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。A.生长时都需借助要采用籽晶B.都需要采用真空气氛保护C.都需要使用缩颈工艺D.熔化时都需要采用坩埚24.关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。A.放热反应B.吸热反应C.温度升高后反而将影响产品收率D.要加热到所需温度才能进行25.关于晶转说法正确的是（）。A.过高的晶转会使固液界的形状太凹B.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动C.晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性D.吊索和晶体出现共振时效果最好26.关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。A.被两条曲线分为三个区域B.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线C.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线D.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线27.关于SiO说法正确的是（）。A.SiO很容易发生化学反应B.温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到C.能在1500℃与C发生反应D.能与氧气发生反应28.硅烷法的特点是（）。A.不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅B.硅烷气体易于用吸附法提纯C.易于分解为非晶硅D.硅烷易爆炸29.化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。A.中间化合物的分离提纯B.中间化合物的合成C.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅D.区域提纯30.晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。A.点缺陷的产生B.点缺陷分解C.点缺陷的复合D.点缺陷的扩散31.具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。A.{211}〈211〉晶面族晶向B.{100}<110>晶向晶面族C.〈210〉晶向{110}晶面族D.{111}晶面族〈111〉晶向32.磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷的密度小B.磷在硅中的分配系数小于1C.磷在硅熔液中很快得到蒸发D.磷的熔点低33.石墨坩埚的寿命取决于（）。A.石墨坩埚的形状B.在晶体生长过程中的受热程度C.承受的重量D.石墨的材质34.位错影响说法正确的是（）。A.刃型位错也可能作为一排受主B.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心C.位错能够改变载流子浓度D.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子35.无坩埚区域提纯（）。A.也可用于晶体生长B.硅也能采用水平区域提纯法C.避免了坩埚的污染D.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力36.以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。A.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的B.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发C.物理吸附的进行吸附是可逆的D.脱咐的进行物理吸附是不可逆的37.由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。A.通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度B.熔体稳定C.晶体直径大D.对多晶形状要求低38.直拉单晶炉的主室包括（）。A.热绝缘筒和地盘B.石墨加热器C.石墨坩埚D.石英坩埚39.CZ法产生位错的环节和方式有（）。A.籽晶中的位错延伸、增殖B.晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力C.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕D.单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力三、判断题1.闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。（√）2.从安全性的角度考虑，改良西门子法优于硅烷法。（√）3.单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。（×）4.对于一次熔化来说，正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。（×）5.分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。（×）6.改良西门子法的原料主要是硅石。（×）7.改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。（√）8.改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。（√）9.硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。（√）10.化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。（×）11.化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。（×）12.甲硅烷常温下为气体，室温下就容易分解。（×）13.精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。（√）14.冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。（×）15.由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。（√）16.只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。（√）17.CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。（√）18.FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。（×）19.MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。（√）20.SiH4不能采用精馏技术进行提纯。（×）四、连线题1.将工业硅的应用与用量一一对应。（1）生产合金一一C.55%（2）有机硅一一B.40%（3）半导体器件和太阳能电池一一A.5%2.将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比一一C.防止过多的SiC生成（2）保证反应区有足够高的温度一一B.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行（3）及时捣炉，帮助沉料一一A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO3.将工艺与提纯方法一一对应。