材料物理性能课后习题答案

.z......资料..."材料物理性能"第一章材料的力学性能1-1一圆杆的直径为2.5mm、长度为25cm并受到4500N的轴向拉力，假设直径拉细至2.4mm，且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变，并比拟讨论这些计算结果。解：由计算结果可知：真应力大于名义应力，真应变小于名义应变。1-5一瓷含体积百分比为95%的Al2O3(E=380GPa)和5%的玻璃相(E=84GPa)，试计算其上限和下限弹性模量。假设该瓷含有5%的气孔，再估算其上限和下限弹性模量。解：令E1=380GPa,E2=84GPa,V1=0.95,V2=0.05。则有当该瓷含有5%的气孔时，将P=0.05代入经历计算公式E=E0(1-1.9P+0.9P2)可得，其上、下限弹性模量分别变为331.3GPa和293.1GPa。1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图，并算出t=0,t=和t=时的纵坐标表达式。解：Ma*well模型可以较好地模拟应力松弛过程：Voigt模型可以较好地模拟应变蠕变过程：以上两种模型所描述的是最简单的情况，事实上由于材料力学性能的复杂性，我们会用到用多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合而成的复杂模型。如采用四元件模型来表示线性高聚物的蠕变过程等。FττNτ60°53°FττNτ60°53°Ф3mm解：第二章脆性断裂和强度2-1求融熔石英的结合强度，设估计的外表能力为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6*10-8cm;弹性模量从60到75Gpa=2-2融熔石英玻璃的性能参数为：E=73Gpa；γ=1.56J/m2；理论强度σth=28Gpa。如材料中存在最大长度为2μm的裂，且此裂垂直于作用力方向，计算由此导致的强度折减系数。2c=2μmc=1*10-6m=强度折减系数=1-0.269/28=0.992-5一钢板受有长向拉应力350MPa，如在材料中有一垂直于拉应力方向的中心穿透缺陷，长8mm(=2c)。此钢材的屈服强度为1400MPa，计算塑性区尺寸r0及其裂缝半长c的比值。讨论用此试件来求KIC值的可能性。=1/2>0.021用此试件来求KIC值的不可能。2。讨论讲结果。解：Y=1.12=1.98=c=2mm,c=0.049mm,〔3〕c=2um,2-4一瓷三点弯曲试件，在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图。如果E=380Gpa，μ=0.24，求KIc值，设极限荷载达50Kg。计算此材料的断裂外表能。解c/W=0.1,Pc=50*9.8N,B=10,W=10，S=40代入下式：==62*〔0.917-0.145+0.069-0.012+0.0012〕=1.96*0.83==1.63Pam1/2J/m2第三章材料的热学性能2-1计算室温〔298K〕及高温〔1273K〕时莫来石瓷的摩尔热容值，并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比拟。当T=298K，Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*298-26.68*105/2982=61.97*4.18J/mol.K当T=1273K，Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*1293-26.68*105/12732=105.24*4.18J/mol.K=438.9J/mol.K据杜隆-珀替定律：(3Al2O3.2SiO4)Cp=21*24。94=523.74J/mol.K2-2康宁1723玻璃〔硅酸铝玻璃〕具有以下性能参数：λ=0.021J/(cm.s.℃);α=4.6*10-6/℃;σp=7.0Kg/mm2.E=6700Kg/mm2,μ=0.25.求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。第一冲击断裂抵抗因子：==170℃第二冲击断裂抵抗因子：=170*0.021=3.57J/(cm.s)2-3一热机部件由反响烧结氮化硅制成，其热导率λ=0.184J/(cm.s.℃)，最大厚度=120mm.如果外表热传递系数h=0.05J/(cm2.s.℃),假定形状因子S=1，估算可兹应用的热冲击最大允许温差。解：=226*0.184==447℃第四章材料的光学性能3-1．一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明明玻璃板,假设玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明明透过后的光强为(1-m)2解：W=W’+W’’其折射光又从玻璃与空气的另一界面射入空气则3-2光通过一块厚度为1mm的透明Al2O3板后强度降低了15%，试计算其吸收和散射系数的总和。解:第五章材料的电导性能4-1实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据，经数学回归分析得出关系式为：试求在测量温度围的电导活化能表达式。假设给定T1=500K，σ1=10-9〔T2=1000K，σ2=10-6〔计算电导活化能的值。解：〔1〕==W=式中k=〔2〕B=-3000W=-ln10.(-3)*0.86*10-4*500=5.94*10-4*500=0.594eV4-3本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试答复以下问题：〔1〕设N=1023cm-3,k=8.6〞*10-5eV.K-1时,Si(Eg=1.1eV),TiO2(Eg=3.0eV)在室温〔20℃〕和500℃时所激发的电子数〔cm-3〕各是多少：〔2〕半导体的电导率σ〔Ω-1-1〕可表示为，式中n为载流子浓度〔cm-3〕，e为载流子电荷〔电荷1.6*10-19C〕,μ为迁移率〔cm2.V-1.s-1〕当电子〔e〕和空穴〔h〕同时为载流子时，。假定Si的迁移率μe=1450〔cm2.V-1.s-1〕，μh=500〔cm2.V-1.s-1〕，且不随温度变化。求Si在室温〔20℃〕和500℃时的电导率解：〔1〕Si20℃=1023*e-21.83=3.32*1013cm-3500℃=1023*e-8=2.55*1019cm-3TiO220℃=1.4*10-3cm-3500℃=1.6*1013cm-3(2)20℃=3.32*1013*1.6*10-19(1450+500)=1.03*10-2〔Ω-1-1〕500℃=2.55*1019*1.6*10-19(1450+500)=7956〔Ω-1-1〕4-2.根据缺陷化学原理推导〔1〕ZnO电导率与氧分压的关系。〔4〕讨论添加Al2O3对NiO电导率的影响。解：〔1〕间隙离子型：或〔4〕添加Al2O3对NiO：添加Al2O3对NiO后形成阳离子空位多，提高了电导率。第六章材料的功能转换性能6-1金红石〔TiO2〕的介电常数是100，求气孔率为10%的一块金红石瓷介质的介电常数。6-2一块1cm*4cm*0.5cm的瓷介质，其电容为2.4-6μF,损耗因子tgδ为0.02。求：①相对介电常数；②损耗因素。6-3镁橄榄石(Mg2SiO4)瓷的组成为45%SiO2,5%Al2O3和50%MgO,在1400℃烧成并急冷〔保存玻璃相〕，瓷的εr=5.4。由于Mg2SiO4的介电常数是6.2，估算玻璃的介电常数εr。〔设玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2〕6-4如果A原子的原子半径为B的两倍，则在其它条件都是一样的情况下，原子A的电子极化率大约是B的多少倍？6-5为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n2相等第七章材料的磁学性能1自发磁化的物理本质是什么"材料具有铁磁性的充要条件是什么"答:铁磁体自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用材料具有铁磁性的充要条件为:必要条件:材料原子中具有未充满的电子壳层,