1三氯氢硅的合成

广东省游乐设备事务所 专业设计开发多晶硅，灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反响。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的根底材料。由枯燥硅粉与枯燥氯化氢气体在肯定条件下氯化，再经冷凝、精馏、复原而得。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在化学活性方面，两者的差异微小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区分，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动掌握、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息根底材料。被称为 “微电子大厦的基石”。三氯氢硅的合成游乐设备 游乐设备|游乐场--广东省游乐设备事务所-游乐设备设计及研发|游乐设施|游乐设备厂|游乐场|游乐场工程广东省游乐设备事务所专业设计开发广东省游乐设备事务所专业设计开发游乐设备 游乐设备|游乐场--广东省游乐设备事务所游乐设备 游乐设备|游乐场--广东省游乐设备事务所-游乐设备设计及研发|游乐设施|游乐设备厂|游乐场|游乐场工程反响等优点，因此目前已被国内外广泛承受。沸腾床与固定床比较其优点为：10克左右。连续生产，生产过程中不致因加料或除渣而中断。3SiHCl390%以上，而固定床75%左右。4、本钱低，纯度高，有利于承受催化反响，原料可以承受粉的硅粉，不肯定要使用硅较高。SiHCl3.Si+3HCl→(280～320℃)SiHCl3+H2+50千卡/克分子SiCl4。Si+4HCl→(＞350℃)SiCl4+2H2+54.6千卡/克分子SiCl450%以上，此CaCl23MnCl3

BCl、3243333CCl3、CuCl2、PCl3等。3243333因此我们要严格地掌握肯定的操作条件。二、三氯氢硅合成工艺流程及设备。1、合成工艺：20M〔2.8KW〕,干式球球磨Φ900×1800mm,28KW，鄂式裂开机进料口250×120㎜〔3KW，硅粉〔120目〕量罐计量后，参加沸腾炉内，沸腾炉送电升温330℃±20℃，切SiHCl3气体SiHCl3液体，流入产品计量罐计气。2、SiHCl3合成设备：沸腾炉由A3〔碳钢4Φ3001500834个小孔，锈钢〔1Cr18Ni9Ti〕材料制成。炉筒内设置3 ，供降温所用。Φ600×850㎜〔1200㎜〕两个除7255孔，过滤筒外依次用6层玻璃布和5层120〔仅开炉时加热，一般状况下只保温〕碳钢制造。③预冷器：两个串联使用，自来水冷却，冷凝面积1.85〔A3〕制造。-40℃盐水8㎡，碳钢〔A3〕制造。三、三氯氢硅合成的技术条件：1、反响温度：反响温度对三氯氢硅的生成影响较大，温度过低则反响缓慢，过高〔大于450℃〕则反响生成的SiHCl3量降低SiCl4SiCl4SiCl4时反响温度高600SiHCl3的分子构造是不对称SiHCl3的热稳定较差，在400℃时就开头分解，550℃猛烈分解，因此在生产过程中用适当的反响温度〔280～320℃〕是提高SiHCl3含量的有效途径。2、氧和水份：Si—O键比si—ClSiHCl3的产率HCl中含水量愈大，则产物中SiHCl3的含量愈低，由以下图可见：HCl0.1%SiHCl380%HCl0.05%SiHCl390%，因此Si粉及HCl必需预先枯燥脱水。3、氯化氢的稀释：SiHCl3生成的方向进展，这是由于：Si+3HCl→(280～320℃)SiHCl3+H2+50千卡/克分子反响的平衡常数。Kp1=PSiHCl3·PH2/P3HCl即PSiHCl3=Kp1·(P3HCl/PH2)……(1)反响SiHCl3+HCl=SiCl4+H2()的平衡常数。Kp2=PsiCl4·PH2/PSiHCl3·PHCl即PSiCl4=Kp2·(PSiHCl3·PHCl/PH2)……(2)HCl(1)(2)两式相乖得PSiHCl3·PSiCl4=KP1·KP2(PSiHCl3·P4HCl/P2H2)PSiCl4=KP1·KP2·(P4 /P2H2)……(3)HCl由于上述两反响处于同一平衡体系则PSiHCl3/PSiCl4=[Kp1·(P3HCl/PH2 )]/[KP1·KP2·(P4HCl/P2H2)]=PH2/KP2·PHCl〕……〔4〕H2稀释时，H2HCL相应降低从〔4〕式可知PSiHCl3/PSiCl4SiHCl3/SiCl4的克分子比增大因而合成液中(SiHCl3+SiCl4)SiHCl3的含量也随之增加。当承受HCl气体时，H2/HCl1：3～5为适调整炉温有利。4、催化剂：HCl反响温度，提高SiHCl3响。如参加Cu5%的硅合金能降低反响温度240～250℃并能提高SiHCl3含量，还有参加氯化亚铜〔Cu2Cl2〕粉其比例Si:Cu2Cl2=100:0.4～1,当温度掌握在280℃时，SiHCl3含量可达85～95%。5、硅粉的粒度：HCl气体的反响是在硅外表上进展的，因此硅粉的外表积大〔颗粒度小〕有利于反响。但是粒度过大，在“沸腾”SiHCl3且维持正常操作是适宜的。6HCl流量HClSiHCl3产量和质量的HCl压力，但着“短路”通过料层，反响不充分，SiHCl3产率降低。〔以135〕H=Q硅/D硅×F式中；H——硅粉静止料层的高度〔米〕硅——硅粉积存密度〔公斤/3〕Q硅——硅粉重量〔公斤〕F——沸腾床合成炉截面积〔2〕80～1201310公斤/3截面积为：F=d2·∏/4=·.785=0.070652则H=135/〔1310×0.07065〕=1.459米0.875～1.459米.HCl30～353/小时.SiHCl3的产量和质量的因素是轻环境的污染程度。四、沸腾床合成三氯氢硅的工艺实践1、开炉前的预备工作：否正常好用。用N2气试压〔1.5Kg/2〕用肥皂水〔或氨水〕检〔通气时间视炉内水份轻重而定使系统处于枯燥和正压状态。2、三氯氢硅合成炉开车操作：70Kg连续100℃左右，预冷器、冷凝器分别通入自来水和-40℃盐水，随后向炉内温，使温度掌握在280～330℃范围内。正常状况下，依据各压力〔尤其是压差，反响温度和产量的变化推断炉内反响状况，50Kg24小时用2.5KgN2压力吹渣一次，残渣吹至除渣罐水封口排出。掌握主要技术条件：上、中、下温度：280～320