（1）硅烷法一一B.吸附（2）改良西门子法一一A.精馏（3）冶金一一C.物理提纯4.将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。（1）红外散射缺陷（LSTDs）一一C.拉速越慢，LSTDs密度越低（2）流水花样缺陷（FPDs）一一B.过饱和空位凝聚而成的空位团（3）晶体原生颗粒缺陷（COPs）一一A.随着拉速的增加而增加5.将化学反应与作用一一对应。（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl一一C.中间产物的还原（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2一一A.中间产物的合成（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一一B.工业硅的合成6.将吸附的设备与工艺一一对应。（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内一一C.间歇操作（2）固定吸附床一一A.半连续操（3）移动吸附器一一B.连续操作7.将氧的存在方式及其描述一一对应。（1）热施主一一B.处理温度处于300～500℃（2）新施主一一A.热处理温度处于550～850℃（3）氧沉淀一一C.适当的温度下进行热处理时会脱溶8.将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。（1）O一一A.1.25（2）C一一B.0.07（3）B一一C.0.89.将Cz法中的工艺与描述一一对应。（1）缩颈生长一一A.减少位错（2）放肩生长一一C.肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率（3）等径生长一一B.硅片取材的部位10.将Cz法中的设备与描述一一对应。（1）石英坩埚一一C.纯度和耐热性能要求很高（2）石墨坩埚一一A.底部比较厚，以起到较好的绝热效果（3）石墨加热器一一B.电阻会随着使用次数的增加而升高11.将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。（1）O一一A.危害大（2）C一一B.浓度低，影响小（3）N一一C.增强机械性能形考任务3一、单项选择题1.单晶硅片的电阻率一般控制在（）。A.2～4·cm左右B.1～3·cm左右C.0.5～2·cm左右D.0.1～0.3·cm左右2.电磁铸锭法说法错误的是（）。A.熔体与坩埚不直接接触B.硅锭中晶粒较细小C.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀D.较少晶体缺陷3.硅的熔点约为（）。A.800℃B.1420℃C.2200℃D.1200℃4.硅片切割中的碎料可用于（）。A.铸造多晶硅B.直拉单晶硅C.区熔单晶硅D.填坑5.硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。A.PH3B.PH5C.POCl3D.B2O36.目前常用的多晶硅铸锭炉单炉产量约为（）。A.450kgB.1000kgC.100kgD.250kg7.目前最常用的硅片的尺寸为（）。A.210mm×210mmB.156mm×156mmC.125mm×125mmD.100mm×100mm8.热交换法与布里奇曼法的主要区别在于（）。A.是否需要水冷B.成本C.能耗D.坩埚与热源的相互运动情况9.少子寿命的物理意义是（）。A.以上都不对B.非平衡少数载流子复合所需要的平均时间C.非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间D.非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间10.生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。A.以上都不对B.8～15C.3000%D.18～4011.太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。A.400～500umB.300～400umC.200～300umD.100～150um12.氧在铸造多晶硅中的浓度约为（）。A.1×107～1×108cm-3B.1×1020～1×1021cm-3C.1×1012～1×1013cm-3D.1×1017～1×1018cm-313.一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。A.35～45hB.55～65hC.25～35hD.15～25h14.用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。A.X射线法B.整流法C.四探针法D.显微镜观察法15.铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。A.1mm左右B.10cm左右C.10mm左右D.100μm左右16.铸造多晶硅现在通称为（）。A.fz-SiB.cz-SiC.以上都不对D.mc-Si17.铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。A.热交换法B.布里奇曼法C.浇铸法D.电磁铸锭法18.铸造多晶硅中的晶体掺杂可采用（）。A.BH3B.PH3C.BD.B2O319.最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。A.四探针法B.范德堡法C.扩展电阻法D.两探针法20.PCD方法可用于测量（）。A.少子寿命B.电阻率C.曲翘度D.平整度二、不定项选择题21.大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。A.方便安装B.降低成本C.防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破D.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险22.工业硅生产过程中，要注意的是（）。A.通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度B.及时捣炉，帮助沉料C.及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比D.保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体23.工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。A.具有一定的机械强度，抗磨损B.有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀C.选择性高D.具有较大的内表面，吸附容量大24.关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。A.生长时都需借助要采用籽晶B.都需要使用缩颈工艺C.都需要采用真空气氛保护D.熔化时都需要采用坩埚25.关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。A.放热反应B.要加热到所需温度才能进行C.温度升高后反而将影响产品收率D.吸热反应26.关于晶转说法正确的是（）。A.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动B.晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性C.吊索和晶体出现共振时效果最好D.过高的晶转会使固液界的形状太凹27.关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。A.被两条曲线分为三个区域B.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线C.