光存储技术的研究进展

光存储技术的研究进展

1光信息存储dvb21世纪，人们进入信息社会，信息技术成为促进社会进步和科技发展的强大动力。信息存储、传输和处理是提高社会全球发展水平最重要的保障之一。全球的信息量今后几年会以更快的速度增长。由于信息的多媒体化,人们需要处理的不仅是数据、文字、声音、图像,而且是活动图像和高清晰的图像等。一页A4文件为2KB(千字节),而一张A4彩色照片就占5MB(兆字节),放一分钟广播级的FMV就要占40MB,可见信息量与日俱增。在信息技术的几个环节(获取、传输、存储、显示、处理)中,信息存储是关键。20世纪80年代到90年代,人们最关心的是信息处理,即如何提高计算机芯片的处理速率和效率,全球掀起的计算机主处理器竞争已使本世纪可达1GHz的处理速度;随后通信网络的掀起及数据共享和通信使人们认识了网络时代的到来;面对21世纪,人们又在考虑如何有效地存储和管理越来越多的数据和如何应用这些数据,信息存储空间日益拥挤,信息数据的采集和数据管理体系的复杂性越来越高,以及网络的普及,导致21世纪信息技术的浪潮将在存储领域兴起。光信息存储(简称光存储)作为继磁存储之后新兴起的重要信息存储技术(目前以光盘为代表的光学数字数据存储技术)已成为现代信息社会中不可缺少的信息载体。与磁存储技术相比,现有的光盘存储技术具有许多特点:(1)数据存储密度高、容量大、携带方便。目前普通的Ø120mm的光盘能存储650MB,是硬磁盘的几十倍,软盘的几百倍。(2)寿命长、功能多。在常温环境下数据保存寿命在100年以上,且可根据用途采用不同介质制成只读型、一次写入型或可擦除型等不同功能的光盘。(3)非接触式读/写和擦。(4)信息的载噪比高,光盘的载噪比可达50dB以上。(5)生产成本低廉、数据复制工艺简单、效率高。以CD系列为代表的第一代光盘技术产品的存储容量仍为十年前的650MB;第二代DVD系列的单面双层存储容量为8.5GB,盘容量为17GB;2000年日本Sony公司采用兰光激光器实现单面存储容量达25GB的高密度DVR已见报道。尽管如此,作为计算机科学中的关键研究领域的高密度数据存储,为了满足预计到2005年新型网络系统和第三代多媒体出现时计算机外部存储容量至少应为100GB,数据传输率至少为50MB/s的需求,则必须运用新原理,启用新材料才有可能研究出新一代超高密度、超快速存储系统。实际上,各发达国家都已投入了大量人力财力开展超高密度、超快速数据存储方面的研究。尽管人们在开展各式各样的高密度存储研究,但一致看好短期有实用前景的存储方法主要集中在三维体全息、近场光学存储、双光子效应存储等方面。美国JetPropulsion实验室、Rockwell科学中心、Stanford大学、亚利桑那大学光学中心、CarnegieMellon大学数据存储系统中心、IBM、AT&T、NIST,日本松下、NTT、SONY、SEIKO等研究机构都在开展三维体全息、近场光学存储、双光子效应存储等方面的研究。我国也将这方面的研究列入了国家重点基础研究发展规划(973)项目中,以便跟上国际高新技术发展的步伐并获得自主的知识产权。2光折变晶体的全息存储光学体全息存储是超高密度存储最重要的研究领域之一。早在1963年美国科学家PieterJ.vanHeerden就曾提出利用全息术进行数据存储的概念,起初由于缺少合适的记录材料以及当时的光学及光电子元器件技术还不成熟,因而在随后很长一段时间内,体全息存储的研究工作进展很小。目前,随着计算机科学和现代信息处理技术的不断发展,一方面,对于具有大容量、高传输率、可快速存取的数据存储系统提出了日益迫切的要求,另一方面,随着新型优良全息记录材料(如光折变晶体和光聚合物)的研制出现以及相关元器件,如高密度空间光调制器(SLM)和CCD光电探测阵列制造技术的不断进步,可满足各种实际应用要求的体全息数据存储系统正逐步成为可能,人们对体全息存储的兴趣又重新高涨起来。