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文档简介

第四章维度4.1半导体低维电子系统4.2二维体系中相变4.3准一维体系Peierls不稳定性和电荷密度波1/494.1半导体低维电子系统1.维度三维自由电子气体,沿z方向对体系尺寸限制:

zWn=1kn=2电子只占据n=1子带,二维体系n>1也占据,准二维体系2/492.Si反型层及GaAs-AlGaAs异质结3/494/49金属SiO2耗尽层反型层导带价带价带导带z5/49Splitgatesandone-dimensionalelectrongasesThis"split-gatetechnique"waspioneeredbytheSemiconductorPhysicsGroupattheCavendishLaboratoryoftheUniversityofCambridge,inEngland,in1986,byTrevorThorntonandProfessorMichaelPepper.6/493.量子化霍尔效应(QuantumHallEffects(QHE))(1)霍尔效应基础E.Hall,Am.J.Math.2,287(1879)

=>HalleffectI+-V’VcurrentsourceresistivityHallvoltageBxyzd7/49依据德鲁特电导理论,金属中电子在被杂质散射前一段时间t内在电场下加速,散射后速度为零.t称为弛豫时间.电子平均迁移速度为:电流密度为:若存在外加静磁场,则电导率和电阻率都变为张量此处仍成立有磁场时,加入罗仑兹力,电子迁移速度为8/49稳态时,,假定磁场沿z方向,在xy平面内易得假如,则当为0时也为0.

9/49另首先由此,当时,,为霍尔电导在量子力学下(E沿x方向)选择矢量势波函数为经典盘旋半径10/49解为:Landau能级

Intwo-dimensionalsystems,theLandauenergylevelsarecompletelyseperatewhileinthree-dimensionalsystemsthespectrumiscontinuousduetothefreemovementofelectronsinthedirectionofthemagneticfield.

11/49计算平均速度与经典结果相同.在Landau能级上,纵向电流为0.(2)整数量子霍尔效应1975年S.Kawaji等首次测量了反型层霍尔电导,1978年KlausvonKlitzing和Th.Englert发觉霍尔平台,但直到1980年,才注意到霍尔平台量子化单位,12/49K.vonKlitzing,G.Dorda,andM.Pepper,Phys.Rev.Lett.45,495(1980)

forasufficientlypureinterface(Si-MOSFET)=>integerquantumHalleffect

TheNobelPrizeinPhysics1985forthediscoveryofthequantizedHalleffect.

K.vonKlitzing(1943~)13/4914/49试验设置示意图

试验观察到霍尔电阻1,霍尔电阻有台阶,2,台阶高度为,i为整数,对应于占满第i个Landau能级,精度大约为5ppm.3,台阶处纵向电阻为零.15/4916/4917/49Whentheselevelsarewellresolved,ifavoltageisappliedbetweentheendsofasample,thevoltagedropbetweenvoltageprobesalongtheedgeofasamplecangotozeroinparticularrangesofB,andtheHallresistancebecomesextremelyaccuratelyquantised18/49因为杂质作用,Landau能级态密度将展宽(以下列图).两种状态:扩展态和局域态只有扩展态能够传导霍尔电流(0度下),所以若扩展态占据数不变,则霍尔电流不变.当Fermi能级位于能隙中时,出现霍尔平台.Laughlin(1981)和Halperin(1982)基于规范变换证实:19/49应用:(a)电阻标准20/49应用:(b)精细结构常数测量21/49(3)分数量子霍尔效应1982年,崔琦,H.L.Stomer等发觉含有分数量子数霍尔平台,一年后,R.B.Laughlin写下了一个波函数,对分数量子霍尔效应给出了很好解释.D.C.Tsui,H.L.Stormer,andA.G.Gossard,Phys.Rev.Lett.48,1559(1982)

foranextremelypureinterface(GaAs/AlGaAsheterojunction)whereelectronscouldmoveballistically=>fractionalquantumHalleffectR.B.Laughlin,Phys.Rev.Lett.50,No.18(1983)TheNobelPrizeinPhysics1998RobertB.Laughlin(1950)DANIELC.TSUI(1939)HorstL.Stormer(1949)fortheirdiscoveryofanewformofquantumfluidwithfractionallychargedexcitations.22/49分数量子霍尔效应:崔琦,Stomer等发觉,当Landau能级占据数有霍尔平台23/4924/49分数量子霍尔效应不可能在单粒子图象下解释,引入相互作用在超强磁场下,电子位于第一Landau能级.其单粒子波函数为这一状态对应于电子在一由下式给出面积内运动Laughlin提议了以下形式波函数这一状态占据数为25/49Laughlin计算了m=3,m=5时这一波函数能量,发觉比对应密度下CDW能量要低.这一状态称为分数量子霍尔态,或Laughlin态,当密度改变从而偏离占据数1/3,1/5时,对应于准粒子激发,激发谱含有能隙,准粒子电荷为分数(1/3,1/5).所以Laughlin态是一个不可压缩量子液体状态.

