标准解读
《GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》与《GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质》相比,在多个方面进行了更新和改进。
首先,新版标准对术语定义进行了更加明确的界定,增加了部分新的专业术语,以适应当前技术的发展需求。同时,对于一些原有的术语也进行了修订,使得表述更为准确,避免了可能存在的歧义。
其次,在样品处理方法上,《GB/T 24582-2023》优化了酸浸取步骤的具体操作流程,包括但不限于使用的酸种类、浓度以及处理时间等参数,旨在提高金属杂质提取效率的同时保证数据的一致性和可靠性。
再者,关于仪器设备的要求,《GB/T 24582-2023》细化了电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)的技术指标,比如灵敏度、分辨率等,并新增了一些推荐使用条件下的最佳实践指南,帮助实验室更好地控制实验过程中的变量因素,从而获得更高质量的数据结果。
此外,《GB/T 24582-2023》还扩大了可检测金属元素范围,并针对每种元素制定了详细的分析方法及质量控制措施,确保能够全面覆盖多晶硅生产过程中可能出现的各种微量金属污染源。
最后,新版本加强了对实验室内质量管理体系的要求,强调了通过实施有效的内部审核程序来持续监控并改善整个测试流程的重要性,以期达到国际先进水平。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2023-08-06 颁布
- 2024-03-01 实施
![GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法_第1页](http://file4.renrendoc.com/view/28585fe247980a866d98a82f6dad39ae/28585fe247980a866d98a82f6dad39ae1.gif)
![GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法_第2页](http://file4.renrendoc.com/view/28585fe247980a866d98a82f6dad39ae/28585fe247980a866d98a82f6dad39ae2.gif)
![GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法_第3页](http://file4.renrendoc.com/view/28585fe247980a866d98a82f6dad39ae/28585fe247980a866d98a82f6dad39ae3.gif)
文档简介
ICS77040
CCSH.17
中华人民共和国国家标准
GB/T24582—2023
代替GB/T24582—2009
多晶硅表面金属杂质含量测定
酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
Testmethodformeasuringsurfacemetalimpuritycontentofpolycrystalline
silicon—Acidextraction-inductivelycoupledplasmamassspectrometrymethod
2023-08-06发布2024-03-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T24582—2023
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质与
GB/T24582—2009《-》,
相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
GB/T24582—2009,,:
更改了适用范围见第章年版的第章
a)(1,20091);
删除了术语与缩略语见年版的第章
b)“”“”(20093);
更改了方法原理见第章年版的第章
c)(4,20094);
更改了干扰因素见第章年版的第章
d)(5,20095);
更改了试剂和材料见第章年版的第章
e)(6,20096);
更改了仪器设备见第章年版的第章
f)(7,20097)
更改了样品要求见第章年版的第章
g)(8,20098);
更改了多晶硅块表面金属杂质浸取方式见年版的
h)(9.4,20099.2);
更改了试验数据处理见第章年版的第章
i)(10,200910);
更改了精密度见第章年版的第章
j)(11,200911);
更改了试验报告见第章年版的第章
k)(12,200912)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位亚洲硅业青海股份有限公司内蒙古通威高纯晶硅有限公司宜昌南玻硅材料
:()、、
有限公司青海芯测科技有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司新疆大全新能源股份有限公司陕
、、、、
西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司洛阳中硅高科技有限公司新疆新特新能材料检测中心有限公
、、
司有色金属技术经济研究院有限责任公司江苏鑫华半导体科技股份有限公司新疆协鑫新能源材料
、、、
科技有限公司
。
本文件主要起草人尹东林郑连基刘军魏东亮蔡延国李素青侯海波田洪先刘文明
:、、、、、、、、、
薛心禄王彬于生海徐岩曹岩德姜士兵邱艳梅赵培芝万首正赵娟龙申梅桂刘海月王春明
、、、、、、、、、、、、。
本文件于年首次发布本次为第一次修订
2009,。
Ⅰ
GB/T24582—2023
多晶硅表面金属杂质含量测定
酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
警示———使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验本文件并未指出所有可能的安全问
。
题使用者有责任采取适当的安全和健康措施并保证符合国家有关法律规定的条件
,,。
1范围
本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面
,
金属杂质含量的方法
。
本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属碱土金属和第一系列过渡元素如钠
、、
钾钙铁镍铜锌铝等杂质元素含量的测定测定范围为
、、、、、、,0.01ng/g。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
电子级水
GB/T11446.1
洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级
GB/T25915.1—20211:
3术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义
。
4方法原理
试料在硝酸氢氟酸去离子水的混合液中浸取一定的时间后通过进样系统将浸取液送进高温等
、、,
离子体源中并在高温矩管中蒸发离解原子化和电离绝大多数金属离子成为单价离子这些离子通
,、、,,
过锥接口进入质量分析器后根据质荷比的不同依次分开在电感耦合等离子质谱仪上测定
,。(ICP-MS)
待分析金属元素的含量
。
5干扰因素
51取样应在洁净室内进行并确认取样夹子以及样品收纳袋等无污染如需异地取样应将样品密封
.,,,
在双层袋中并保证传递过程中无破损取样过程中避免样品沾污
,。。
52测试前应确认
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