一般的光学体全息数据存储基理可简单描述为:待存储的数据(数字或模拟)经空间光调制器(SLM)被调制到信号光上,形成一二维信息页,然后与参考光在记录介质中干涉形成体全息图并被介质记录,利用体全息图的布拉格选择性,改变参考光的入射角度或波长以实现多重存储。1991年加州理工学院(CIT)的F.H.Mok等人在1立方厘米掺铁铌酸锂晶体中存储并高保真地再现了500幅高分辨率军用车辆全息图成为再度掀起体全息存储技术研究热潮的标志。1994年斯坦福大学Hesselink领导的研究小组把数字化的压缩图像和视频数据存储在全息存储器中,图像质量无显着下降。1995年由美国政府和工业部门主持,投资约7000万美元,实施了光折变信息存储材料(PRISM)项目和全息数据存储系统(HDSS)项目,预期在5年内开发出具有容量为1万亿位数据、存取速率为每秒1000MB的一次写入或可重复写入的全息数据存取系统。1997年CIT的AllenPu和D.Psaltis使用球面参考光通过移位复用在1mm厚的掺铁铌酸锂晶体上获得面密度为100bits/μm2的体全息存储;1998年Bell实验室的K.Curtis等利用相关复用技术(CorrelationMutiplexing)在掺铁铌酸锂中的存储面密度超过了350bits/μm2。1999年D.Psaltis等人又在铌酸锂晶体中记录了160,000幅全息图;H.J.Eichler(BerlinTechnicalUniversity,Germany)提出采用微全息盘式存储方案,使用1微米光腰的激光采用10个波长复用以及16个角度复用可以在CD大小的盘上两层共存储100Gbyte的容量。以上研究结果表明体全息存储面密度至少能达到几百bits/μm2,而现有的二层四面的DVD总的面密度也仅近似为20bits/μm2。显然,体全息存储可使存储容量较目前光盘呈数量级地提高。在克服光折变晶体固有的读写时已有存储信息被部分擦除的缺点方面,研究焦点集中在光致聚合物全息存储和双光子无挥发双掺光折变晶体的全息存储上。2000年A.Adibi和D.Psaltis等用紫外和红光在双掺锰和铁的铌酸锂晶体上实现了无挥发全息存储。我国在光折变非线性光学材料与效应的基础研究中也已取得许多成果,非线性光学晶体生长技术在国际上取得较高的地位。1998年以来清华大学相继完成单一公共体积中存储1000幅,动态散斑全息存储及系统小型化的研究;、北京工业大学实现了盘式单轨2000幅和盘式多轨10000幅全息图像存储的验证性实验。光学体全息数据存储具有如下几个显着特征:(1)数据冗余度高:信息是以全息图的形式存储在一定的扩展体积内,因而具有高度的冗余性。在传统的磁盘或光盘存储中,每一数据比特占据一定的空间位置,当存储密度增大,存储介质的缺陷尺寸与数据单元大小相当时,必将引起对应数据丢失,而对全息存储来说,缺陷只会使得所有的信号强度降低,而不致引起数据丢失。(2)数据并行传输:信息以页为单位,并行读写,因而可具有极高的数据传输率,其极限值将主要由I/O器件(SLM及CCD)来决定。目前多信道CCD探测阵列的运行速度已可达128MHz,采用巨并行探测阵列的全息存储系统的数据传输率将有望达1Gbyte/s。(3)存储密度高:利用体全息图的布拉格选择性或其它选择特性,可在同一存储体积内多重存储很多全息图,因而系统的有效存储密度很高。存储密度的理论极限值为1/λ3,其中(为光波波长,在可见光谱区中,该值约为1012bits/cm3。现已发展了多种复用存储技术,例如,1991年C.Denz等采用相位编码复用技术、1992年A.Yariv等采用波长复用技术、1993年F.H.Mok采用角度复用技术、D.Psaltis等1995年采用移位复用技术、1996年C.C.Sun等采用随机相位编码复用技术以及随后其它不同的混合复用技术分别实现了多重全息存储。(4)寻址速度快:参考光可采用声光、电光等非机械式寻址方式,因而系统的寻址速度很快,数据访问时间可降至亚毫秒范围或更低。例如,美国Rockwell于2000年提出的两种分别存储100MB和1GB的系统都是利用声光调制器来实现小于50μs的寻址功能,而传统磁盘系统的机械寻址需要10ms。