标准解读

《GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质》是一项国家标准，旨在通过酸浸取结合电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）技术来检测多晶硅材料表面上存在的金属杂质。该标准适用于纯度较高的多晶硅材料中痕量金属元素的分析与测定，对于保证半导体材料质量具有重要意义。

根据该标准，首先需要对样品进行适当的预处理，即使用特定浓度的酸溶液在一定条件下浸泡多晶硅样品，使得附着于其表面或浅表层内的微量金属杂质能够被有效地溶解出来形成溶液样本。此过程中所使用的酸液种类及比例、浸取温度和时间等因素均需严格按照规定执行，以确保实验结果的一致性和准确性。

接下来，将得到的液体样本利用电感耦合等离子体质谱仪进行测试。ICP-MS是一种非常灵敏且高效的分析手段，它可以通过测量不同元素特有的质荷比来识别并定量存在于样品中的各种金属成分。为了获得可靠的数据，在实际操作时还需要注意控制好仪器的工作参数，并采取适当的质量控制措施如定期校准、空白对照试验等。

整个分析流程涵盖了从样品制备到最终报告生成的所有步骤，每一步都给出了详细的操作指南和技术要求，为实验室提供了统一规范化的检测方法。此外，标准还列出了可能影响测定结果准确性的因素以及相应的解决策略，有助于提高分析工作的科学性和可靠性。


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  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
GB/T 24582-2009酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质_第1页
GB/T 24582-2009酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质_第2页
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文档简介

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中华人民共和国国家标准

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定

多晶硅表面金属杂质

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

中华人民共和国

国家标准

酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定

多晶硅表面金属杂质

ＧＢ／Ｔ２４５８２—２００９

中国标准出版社出版发行

北京复兴门外三里河北街１６号

邮政编码：１０００４５

网址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

电话：６８５２３９４６６８５１７５４８

中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷

各地新华书店经销

开本８８０×１２３０１／１６印张０．５字数９千字

２００９年１２月第一版２００９年１２月第一次印刷

书号：１５５０６６·１３９５８３

如有印装差错由本社发行中心调换

版权专有侵权必究

举报电话：（０１０）６８５３３５３３

书

犌犅／犜２４５８２—２００９

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出并归口。

本标准负责起草单位：新光硅业科技责任有限公司。

本标准主要起草人：王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平。

Ⅰ

书

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定

多晶硅表面金属杂质

１范围

１．１本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表

面上的金属杂质痕量分析方法。

１．２本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝

的检测。

１．３本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积

很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为５０ｇ～３００ｇ，检测限为０．０１ｎｇ／ｍＬ。

１．４酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方

法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的１％。

１．５本标准适用于重量为２５ｇ～５０００ｇ的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的

重量为约３００ｇ。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

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３术语、定义和缩略语

３．１术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

３．１．１

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用

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