集成电路版图设计项目化教程（第2版）习题与答案03-第1至4章练习题1与答案

单选题摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少？ 1倍 2倍 3倍 4倍 A晶圆尺寸通常用英寸表示，十二英寸晶圆是指 晶圆半径300mm 晶圆直径300mm 晶圆半径240mm 晶圆直径240mm B芯片制造步骤的产品为 掩膜 GDSII文件 圆片 电路 C集成电路版图设计属于集成电路设计的 前端 中端 后端 辅助环节 Cchiplogic系列软件中主要用于数据保存的是 chiplayeditor chipanalyzer chipmanager chipdatacenter D集成电路再分析软件其处理的主要对象是 GDSII文件 实物芯片照片 cadence中绘制的版图 芯片电路图 BLVS验证其主要功能是 验证版图是否有电气规则错误 验证版图是否符合设计规则 验证版图和电路是否一致 验证寄生效应的影响 Clinux中用于改变路径的命令是 cd pwd mkdir cp Alinux中用于复制文件的命令是 cd pwd mkdir cp Dvi编辑器中保存退出的命令是 wq! wq :wq :q! Ccadence中库管理由高到低分别是 库-单元-视图 库-视图-单元 单元-库-视图 单元-视图-库 A金属、多晶、N+掺杂层、N阱四种材料制备的电阻中方块电阻最小的是 金属 多晶 N+掺杂层 N阱 A为减少失配，版图上电阻条的宽度应该 采用适中尺寸 采用较窄尺寸 采用较宽尺寸 根据实际采用不同尺寸 CMOS做电容使用时比较适合的工作状态是 反型 积累 耗尽 以上都不是 B二极管版图外围环状开缺口的原因是 图形对称 方便走线 方便绘制 增大电流 B三极管结构中埋层的作用是 增大放大倍率 避免整流效应 减小体电阻 使图形对称 C之所以同工艺中相同类型MOS管版图图形还有很大差异主要是因为 衬底类型不同 设计规则要求不同 工作电压不同 器件的参数不同 D二多选题集成电路设计阶段通常分为两大步骤，它们是 流程设计 电路设计 PCB设计 版图设计 B|D集成电路设计有哪些挑战？ 要求所设计项目具有较高准确性 要求所设计项目具有较高时效性 要求所设计项目具有可测试性 要求所设计项目与制造商之间借口良好 A|B|C|D集成电路版图设计所需要掌握的知识中最重要的有哪些？ 电路原理及其分析 集成电路制造工艺相关知识 半导体器件原理相关知识 相关设计及仿真软件 B|C集成电路版图物理验证必须要做的步骤主要有哪些？ DRC ERC LVS SVS A|C同种工艺下，不同MOS管版图形状区别也很大，其主要的原因是因为 MOS管宽度参数不同 MOS管长度参数不同 MOS管衬底不同 MOS管栅极电压不同 A|B集成电路版图正向设计主要用到的工具软件有 chiplogic系列软件 cadencevirtuoso工具 spectre仿真工具 calibre验证工具 B|C|D下列运行在unix平台下的设计工具软件有 chiplogic tenner cadencevirtuoso 华大九天empyrean C|Dcadencevirtuoso的主要功能有 电路原理图绘制 电路仿真 版图绘制及验证 寄生参数提取 A|B|C|D能够运行在个人电脑上的操作系统有 windows unix linux dos A|C|D能够运行集成电路设计软件cadence的操作系统有 windows unix linux dos B|C建库的三要素分别是 填写库名称 选定库路径 选择工艺文件使用方法 选择参照库 A|B|C用作集成电路中电容极板间介质的主要材料有 SiC SiO2 SiN ONO B|C|D集成电路中