ICP刻蚀工艺要点说明行业资料金属学与金属工艺

题：1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试不拧紧，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E.用力矩螺丝刀拧中外.拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反应室壁和石英窗口Sequence”题：1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试不拧紧，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E.用力矩螺丝刀拧中外.拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反应室壁和石英窗口Sequence”VentReactor”>；.专业WORDICP考试题库1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B）RPMA20000B32000C40000D18000A0—0.1mT<1mT/minB>2.5mT<2mT/min3、NMC刻蚀机当前SRF时间为（C）时，要求对设备进行开腔清洁A50HB100HC200HD2000H4、SLRICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC)B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDEICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程(ABCD)D．用IPA擦拭密封圈6、ELEDEICP卸晶片标准操作流程(ABC)A．用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置B．用手轻轻地取出石英盖C．用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里7、CORIALICP卸晶片工艺步骤(ABC)3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000RPM4.在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氦气的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗有机物异丙醇的作用是清洗丙酮应掉11.每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇.专业WORD的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是LEDEICP装晶片标准操作流程A.用无尘布蘸IPA擦拭铝托次拧的程度为7成紧，第二次力度相对均匀地稍微拧紧；G:用专用的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是LEDEICP装晶片标准操作流程A.用无尘布蘸IPA擦拭铝托次拧的程度为7成紧，第二次力度相对均匀地稍微拧紧；G:用专用进入[维护/工艺模块]，在[腔室操作]中点击[吹扫],至少吹13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准14.实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀15.实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放17.拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差18.每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站20.每次做完PM后连续做5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常生产，＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿3，ICP石英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）＿＿＿＿＿＿＿＿（5，每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室√）＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（片上。碰到晶片。2．NMC机台在进行手动操作时，机台里只有一个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上，但是系统显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上会显示有托盘，其他地方都没有托盘，这样就可以进行接下来的操作了。4.下图是一简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。参数参数SRFPower(W)BRFPower130043423004340043400040.专业WORD在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min；在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min；B．用V摆阀位置，SRFReflectPower(W)上电极反射功小孔里；E:以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位置，除平边）,如左下图（不含石英盖）所示；C.放置石英盖时不能移0000005．简述CORIALICP作业流程图PCW压力，温度等是否正常系统开机系统开机打开传输腔室打开传输腔室放置托盘选择刻蚀程序蚀刻作业蚀刻结束，卸下晶片6．简述CORIALICP装片工艺步骤1．装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；5．将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；6．装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰7.简述CORIALICP清洗托盘作业流程图.专业WORD续工作5小时需要做Dryclean11.每周五检查冷冻机冷冻续工作5小时需要做Dryclean11.每周五检查冷冻机冷冻的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是盘表面（包括O-ring）；B.用专用镊子将晶片按照一定顺序00S2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过DIW浸泡石英托盘DIWDIW冲洗N2N2吹干8.简述CORIALICP清洗反应室作业流程图9．简述CORIALICP托盘清洗标准作业流程A.用DI水浸泡石英托盘20min；10.简述CORIALICP清洗反应室方法及步骤.专业WORD除平边）,如左下图（不含石英盖）所示；C.放置石英盖时不能移除平边）,如左下图（不含石英盖）所示；C.放置石英盖时不能移骤1．装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；生产，负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止三RFPower(W)上电极加载功率，BRFPower下电极加C.等待<Sequence>结束，反应室处于破真空状态，拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝，打开擦洗。注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清洁完后，按照图示安装石英细管；11.简述ELEDEICP作业流程图PCW压力，Chiller温度等打开传输腔室打开传输腔室放置石英托盘抽真空蚀刻作业12.简述ELEDEICP装晶片标准操作流程B.用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上（如上图以边缘均匀盖住G.用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；.专业WORD英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，铝板小槽中；4英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，铝板小槽中；4．石英托盘背面朝上，用真空吸笔吸取晶片背面，按花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等碰到晶片。2．NMC机台在进行手N2吹干H.将装载托盘轻放至片盒上。13.简述ELEDEICP蚀刻作业操作1，打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒；2，点击<配方>，打开<工艺配方>，检查所选配方的工艺参数；3，点击<片盒配方>，打开所选的片盒配方；若没有要选择的配方，则新建一个；4，点击<主界面>，查看片盒配方详细信息，确认无误，点击<开始工艺>；5，待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒及托盘，卸下晶片；14.简述ELEDEICP清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图DIWDIW浸泡石英盖、铝盘DIWDIW冲洗NN2吹干15.简述ELEDEICP清洗反应室作业流程图.专业WORD盘、螺丝作业流程图21.简述SLRICP清洗反应室作业流程图盘、螺丝作业流程图21.简述SLRICP清洗反应室作业流程图5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常用镊子将晶片夹放到相应的盒子里CORIALICP卸晶片工艺步的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是16.简述ELEDEICP螺丝清洗标准作业流程A．把螺丝装在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min；B．用把螺丝吹干17.简述ELEDEICP清洗反应室方法及步骤）；E.先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不到F.按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特别是真空测量孔；G．手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布擦拭三针；H．用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面；）；K．关闭反应室；.专业WORD拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；.专业拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；.专业WORD.H产程序＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）四，问答率，BRFReflectPower(W)下电极反射功率，C5刻胶的速度的比值。要刻出高度为1.55um的晶片理想的选择比19.简述SLRICP装晶片标准操作流程A:用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上；B:判断托盘的方向，以中间的区域为标准，若定位横边往下的，则托盘两边的两个小孔C:用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置上，并对准位置；D:把螺丝放在盖子的小孔里；E:以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位置，小心地放在底盘上；F:用六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。第一次拧的程度为7成紧，第二次力度相对均G:用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一遍。20.简述SLRICP清洗托盘、螺丝作业流程图21.简述SLRICP清洗反应室作业流程图22.简述SLRICP反应室清洗步骤A:打开反应室（同时按住2个上升开关向右推开腔体）B:用DI水清洗反应室（包括底座、腔壁、夹具）C:用吸尘器吸走遗留的尘埃和水分子.专业WORD一简化的NMC机台的