碳化硅生产工艺

v1.0可编辑可修改碳化硅的生产工艺和投资估算Si50C50%以质量计：SiC%，相对分子质量为。碳化硅有两种晶形：β-碳化硅类似闪锌矿构造的等轴晶系；α-碳化硅则为晶体排列致密的六方晶系。β2100℃转变为α-碳化硅。αcm3、βcm3，莫氏硬度，线膨胀系数为~×10-6/℃，热导率(20℃)(m·K)，电阻率(50℃)50Ω·cm，1000℃2Ω·cm，辐射力气~。碳化硅的合成方法(一)用二氧化硅和碳〔煤〕合成碳化硅工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦〔无烟煤〕为主要原料，在电炉内温度在2023~2500℃下，通过以下反响式合成：SiO+3C SiC+2CO2原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO>99%，无烟煤的挥发分<5%。2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般为10000kW，1kgSiC6~7kW·h26~36h24h。合成工艺配料计算：式中，CSiO为二氧化硅含量，M=。碳的参与量允许过量5%。炉内配料的重23。1炉体内各部位装料的配比工程 上部 中部 下部C/SiO ～ ～ ～21食盐%食盐%8～108～106～9木屑/L1803601804。2配料/%SiCSiC配料/%SiCSiC硅质材料32～56～59食盐2～60～8炭质材料18～4534～44非晶材料5～10木屑2～63～11未反响料25～35SiC>80%，SiO+Si<10%，固定碳<5%，杂质<%。2100t0~50kg30~50L3%~4%。求：SiC<25%，SiO+Si>35%，C20%，其他<%。2参与食盐的目的是为了排解原料的铁、铝等杂质，加人木屑是便于排解生成的一氧化碳。生产操作：承受混料机混料，把握水分为2%~3%，混合后料容重为~cm3。二分之一)，在其上面铺一层非晶形料，然后连续加配料至炉芯水平。炉芯放在配料制成的底盘上，中间略凸起以适应在炉役过程中消灭的塌陷。炉芯上部铺放混好的配料，同时也放非晶质料或生产未反响料，炉子装好后形成中间高、两边〔与炉墙平。炉子装好后即可通电合成，以电流电压强度来把握反响过程。当炉温升到1500℃时，开头生成β-SiC，从2100℃开头转化成α-SiC，2400℃全部转化成α-SiC。合成时间为2v1.0可编辑可修改26~36h，冷却24h后可以浇水冷却，出炉后分层、分级拣选。裂开后用硫酸酸洗，除掉合成料中的铁、铝、钙、镁等杂质。工业用碳化硅的合成工艺流程，如图1所示。1(四)合成碳化硅的理化性能合成碳化硅的化学成分3(一)合成碳化硅的国家标准(GB/T2480—19815。3碳化硅的国家标准〔GB/T2480—1981〕化学成分/%化学成分/%粒度范围SiC〔不少于〕游离碳〔不多于〕FeO〔不多于〕231280黑碳化硅1001802402802080100180240280绿碳化硅W63至W20W14至W10W7W5(2)密度：以46号粒度为代表号绿碳化硅不小于cm3；黑碳化硅不小于cm3。(3)粒度组成：应符合GB/T2477—1981《磨料粒度及其组成》的规定；(4)铁合金粒允许含量为零；(5)磁性物允许含量：不大于%。相组成α-SiCβ-SiC。其总量为92%~%，其中还有少量的α-SiCIα-SiC物理性能(1)真密度在~g/cm32050℃。(2)碳化硅试样的线膨胀系数和电阻率见表6，7。4SiC加热温度/℃加热温度/℃80012001600202324004线膨胀系数/℃线膨胀系数/℃-1×10-6×10-6×10-6×10-6×10-65SiC加热温度/℃602207201060电阻率/Ω·cm105102＜102500℃时，λ=(m·K)，在875℃时入二(m·K)。碳化硅在1400℃与氧气开头反响。在900~1300℃开头氧化、分别出SiO2CO(四)制备碳化硅的投资预算总投资约11