(5)具有关联寻址功能:对于块状角度复用体全息存储,如果在读出时不用参考光而改由物光中的某幅图像(或其部分)照射公共体积内由角度多重法存储的多重全息图,那么将会读出一系列不同方向的“参考光”,各光的强度大小代表对应存储图像与输入图像之间的相似程度,利用此关联特性,可以实现内容寻址操作,该功能对基于图像相关运算的快速目标识别(如原Holoplex公司利用体全息存储技术已做成一种高速“全息指纹识别系统”,其样机存储1,000幅指纹图像,在一秒钟内便可完成输入指纹与所有存储内容的快速准确比较;清华大学建立了基于体全息存储的快速人脸识别光电混合系统,在1秒内实现200幅人脸快速识别)、自动导航(如CIT的D.Psaltis利用体全息存储器特有的内容关联存储特性,构成的快速车辆导航系统)、卫星星图匹配定位、大型数据库的检索与管理等应用十分重要。目前制约体全息存储的关键仍在于获取合适的存储记录材料。3国内光学检测技术近场光学存储是超高密度光存储的另一重要研究领域。基于超衍射分辨的近场光学原理和方法的近场存储将可能使存储密度提高几个数量级。存储线宽可以达到10～50nm,相应的理论存储密度可以达到1000GB/in2以上。近场固体浸没透镜(SIL)虽然只能够得到100nm左右存储光斑,但存储密度也提高了十倍,达到40GB/in2以上。国外所建立已能够进行存取数据操作的实验系统可分为三种:(1)探针型近场存储,它是将激光束通过直径非常小的孔对存储介质进行记录和读取,当记录介质距小孔相当近,则通过小孔的光便在光盘上形成尺寸与小孔相当的记录点。1996年Hosaka用这种方法以785nm的激光在相变介质上获得了60nm的记录点,而经典光学显微镜的衍射受限分辨率约为250nm左右;1999年贝尔实验室的A.Partovi小组抛弃传统的光纤探针,采用250nm大小孔径的微小孔径激光(VSAL,very-small-aperturelaser)(波长为980nm)获得了250nm的记录点。(2)超分辨率近场结构存储(super-RENS)是在盘片中距记录层20nm处加掩模层,基于近场增强效应和近场表面等离子波效应,掩模层在激光照射下产生纳米尺寸隐失场,在近场区域内所产生的光斑直径要小于衍射极限分辨尺寸,从而实现超分辨率的记录点。目前日本的Tominaga利用这种方法已得到81nm的记录点。(3)固体浸没透镜(SolidImmersionLens,SIL)近场存储,是通过使用高数值孔径的固体浸没透镜来减小读写光斑的直径。SIL底面和记录介质之间距离保持在近场范围内,聚焦在SIL底面的光斑通过近场耦合将隐失场光能量传到记录介质中实现高密度的记录,其理论上可获得直径为125nm的光斑。1999年丰田科技学院的A.Chekanov等人用SIL方案在磁光介质上获得了150nm的记录点。国内近场光学的研究大多集中于近场光学成像、近场光学荧光探测等。北京大学曾使用探针式近场光学显微镜系统进行了量子阱、量子线、激光器近场光谱和生物样品成象实验。清华大学建立了近场光学显微镜系统,自制了纳米光纤探针对多种样品进行成象,分辨率达到50～100nm。设计了固体浸没透镜式近场光学超高密度存储系统,同时在进行super-RENS光盘的研究。中国科技大学对有源和无源光纤探针进行了研究。近场光学存储的优势突出在读写光斑的减小大大提高存储的面密度和容量,同时可以充分利用已有的相关技术,与现有的光盘存储系统兼容,如硬盘驱动器的空气悬浮技术等而无需另行重新设计开发新的系统。但如何控制高速旋转的记录盘片表面与近场光学读写头间距保持在近场范围是一难题。4实验方法和材料光学双光子双稳态三维数字记录基本原理是根据两种光子同时作用于原子时,能使介质的原子中某一特定能级上的电子激发至另一稳态,并使其光学性能发生变化,所以若使两个光束从两个方向聚焦至材料的空间同一点时,便可实现三维空间的寻址与写入,读出。利用材料折射率、吸收度、荧光或电性质的改变来实现存储。