FQHE态.绿球代表被暂时冻结电子,蓝色为代表性电子电荷密度,黑色箭头代表磁通线.26/49同IQHE一样,Fermi能级处于能隙位置时,出现FQHE平台.不一样之处于于IHQE能隙起源于单粒子态在强磁场中量子化,而FQHE能隙起源于多体关联效应.

Haldane和Halperin,利用级联模型,指出Laughlin态准粒子和准空穴激发将凝聚为高阶分数态,如从1/3态出发,加入准粒子造成2/5态,加入空穴造成2/7态.准粒子由这些态激发出来并凝聚为下一级态.P为偶数,对应于粒子型元激发对应于空穴型元激发27/49级联模型特点:

1.无法解释那一个子态是较强态.2.几次级联后,准粒子数目将超出电子数目.3.系统在分数占据数之间没有定义.4.准粒子含有分数电荷.复合费米子模型(CF)

一个复合费米子由一个电子和偶数个磁通线组成.复合费米子包含了全部多体相互作用.FQHE是CF在一个有效磁场下IQHE.

CF含有整数电荷.

CF模型能够给出全部观察到分数态,包含这些态相对强度及当减小温度,提升样品质量时出现次序.CF指出:v=1/2态,对应有效磁场为0,是含有金属特征特殊状态.28/4929/4930/4931/4932/4933/49新进展观察到分数电荷涨落.FQHEGinsburgLandau理论.费米,玻色和分数统计.边缘态和共形场论.…利用一维结观察分数电荷C.L.KaneandM.P.A.Fisher,ShotintheArmforFractionalCharge,Nature389,119(1997).34/494.2二维体系中相变连续相变描述:序参量非零零维度对相变、临界行为有主要影响一维体系,T>0时,体系总是无序,不存在长程序,无相变二维体系?相变取决于序参量自由度数N=1,有相变,如二维Ising模型N=3,无相变,如二维Heisenberg模型N=2:序参量为零,但可有准长程序,Kosterlitz-Thouless(K-T)相变相变概念拓宽35/49序参量自由度n=2二维系统:

自旋X-Y模型,二维超流体、二维超导体及二维晶体等低温下,自旋关联随距离作代数式衰减。对有限尺寸样品,二维X-Y模型低温相就展现出表观长程序(准长程序),到高温,则为没有长程序无序相所取代,期间有没有相变?1970年:Brezinskii提出涡旋对松解所对应连续相变思想(Z.Eksp.Tev.Fiz.,59,907(1970))1973年:Kosterlitz和Thouless讨论二维超流相变,独立提出类似想法并发展为较完整理论(J.Phys.C,6,1181(1973))基本思想:拓扑缺点(如涡旋(Vortex))介入相变36/49拓扑激发:二维点阵格点:格点i上自旋与X轴夹角为经过任意一些格点,划一闭合回路L,沿此回路逆时针方向绕行一周,相邻两格点方向角之差:拓扑激发和非拓扑激发可分开来讨论37/49自旋涡旋正涡旋负涡旋38/49拓扑性元激发之间相互作用二维静电场二维点电荷:39/49K-T相变正涡旋负涡旋涡旋对低温下,正负涡旋组成束缚对,对长程自旋排列影响不大,系统含有拓扑长程序。高于某临界温度,系统中产生大量单个涡旋,造成拓扑长程序被破坏。40/4941/49考虑低温下存在含有有限能量束缚涡旋对(可由热激发,不破坏长程自旋序)涡旋对类似于屏蔽正负电荷相互作用电介质作用K-T理论是对屏蔽效应重正化群处理。自由能第n级微商在相变点出现突变就称为第n级相变K-T相变是无穷级42/49TwodimensionalheliumSinceheliumisattractedtoalmostanything*,itwillforma2Dfilm.Mostlong-rangeorderisforbiddenin2D(Mermin-Wagnertheorem),e.g.BECnotallowedforT>0becausethesystemissusceptibletolong-rangephasedecoherence.However,itdoesbecomeasuperfluid.ThetransitioniscalledtheKosterlitz-Thoulesstransition.Superfluid-normalfluidtransitioniscausedbyvortex-anti-vortexunbinding.KTpredictsalgebraicdecayofsingleparticledensitymatrix*exceptforCs43/492dheliumenergeticsIncontrastto3Dtheenergyisasmoothfunctionoftemperature.BumpinCvabovethetransition.Nofeatureatthetransition(onlyanessentialsingularity)44/494.3准一维体系Peierls不稳定性和电荷密度波1.一维体系导电聚合物、金属卤化物、KCP晶体、过渡金属三硫化合物、电荷转移有机复合物、有机超导体Bechgaard盐(TMTSF)2X,有机铁磁体m-PDPC,半导体纳米线或

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