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文档简介
#/204.1.1.2DutyCycle,fT:f=46.8KHzT丿ton=10.15us90V/47Hz1T=21.35usf=46.8KHzT丿ton=3.25us264V/60Hz\t=21.35usIDutyCycle=47.5%IDutyCycle=15.2%Vin(min)=100V(90V/47Hzfullload)Stress(264V/63Hzfullload):Q1MOSFET:D4:4.1.1.5辅助电源(开机,满载)、短路Pinmax.:開機=0.18A(8.4V)90V/47Hz*滿載=11.26V(4A)i短路=1.2W(max.)開機=0.13A(8.4V)264V/63Hz滿載=11.26V(4A)l短路=8.8W(max.)4.1.1.6Static(fullload)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7115V/60Hz18.60..3143.300.522813.2271.1132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9厂90V/47Hz=OK115V/60Hz=OK132V/60Hz=OK4.1.1.7FullRange负载4.1.1.7FullRange负载(0.3A-4A)230V/60Hz=OK1-264V/63Hz=OK(验证是否有振荡现象)4.1.1.8回授失效(输出轻载)90V/47Hz□Vout=8.3V264V/63Hz口Vout=6.03VO.C.P.(过电流保护)90V/47Hz=7.2A264V/63Hz=8.4APin(max.)90V/47Hz=24.9W264V/63Hz=27.1WDynamictestH=4A,t1=25ms,slewRate=0.8A/ms(Rise)L=0.3A,t2=25ms,slewRate=0.8A/ms(Full)90V/47Hz264V/63HzHI-POTtest:HI-POTtest一般可分为两种等级:输入为3Pin(有FG者),HI-POTtest为1500Vac/lminute。Y-CAP使用Y2-CAP输入为2Pin(无FG者),HI-POTtest为3000Vac/1minute。Y-CAP使用Y1-CAPDA-14B33属于输入3PINHI-POTtest为1500Vac/1minute。Groundingtest:输入为3Pin(有FG者),一般均要测接地阻(Groundingtest),安规规定FG到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100mQ(25A/3Second)。4.1.1.14温升记录设计实验定案后(暂定),需针对整体温升及EMI做评估,若温升或EMI无法符合规格,则需重新实验。温升记录请参考附件,D5原来使用BYV118(10A/40VSchottky),因温升较高改为PBYR1540CTX(15A/40V)。4.1.1.15EMI测试:EMI测试分为二类:Conduction(传导干扰)Radiation(幅射干扰)前者视规范不同而有差异(FCC:450K-30MHz,CISPR22:150K-30MHz),前者可利用厂内的频谱分析仪验证;后者(范围由30M-300MHz,则因厂内无设备必须到实验室验证,Conduction,Radiation测试数据请参考附件)。4.1.1.16机构尺寸:设计阶段即应对机构尺寸验证,验证的项目包括:PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸・・・.,若设计阶段无法验证,则必须在样品阶段验证。样品验证:样品制作完成后,除温升记录、EMI测试外(是否需重新验证,视情况而定),每一台样品都应经过验证(包括电气及机构尺
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