集成电路版图设计项目化教程（第2版）习题与答案 01-工艺相关知识

与版图相关的集成电路制造工艺部分判断题（√）1.多晶硅不仅可以作为栅材料，还可以作为局部互连材料，例如栅的互连。（╳）2.硅化钛和硅化钽常常用作金属互连工艺中的反射层和阻挡层。（╳）3.集成电路互连常常用难熔金属与多晶硅形成金属硅化物，常用的难熔金属铜、铝等。（√）4.光刻技术是集成电路制造工序中的核心工序之一，直接影响器件的性能。（╳）5.影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是扩散。（╳）6.一般情况下，光源的波长越长，分辨率越高。（√）7.可以通过增大数值孔径来提高光刻的分辨率。（√）8.显影液的选择，必须要考虑到光刻胶的性质。（√）9.投影式曝光比接近式曝光、接触式曝光的分辨率更高一些。（√）10.为了有效的反射EUV光线，在掩膜制作时，需要在基体材料上覆盖多层Mo/Si薄膜。（╳）11.制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。（√）12.多晶硅栅具有自对准的功能。（√）13.钝化层就是在晶圆表面覆盖一层保护层。（╳）14.CMOS电极引出处必须进行轻掺杂。（╳）15.PMOS通常做在P阱结构中。（√）16.利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。（√）17.采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。（√）18.通常只有某一波长范围的光线才能使光刻胶发生化学反应。（√）19.制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。（╳）20.制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。（╳）21.一般制备MOS管时，需要将栅氧做的比较厚，甚至达到几千Å。（╳）22.LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。（╳）23.CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。（╳）24.制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。（√）25.掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料，形成明暗相间的图形。（√）26.氮化硅作为绝缘介质，可以得到比二氧化硅更高的击穿电压。（√）27.如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为亮场掩模版。（╳）28.当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。（√）29.多晶硅作为栅具有自对准的功能，但由于它的电阻率比较高，因此通常需要进行掺杂或者与难熔金属形成硅化金属。（√）30.MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝化等工艺。（√）31.CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以时P阱结构，还可以是N阱结构，更可以是双阱结构。（√）32.形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。（√）33.制备掩模版，基板一般采用高纯石英玻璃。（╳）34.光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。（╳）35.多晶硅栅的制备一般采用热氧化方法或者CVD。（√）36.多晶硅不仅可以作为栅，还可以作为制备单晶硅的材料，也可以用作集成电路中的电阻。（√）37.利用三氯氢硅的氢还原法和硅烷热分解法都可以制备多晶硅。（╳）38.当前铝栅已经完全被多晶硅栅所取代。（√）39.STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。（╳）40.CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。选择题（单选）1.集成电路制造中最重要的工艺是D，该工艺成本在整个晶圆加工过程中几乎占到1/3。A.氧化B.刻蚀C.扩散D.光刻2.极紫外光的光源波长是C。A.193nmB.228nmC.13nmD.135nm3.在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准，该工序称为A。A.对准B.套刻C.光刻D.刻蚀4.利用光学镜头和晶圆之间的介质，由水代替空气的光刻技术称为A。A.浸润式光刻技术B.离轴照明技术C.移相掩膜技术D.接触式光刻技术5.如果制作栅氧结构，一般采用的方法是：D。A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化6.通常，光刻的分辨率与波长之间的关系是A。A.波长越短，分辨率越高B.波长越短，分辨率越低C.波长与分辨率关系不大D.波长与分辨率之间的关系不确定7.氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为：C。A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG8.MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为A。A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区9.显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为B。A.负胶B.正胶C.光刻抗蚀剂D.光阻10.我们利用LOCOS技术制作MOS中的A。A.场氧区B.源、漏C.栅D.有源区11.未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为：B。A.PSGB.USGC.BSGD.FSG12.两层金属之间的连接孔，通常称为：C。A.引线孔B.接触孔C.通孔D.插塞13.源漏注入之后，必须进行C工艺，修复晶格损伤，激活杂质。A.氧化B.快速热处理C.退火D.扩散14.光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为：A。A.接触式B.接近式C.投影式D.步进式15.将图形复印和刻蚀技术相结合的精密表面加工技术，称为C。A.氧化B.刻蚀C.光刻D.扩散16.在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现B。A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应17.以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量B工艺中杂质情况。A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀18.为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用B工艺。A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流19.金属间介质的淀积，常常采用哪种方法？B。A.LPCVDB.PECVDC.热氧化D.热分解20.CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是A。A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金三、选择题（多选）1.集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有CD。A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离2.二氧化硅的作用有哪些？ABCD。A.选择性扩散的掩蔽层B.器件的保护和钝化层C.隔离和绝缘介质D.MOS管的绝缘栅材料3.集成电路互连常常用难熔金属与多晶硅形成金属硅化物，常用的难熔金属有哪些?AB。A.钛B.钽C.金D.铝4.光刻技术的三大要素是BCD。A.显影液B.光刻胶C.掩模版D.曝光机5.CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是：AB。A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅6.以下方法中，哪些可以提高光刻的分辨率ABCD。A.利用透镜减少衍射B.移相掩膜技术C.临近效应修正技术D.离轴照明技术7.光刻的工艺要求是ABCD。A.图形完整，尺寸准确B.套准对准，套准精度高C.表面干净D.具有一定的工艺宽容度8.光刻胶的主要性能指标包括ABCD。A.抗蚀性B.灵敏度C.分辨率D.粘附性9.外延双阱工艺的优点包括ABCD。A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应10.LOCOS技术的优点ABC。A.实现隔离B.实现平坦化界面C.工艺简单、便宜D.产生鸟嘴效应填空题1.解决铝互连中肖特基接触的方法是在电极引出部分进行重掺杂。2.目前常用的栅材料是多晶硅。3.在集成电路中，将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是光刻或光刻技术。4.将曝光后的硅片放入某种化学溶液后，部分光刻胶去除，该工序称为显影。5.利用激光产生等离子体源产生13nm的紫外波长进行光刻的技术为EUV或极紫外线光刻。6.通过在光掩模的某些透明图形上增加或者减少一个透明的介质层，光波透过这个介质层之后产生180°的相位差，以此来提高光刻的分辨率的技术称为移相掩膜技术。7.光刻时需要多片掩膜版，每一掩膜版的图形都需要进行套刻对准或套准。8.LOCOS的含义是硅的局部氧化或局部氧化硅。9.STI的含义是浅沟槽隔离或浅槽隔离。10.LDD的含义是轻掺杂漏技术或漏轻掺杂技术。11.SOI的含义是绝缘衬底硅。12.常常用于绝缘介质隔离的物质是二氧化硅或SiO2。13.集成电路制作时，既采用双极工艺，又采用CMOS工艺的技术称为双极-CMOS技术或Bi-CMOS技术。14.在高阻衬底上形成具有较高浓度的P阱和N阱，NMOS和PMOS分别做在这两个阱区中的工艺称为双阱工艺。15.如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为暗场掩模版或暗版。16.常规光学光刻采用的光源一般是：紫外光或者UV。17.当氮化硅直接淀