模块四　硅片后清洗刻蚀生产 免费试读
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4.1刻蚀生产工艺流程4.1.1硅片刻蚀生产的目的扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。p-n结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成N型半导体，部分则留在了SiO2中形成磷硅玻璃（PSG），如图4-1所示。图4-1扩散制结后硅片表面PSG的生产磷硅玻璃的存在，影响硅片表面的性质，对太阳电池的生产有不利的影响：①磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减；②死层的存在，大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc；③磷硅玻璃的存在，使得PECVD后产生色差。针对上述问题，硅片刻蚀生产的目的，一方面要去除多余的p-n结，另一方面去除硅片表面的PSG。4.1.2湿法刻蚀生产和去除PSG的原理利用HNO3和HF的混合液体，对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀，去除边缘的N型硅，使得硅片的上下表面相互绝缘，如图4-2所示。图4-2硅片湿法刻蚀生产图及示意图边缘刻蚀原理反应方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2↑+8H2O硅片上表面PSG的存在，对于太阳电池的制备有较大的影响，可以通过酸洗的方法去除（图4-3），原理如下：图4-3去除表面PSGSiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去除PSG工序检验方法：当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干

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