(完整版)单板硬件调试报告

XX单板硬件调试和单元测试报告（仅供内部使用）拟制：日期：yyyy-mm-dd审核：日期：yyyy-mm-dd审核：日期：yyyy-mm-dd批准：日期：yyyy-mm-dd第第页，共18页下面表形式供参考使用，也可直接分别给出设计要求和实际测试得到的时序图，但必须明确给出测试结论和修改措施、计划)参数标识符最小值要求(ns)最大值要求(ns)实测值(ns)结论改进措施修改计划命令(/CS,/RAS,/CAS,/WE,DQM)的建立时间tcs修改计划中需写明本板解决、下一板解决或给出明确的修改完成日期。命令(/CS,/RAS,/CAS,/WE,DQM)的保持时间tCH地址建立时间tAS地址保持时间tAH数据数据建立时间tDS数据数据保持时间tDH1.1.1.1测试时序及分析在此粘贴上测试的所有波形、实测数据，并加以简单分析。所有的波形都做为以后问题跟踪和质量回溯的依据。如果波形文件比较大可以压缩后粘贴或者做为单独的附件提供。1.1.2业务接口部分时序1.1.2.1测试结果(下面表形式供参考使用，也可分别直接给出设计要求和实际测试得到的时序图，但必须明确给出测试结论和修改措施、计划)参数标识符最小值要求(ns)最大值要求(ns)实测值(ns)结论改进措施修改计划时钟周期tCK修改计划中需写明本板解决、下一板解决或给出明确的修改完成日期。数据数据建立时间tDS1.1.1.1测试时序及分析在此粘贴上测试的所有波形、实测数据，并加以简单分析。所有的波形都做为以后问题跟踪和质量回溯的依据。如果波形文件比较大可以压缩后粘贴或者做为单独的附件提供。1.1.2问题列表将有问题的信号列举出来，如果完全满足情况，填“写无”。£1时序测试遗留问题信号名/网络名测试点问题描述原因分析改进措施是否填写了缺陷跟踪电子流1.1失效器件原因分析描述对关键器件的失效分析结果和可靠性改进和预防措施。2调试测试总结2.1调试测试结果对本次调试的项目进行总结，包括完成总项数，通过多少项，失败多少项，部分通过多少项及百分比等，详细的调试项目通过情况清单应放在附件部分，并在此处说明该附件的位置。此处的总结一般用以下表格进行表现：±^1调试测试结果统计计划测试项新增测试项实际测试项计划花费时间（人时）实际花费时间（人时）

£1调试测试结果统计二总项目数OK项POK项NG项NT项数目百分比其中：OK：测试结果全部正确POK：测试结果大部分正确NG：测试结果有较大的错误NT：由于各种原因本次无法测试总结调试的结果，确定所有已解决了的问题，并对解决结果进行总结，确定未解决的问题。为每个被测对象给出总结性的评价，包括其局限性，评价必须基于调试结果和被测对象的通/失败准则。对失败风险的估计应包括在内。总结主要的调试活动和事件。总结资源消耗数据，如总人员、总机时，每个主要调试活动花费的时间。1.1遗留问题报告遗留问题是指调试过程中发生的并且在调试报告时仍没有得到解决需要投下一版PCB回归测试验证的问题。建立遗留问题统计表格，可对遗留问题数和级别进行统计，包括问题总数，致命，严重，一般和提示问题的数目及百分比等，遗留问题统计一般可用以下表格描述，其中的字段可根据实际情况进行设计和裁剪。±^1调试测试问题列表总共发现问题总数致命问题严重问题一般问题提示问题问题分四个级别来定义，各级别含义如下：致命：引起系统死机或系统崩溃的问题严重：引起系统某一功能失效且不能简单恢复（如插拔单板）的问题一般：引起系统某一功能失效但可简单恢复或较难重现的问题提示：从操作或维护的角度发现的问题或建议±0信号质量遗留问题统计表问题总数致命问题严重问题一般问题提示问题其他统计项数目百分比±0时序遗留问题统计表问题总数致命问题严重问题一般问题提示问题其他统计项数目百分比±^1功能遗留问题统计表问题总数致命问题严重问题一般问题提示问题其他统计项数目百分比问题分四个级别来定义，各级别含义如下：致命：引起系统死机或系统崩溃的问题严重：引起系统某一功能失效且不能简单恢复（如插拔单板）的问题一般：引起系统某一功能失效但可简单恢复或较难重现的问题提示：从操作或维护的角度发现的问题或建议1.1调试测试经验总结2其他对于模拟和射频部分以及其它关键内容，由于其要求不一，根据实际设计的要求，根据模拟、射频部分的测试用例，要求粘贴测试记录，分析测试结果，总结测试问题。3评审报告开发组长应及时组织对单板硬件调试与单元测试报告的评审，按照单板硬件调试与单元测试过程CHECKLIST文档，进行审核。并将评审报告记录在这里。参考资料清单：请罗列本文档所参考的有关参考文献和相关文档，格式如下：作者＋书名（或杂志、文献、文档）＋出版社（或期号、卷号、公司文档编号）＋出版日+起止页码例如：[1]D.B.Leeson,“ASimpleModelofFeedbackOscillatorNoiseSpectrum,”Proc.IEEE,pp329-330,February1966（英文文章格式）D.Wolaver,Phase-LockedLoopCircuitDesign,PrenticeHall,NewJersey,1991（英文书籍格式）王阳元，奚雪梅等，“薄膜SOI