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线D.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线28.关于SiO说法正确的是（）。A.SiO很容易发生化学反应B.能在1500℃与C发生反应C.温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到D.能与氧气发生反应29.硅烷法的特点是（）。A.不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅B.硅烷气体易于用吸附法提纯C.硅烷易爆炸D.易于分解为非晶硅30.化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。A.中间化合物的合成B.中间化合物的分离提纯C.区域提纯D.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅31.晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。A.点缺陷的产生B.点缺陷的扩散C.点缺陷分解D.点缺陷的复合32.具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。A.〈210〉晶向{110}晶面族B.{100}<110>晶向晶面族C.{111}晶面族〈111〉晶向D.{211}〈211〉晶面族晶向33.磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷的密度小B.磷的熔点低C.磷在硅熔液中很快得到蒸发D.磷在硅中的分配系数小于134.石墨坩埚的寿命取决于（）。A.在晶体生长过程中的受热程度B.石墨坩埚的形状C.承受的重量D.石墨的材质35.位错影响说法正确的是（）。A.刃型位错也可能作为一排受主B.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子C.位错能够改变载流子浓度D.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心36.无坩埚区域提纯（）。A.硅也能采用水平区域提纯法B.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力C.避免了坩埚的污染D.也可用于晶体生长37.以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。A.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的B.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发C.物理吸附的进行吸附是可逆的D.脱咐的进行物理吸附是不可逆的38.由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。A.通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度B.晶体直径大C.对多晶形状要求低D.熔体稳定39.直拉单晶炉的主室包括（）。A.热绝缘筒和地盘B.石墨坩埚C.石墨加热器D.石英坩埚40.CZ法产生位错的环节和方式有（）。A.籽晶中的位错延伸、增殖B.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕C.晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力D.单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力三、判断题1.纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。（×）2.多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。（√）3.多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。（×）4.硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。（×）5.硅片切割得越薄，切割损耗也越多。（√）6.国内还不能生产铸造多晶硅的铸锭炉。（×）7.浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。（×）8.目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。（×）9.热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。（×）10.如果减少多晶硅铸锭炉的氮化硅喷涂工艺，可以降低成本。（×）11.太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。（√）12.太阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。（√）13.通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。（√）14.一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺镓的p型多晶硅。（×）15.影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。（√）16.与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。（√）17.在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。（×）18.直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。（×）19.铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。（√）20.铸造多晶硅中的金属沉淀不会影响载流子浓度。（√）四、连线题1.将测试方法与作用一一对应。（1）整流法一一C.导电型号（2）四探针法一一B.电阻率（3）光电导衰退法一一A.少子寿命2.将各工艺与能耗一一对应。（1）区熔单晶硅一一C.30kWh/Kg（2）直拉单晶硅一一B.18～40kWh/Kg（3）铸造多晶硅一一A.8～15kWh/Kg3.将各种硅生产工艺与特点一一对应。（1）mc-Si一一C.转换效率一般最低（2）cz-Si一一B.对硅料的要求一般（3）fz-Si一一A.生产成本最高4.将硅片参数与作用一一对应。（1）BOW一一A.弯曲度（2）TTV一一C.总厚度偏差（3）TIR一一B.平整度的一种量度5.将硅中的各种元素与影响一一对应。（1）B一一C.特意加入，形成掺杂（2）O一一A.危害较大（3）H一一B.有钝化效果6.将化学反应与作用一一对应。（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑一一A.去除硅表面的致密保护膜（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O一一C.酸腐蚀（3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑一一B.碱腐蚀7.将抛光工艺与描述一一对应。（1）机械抛光法一一B.采用细磨料颗料（2）化学抛光法一一C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液（3）化学－机械抛光法一一A.现代半导体工业中普遍应用8.将清洗时试剂与作用一一对应。（1）无机酸一一A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质（2）有机溶剂一一C.相似相溶（3）过氧化氢一一B.