计算机组成原理RAM实验报告

...wd......wd......wd...山东大学软件学院组成原理实验报告〔实验〕课程名称计算机组织与构造实验报告学生姓名：学号：指导教师：陈志勇实验地点：硬件实验室实验时间：2014年12月11日一、实验工程名称：RAM实验二、实验目的：１.了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。２.掌握半导体存储器的字、位扩展技术。三、实验内容：RAM实验构造图INTEL2114静态存储器：Intel2114RAM存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有18个引脚，各引脚的功能如下：A0-A9：10根地址信号输入引脚。：读／写控制信号输入引脚，当为低电平时，使输入三态门导通，信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。I/O1~I/O4：4根数据输入／输出信号引脚。：片选信号，低电平有效，通常接地址译码器的输出端。第一局部：采用1Kx4的芯片，构成1Kx8的存储器。第二局部：采用1Kx4的芯片，构成2Kx4的存储器。四、实验要求：◆采用1Kx4的芯片，构成1Kx8的存储器。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。◆采用1Kx4的芯片，构成2Kx4的存储器。◆必须使用译码器进展扩展〔三输入都用，接开关〕。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读/写操作实验。选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。分别设计实验步骤。使用开关进展数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。五、参考器件：RAM采用两片MM2114隔离部件采用74LS125译码器采用74LS138备注：为简化试验，地址可只用低4位〔其余地址可接地〕。六、实验数据记录及结果分析：字扩展的实验操作：1.初始化：将k15〔74LS125的C信号〕推至高电平，断开开关输入。将k13〔RAM片选信号〕推至低电平，选中RAM。将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进展修改。2.写入数据：将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4~k11调整至想要的二进制输入值。将k15〔74LS125的C信号〕推至低电平，连接开关输入。将k14〔读写控制〕推至低电平写入状态，写入数据。3.读取数据：将k14〔读写控制〕推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。将k15〔74LS125的C信号〕推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。位扩展的实验操作：1.初始化：将k15〔74LS125的C信号〕推至高电平，断开开关输入。将k13〔第一块RAM片选信号〕推至低电平，选中RAM，同时确保将k12〔第二块RAM片选信号〕推至高电平，使RAM失效。将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进展修改。2.写入数据：将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4~k7调整至想要的二进制输入值。将k15〔74LS125的C信号〕推至低电平，连接开关输入。将k14〔读写控制〕推至低电平写入状态，写