cn硅取向碳纳米管申公开

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权利要求 1/2皮芯结构和碳纳米管组成的三级取向薄膜；的厚度为5nm～100nmμm；的厚度均为20nm～20μm；20nm～20μm。量百分比为10%～90%。为：碳纳米管单层膜；nmFe3CN103474630

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CN103474630CN103474630 [02] 锂离子电池具有高电压高比能自放电小循环寿命长和无记忆效应等诸多优点已经广泛应用于例如手机相机超级本等消费电子产品中并且近年来在电动汽车以及电能储备器件中也得到了越来越多的研究和应用开发。提高功率密度能量密度和使用寿命是锂离子电池现阶段研发的主要方向和满足其更应用场合的主要诉求。储能器件的性能很大程度上取决于所使用的材料的性。就负极材料而言传统的石墨负极由于其较低的理论比容（372mAh/g难以满足不断提高的应用要求而硅材料具有已知的最大嵌锂容2同时具有储量大无毒便宜等优点因此被认为是未来最佳的替代石墨的负极材料。但是硅负极料在电池循环的嵌锂/脱锂过程经历剧烈的体积变（>300%。由此会导致电极材料的粉碎电极材料与集流体之间的电接触不良等问题最终使得电极材料的容量快速衰减电池具有非常差的循环性能因此有效解决硅用于锂离子电池负极时的容量快速衰减问题已成为当前锂离子电池负极研究的热点问题之一。[03] 碳纳米管可看作是石墨烯片层卷曲而成的准一维纳米材料具有导电性好化学稳定性高强度高和柔韧性好等优点近期研究表明硅和碳纳米管所构成的复合材料能够在一定程度上改善硅材料在电池循环过程中体积剧烈变所导致的容量快速衰减的问题。文（JuchenGuo,AnnSun,XilinChen,ChunshengWang,AyyakkannuManivannan,Electrochim.Acta56:3981-3987(2011)采用球磨的方法把纳米硅颗粒和碳纳米管混合结果显示在0.2A/g的电流密度下经过50次循环复合材料的容量从2300mAh/g下降到1300mAh/g文（LifengCui,LiangbingHu,JangWookChoi,YiCui,ACSNano4:3671-3678(2010)制备了覆盖纳米硅的无规碳纳米管膜在0.36A/g的电流密度下经过50个循环后容量的保留率为80%专利CN102983311A公开了一种覆盖硅的无规碳纳米管薄膜但是没有性能数据纵观现有报道硅和碳纳米管的复合材料相比单纯硅材料而言在循环性能方面得到了较大的提高但是循环次数和容量保留率与实际应用还有很大的距离。5º～35º100nm～200μm。[0008]5nm～100nm[0009]20μm[0010]膜各部分的厚度均为20nm～20μm。 一致。薄膜各部分的厚度均为20nm～20μm。 [0014]（2）丝机加捻从而获得硅/取向碳纳米管纱线。[0017]Al2nmFnmAl2O 10～90min 下面对本发明的实施例作详细说明：本实施例在以本发明技术方案为前提下进行 实施例1在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5 在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5 在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5 在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5 在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5 在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5比为65%。 在硅基板上通过电子束蒸发工艺沉积催化剂层，结构为Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度为5 1500mAh/g501000mAh/g。 1400