前清洗工艺作业流程（以虚拟仿真为例）

太阳电池发电原理、结构与分类前清洗工艺作业流程介绍前清洗工艺作业流程介绍学习说明1.请各位学员对照微知库中虚拟仿真视频来进行PPT学习，以期达到最佳学习效果；2.观看虚拟仿真视频时，需要记录下关键的数据和操作方法；3.虚拟仿真平台网址(必须使用Firefox浏览器登录)：

/cell/用户名：student1student2密码：12345RENAINTEX链式前清洗设备领料任务1.根据领料单提示，到仓库领取所用硅片箱；2.将硅片箱在指定位置开箱；3.将箱内的硅片盒打开，在检查区内进行外观检查和分类，挑选出合格的硅片。4.按要求填写工单中的流程卡。试运行任务1.开启生产设备；2.随机选择样片进行试运行，记录样片在工艺前后的减薄量；3.调整设备参数直至减薄量达到要求。量产任务1.正式上料进行量产作业；2.药液不足时按规范进行补液操作；3.进行生产过程监控：

a.减薄量/腐蚀厚度检测；

b.反射率检测；

c.脏片检测；

d.SPC电脑统计检测；4.返工作业

当腐蚀深度不够时，只对Etchbath进行手动补液。当硅片表面有大量酸残留，形成大面积黄斑时，需要对KOH

进行手动补液。当硅片经过风刀吹不干，则可能硅片表面氧化层未被洗净，此时可适当补充酸。

前清洗补液原则补液:

自动补液：当腐蚀深度控制在4.4±0.4µm范围内时，硅片的腐蚀重量约为0.3g/片，通过感应器计数，当跑片达到一定量时，机器自动对刻蚀槽进行补液,其中HF量为0.05±0.005kg、HNO3量为0.05±0.005kg。

手动补液：根据实际硅片的腐蚀情况，有时需要进行手动补液。通常每次补液量如下：

ReplenishmentEtchbath:HF9.000L

HNO36.000L

ReplenishmentAlkaline:KOH2.000L

ReplenishmentAcidic:HCl4.000L

HF2.000L

也可根据实际情况减少或增加手动补液量。但用量比例按照上述之比例，补药过程一般不建议加入DIwater。

每批次抽取4片样品，测量腐蚀前后的质量差，然后根据公式可获得腐蚀深度，要求控制腐蚀深度在4.4±0.4µm,同时制绒后的硅片反射率要求控制在21%~24%之间。刻蚀深度与电性能间的关系SPC控制生产结束任务1.下料；2.通过传递窗传递至下一工序；3.填写好相应的工单流水。

设备的日常维护

主要是滤芯的更换；视硅片清洗后的质量排查可能的设备原因，调整喷淋和风刀的角度和强度；药液寿命到后换药过程中清洗酸碱槽，以及清理滚轮和各槽中碎片。

需要注意的是碱槽的喷嘴角度和流量需要控制好，否则碱液易喷至Rinse1中，而Rinse1中洗下的酸液和上述碱液易在该槽中生成盐，使该处的滤芯很快被堵住而失效。前清洗工序工艺职业素养要求片子表面5S控制

不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。称重

1.每批片子的腐蚀深度都要检测，不允许编造数据，搞混批次等。2.要求每批测量4片。3.放测量片时，把握均衡原则。如第一批放在道，下一批则放在道，便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。刻蚀槽液面的注意事项：

正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即通知工艺人员。习题：1.利用教材