信号由于是荧光读出,在未写入点无荧光,是零背景过程,所以读出灵敏度很高。由于此反应属于原子对光量子的吸收过程,反应速度为皮秒级,而最小记录单元,理论上可达到原子级。这种方法能实现Tbits/cm3的体密度,可达到40MB/s的传输率。国际上最有代表性的是美国加州大学SanDiego分校及Call&Recall公司,其100层的记录方法已见报道。1997年,A.S.Dvornikov等人(UniversityofCalifornia,USA.)采用双光束写入、单光束读出的方案,材料为罗丹明B,制成立方体形状:10×10×10mm3,存储100层共1Mb,10000bit/层,信息单元的间距为30μm。写入时,掩膜被Nd:YAG锁模脉冲(波长1064nm,脉宽35ps)照射,成像在立方体材料上形成4mm×4mm平面。532nm倍频的激光束变形聚焦成80μm×5mm的片状,与立方体内的IR图像平面对齐,从而记录信息。读出采用200μw、CW型、543nm的He-Ne激光器。1998年,Y.kawata,S.Kawata等人(OsakaUniversity,Japan)用双光子吸收技术,采用单光束写入、单光束读出方案,在光折变晶体LiNbO3(10×10mm×800μm)上进行了三维光学记录。层间距约20μm,信息单元的间距是5μm,记录了7层。写入采用Ti:Sapphire锁模脉冲(波长762nm,脉宽130fs,峰值光强0.4KW/μm2)和NA=0.85的物镜。读出采用背面光照方式,利用Zernike相衬显微镜,物镜NA=0.75。推测密度为33Gbits/cm3(1.2×1.8×14.2μm)。1999年,H.E.Pudavar等人(StateUniversityofNewYork,)同样采用单光束写入、单光束读出方案,材料为掺杂AF240(2%)光色变分子的有机聚合物(来源于USAirforceResearchLaboratory),结构为多层盘片式。实验存储密度为100Gbits/cm3(推算依据:层间距10μm,位间距1μm)。写入时,采用Ar离子泵浦的Ti:Sapphire锁模脉冲(波长798nm,脉宽70fs,重复频率90MHz,平均功率200mw),60×油浸物镜和XYZ扫描平台。读出时采用同样的激光器,但平均功率低,为10～20mw。此外,俄罗斯的N.I.Koroteev等人(MoscowStateUniversity),使用NP光色变分子材料搭建了单光束写入、单光束读出装置。存储材料每层厚1μm,层间距30μm,点间距1.7μm。国内清华大学从1995年开始这一研究,初步建立了针对有机介质的记录物理模型,并完成了对双光子记录介质特性测试专用设备的研制,获国家发明专利。对于已有的双光子存储方案,我们可以看出:(1)在双光束记录结构中,由于对各自光束的峰值功率要求不太高,可以采用皮秒级的Nd:YAG锁模脉冲激光器。(2)在单光束记录结构中,由于对光束的峰值功率要求很高,必须采用飞秒级的Ti:Sapphire锁模脉冲激光器。然而,大型和昂贵的飞秒Ti:Sapphire锁模脉冲激光器成为制约双光子存储实用化的一个主要因素。(3)存储体的形状多采用立方体(cube)、或多层盘片结构,且大都采用XYZ平台寻址。(4)记录信息的读取,普遍采用“共焦显微”系统以及CCD摄像头。(5)对于光色变材料的信息,可以采用双光子读出或者单光子读出方案。单光子方案易于采用“pageBypage”的读出系统。但是单光子读出方案的层间窜扰要大于双光子读出方案,因此必须采用“共焦显微”结构。(6)在光色变存储方案中,AF240材料的存储密度可达到100Gbits/cm3以上。而在光折变材料方案中,由于球差和擦除作用,使在LiNbO3(铌酸锂)晶体中仅能达到33Gbits/cm3。另外,由于是荧光读出也就对弱信号检测提出更高的要求。5体全息存储的发展趋势除了上述所种光存储技术外,还有许多其它存储技术也在发展之中,如光谱烧孔技术(