海思芯片HTOL老化测试技术规范

HTOL测试技术规范历史版本记录适用范围:期上电运行的可靠性评估。本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTOL老化测试需求。试工程师需要依据实际情况选择合适的模式完成HTOL测试。序号序号参考标准说明HTOL主要用于评估芯片的寿命和电路可靠性，需要项目SE、封装工程师、可靠性工案、HTOL环境调试、HTOL测试流程执行、测试结果分析、失效定位等。HTO种方式进行测试：DFT测试模式和EVB测试模式。际应用场景，该模式下芯片各模块一般按照真实的应用场景并行运行。高低高中1、DFT:各模块依次运行，动态时实现多芯片并行老化难依赖测试平台，可在实验室温箱进行；TR4TR5厂SE厂工程师可靠性工程师硬件工程师封装工程师FT测试工程师TR4TR5TR4功耗数据SE环境调试可靠性测试总体方案可靠性工程师芯片壳温测试老化板调试高温功耗测试老化环境温度可靠性测试总体方案可靠性工程师芯片壳温测试老化板调试高温功耗测试老化环境温度HTOL测试报告0hATE测试168hATE测试ATE测试1000hATE测试结果分析测试方案确定调试结果确认调试结果确认测试方案评审EVB原理EVB原理图&PCB工程师芯片热阻参数封装尺寸芯片热阻参数封装尺寸图工程师HTOL回测老化程序失效分析HTOLHTOL回测老化程序失效分析测试2.HTOL测试条件最低结温Tj要求125℃,且结温不得高于150℃。然而，对于没有集成内部温度传感器的IC，结温无法直接测量，需要用公式推算：jcjc其中:，即芯片封装外壳温度，调试过程中可用传感器实时监测；θ温度调试方法为，环境温度升到125℃,测试芯片在该条件下的总功耗。然后由于结温有范围(125℃,150℃)，可通过T=T-θP反推特定结温下要求的壳温，通过升高或降cjjc低环境温度，将壳温调节到特定值。最终的环境温度大概率不是125℃,且功耗P相对于125℃条件下会有些细微变化，但一般认为变化较小可忽略不计。抽样检验的样本量的取样原则按下表所示：解释为：若该批次抽样45units且检验无失效，则老化时间需要综合计算，以便抽样测试的结果能满足早期失效率要求(详细细节参考温度加速因子：AEQ\*jc3\*hps35\o\al(\s\up14(E),k)aT为正常使用条件下的结温(单位：K)；uT为加速条件下的结温(单位：K)；aau正常使用条件下等效使用时间：a9a)9-3ELF9ELF-3ELFaaa举例说明如何计算一定条件下老化试验的早期失效率和等效使用时间：γkNA=AT*AVtELFr1.8V测试时间下对应的等效使用年限。高温操作寿命HTOL及早期失效EFR计算公3.HTOL测试注意事项定芯片是否完好。在ATE测试过程中，我们会记录各个模块的关键参数，如logic和Memory电路的最高工作频率FMAX和最低工作电压VDDMIN，用于分析该参数在老转化后的老化向量，可能需要返回前端进行仿真，确认老化向量出管脚并抓取波形，如果确认波形正确后，老化板调试才能结束并开始HTOL测试，试验条件下测试准确壳温和功耗，计算芯片的结温。在HTOL测试前，将芯片至于高温条件下（125℃),测试其功耗。计测试芯片表面温度。相同，确认老化向量可以在高温下运行。记录每个芯片的关键参数，并保存datalog。EVB功能模式的老化同样需要测试并记录DFT模式下，测试机台需求1）输入通道数：老化机台的输入通道数为96个DFT模式下，老化向量覆盖模块需求：HTOL测试成员参考但不限于以下因素来确定老化向量覆盖的模块：1）IP/IO和工艺存在的风险：如使用未经过