对一些难溶物质转化为易溶物质9.将吸杂工艺与描述一一对应。（1）磷吸杂一一A.去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除（2）铝吸杂一一C.除杂效果最佳（3）磷-铝共吸杂一一B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化10.将制备方法与描述一一对应。（1）布里曼法一一A.坩埚需升降（2）热交换法一一B.固液界面比较平稳（3）浇铸法一一C.熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行形考任务4一、单项选择题1.大π键说法正确的是（）。A.双键包含一个π键B.三键包含一个π键C.有机分子中肯定有D.苯环上6个碳原子各有1个未参加杂化的2p轨道，它们垂直于环的平面，并从侧面相互重叠而形成一个闭合的π键。"2.二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。A.锐钛矿B.金红石C.都差不多D.板钛矿3.非晶硅薄膜的厚度约为（）。A.数十微米B.数百微米C.数十毫米D.数百纳米4.非晶硅的沉积温度为（）。A.900～1300℃B.500～700℃C.100～300℃D.1000～1400℃5.非晶硅的禁带宽度为（）。A.2.12eVB.1.6eVC.1.5eV，并且在一定程度上可调D.1.12eV6.非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。A.104℃/sB.105℃/sC.103℃/sD.102℃/s7.非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。A.SiH4加PH3B.SiH4加BH3C.PH3加BH3D.SiH4加B2H68.非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。A.5%B.20%C.10%D.15%9.非晶硅最常用的生产方法是（）。A.热丝化学气相沉积B.光化学气相沉积C.辉光放电分解气相沉积D.溅射气相沉积10.关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。A.最大限度的与电解质紧密接触B.晶粒越大越好C.尽可能多的吸附染料D.高的比表面积和大量的孔隙11.锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。A.3.2eVB.3.0eVC.2.8eVD.2.2eV12.通常有机半导体中的导电电子是指（）。A.Σ电子B.π电子C.离域π电子D.离域Σ电子13.铜铟镓硒薄膜太阳电池的禁带宽度（）。A.3.16eVB.0.97eVC.2.1eVD.1.02~l.67eV范围内可调14.铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率的记录（）。A.19.40%B.25%C.16.70%D.10.10%15.以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（）。A.微晶硅薄膜B.多晶硅C.非晶硅薄膜D.铜铟镓硒16.铟储量最多的国家是（）。A.中国B.日本C.美国D.俄罗斯17.与光致衰减效应联系最紧密的元素是（）。A.OB.CC.BD.H18.a-Si指（）。A.微晶硅B.多晶硅C.单晶硅D.非晶硅19.PECVD所使用的主要原料是（）。A.SiHCl3B.SiO2C.SiD.SiH420.PECVD主要利用的是（）区域。A.正离子柱区B.法拉第暗区C.阳极辉光D.阴极辉光二、不定项选择题21.常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。A.非晶硅晶化制备B.将多晶硅片切薄C.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜D.对多晶硅片进行热处理22.对多晶硅薄膜的研究重点目前主要有（）。A.制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料B.如何在廉价的衬底上，能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜C.掺杂气体的选择D.热处理温度的选择23.二氧化钛的晶体结构有（）。A.板钛矿B.金刚石C.锐钛矿D.金红石24.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜的途径有（）。A.快速热处理晶化B.激光热处理晶化C.金属诱导固相晶化D.固相晶化25.非晶硅太阳电池成本低原因在于（）。A.非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度B.可柔性化C.制备是在低温下进行D.廉价的衬底材料26.非晶硅太阳电池的多品种和多用途在于（）。A.只要改变原材料的气相成分或者气体流量，便可使非晶硅薄膜改性B.色彩鲜艳C.根据器件功率、输出电压和输出电流的要求，可以自由设计制造D.厚度低27.非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（）。A.材料和制造工艺成本低B.易实现柔性电池C.具有S-W效应D.易于形成大规模生产能力以及大面积化生产28.关于光致衰减效应说法正确的是（）。A.铸造多晶硅没有光致衰减B.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低C.简称S-W效应D.在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态29.关于D/A界面说法正确的是（）。A.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料B.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料C.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差D.类似于无机太阳电池中的PN结30.化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。A.热丝化学气相沉积制备多晶硅B.低压化学气相沉积制备多晶硅C.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜D.等离子增强化学气相沉积31.辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。A.电弧放电B.异常放电C.汤森放电D.正常放电32.可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。A.TiO2B.SnO2C.ZnOD.Al2O333.染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。A.电解质B.对电极C.染料敏化剂D.多孔纳米晶薄膜34.染料敏化太阳电池优点有（）。A.较低的成本B.可制得柔性器件C.很好的装饰功能D.简单的制备工艺35.铜铟镓硒薄膜的制备方法有（）。A.电沉积B.印刷法C.后硒化D.多元分步蒸发36.旋涂成膜存在的问题有（）。A.溶解性B.溶剂残留C.薄膜的均匀性难以保证D.挥发性37.有机半导体薄膜成膜技术包括（）。A.丝网印刷技术B.有机气相沉积法C.真空热蒸发沉积D.旋转涂层法38.有机太阳电池产生电流的流程（）。A.运输到D/A界面处B.电子空穴分离C.产生激子D.吸收光子39.有机太阳电池的层状三明治叠层结构包括（）。A.负电极B.透明衬底C.正电极D.有机半导体薄膜层40.有机太阳电池基本的结构模型有（）。A.双层异质结结构B.单层同异质结结构C.PIN结构D.单层混合膜异质结结构三、判断题1.苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和A