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文档简介

微影技術I－曝光與顯影◆微影技術：Lithography◆微影技術即為印刷製版技術，利用光罩將電路圖案轉移至光阻顯影，最後蝕刻完成。◆步進機是負責圖案曝光，是半導體製造裝置中最昂貴的裝置，且為高度精密光學儀器。元件製造中，包括利用步進機反覆進行二十到三十次曝光的微影工程，可說是半導體製程的中樞。

1微影技術流程2光阻製程◆光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶劑中，利用旋轉塗佈將基板塗上一層光阻。◆光阻可分為負光阻和正光阻兩種，但由於解析度的關係，目前以正光阻為主流。◆負光阻是曝光的部位經聚合硬化後，將未曝光的部位溶解，得到曝光部位的顯像。◆正光阻利用不同的顯像液，改變可溶性的構造，選擇將曝光的部分溶解或聚合，顯像留下未曝光的部分。◆如圖為正光阻和負光阻的定義。3負光阻和正光阻的比較4負光阻和正光阻的比較◆欲形成相同的底膜圖案時，負光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩。◆負光阻留下的光阻圖案(曝光部分)，受到顯像液的影響而膨脹，導致解析度降低。◆正光阻有穩定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度，而選擇使用正光阻。因為光阻顯像時，對曝光和未曝光部分的溶解度差(對比)，必須非常敏銳。◆負光阻是含有具感光特性的化合物和環化橡膠類樹脂的有機溶劑，經光線照射後產生架橋反應，經重合、硬化，利用顯影劑形成不溶性鹼。也就是說，可利用曝光部分和未曝光部分產生溶解度的差異，進行圖案的顯像。◆正光阻則是含有感光性材料和酚類樹脂的有機溶劑，為不溶性鹼。但經過光的照射，則成為可溶性鹼，因此可使用鹼溶劑進行圖案的顯像。

5負光阻和正光阻的比較參數負光阻正光阻化學穩定性穩定稍不穩定靈敏度較高較低解析度稍低高顯像容許度大小氧的影響大小塗佈膜的厚度因解析度無法加厚可加厚塗佈階梯式覆蓋率不佳良好去除光阻(圖案形成後)稍困難容易耐濕式蝕刻性良好

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